Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ obniżonej temperatury na wybrane właściwości zapraw do napraw konstrukcji betonowych

100%

Wojnowski D.

Materiały Budowlane

2017

tom nr 8

87--90

Celem artykułu jest ocena wpływu obniżonej temperatury na wybrane właściwości zapraw do naprawy konstrukcji betonowych. Do badań wytypowano dwie zaprawy przeznaczone do napraw konstrukcji betonowych. Jedna zaprawa była przeznaczona do stosowania w temperaturze od 1°C, druga zaś w temperaturze od 5°C. Badania wykonano na próbkach dojrzewających w temperaturze 21°C i 8°C. Przeprowadzono badania wytrzymałości na ściskanie oraz przyczepności przez odrywanie wraz z ustaleniem przyrostu wartości tych właściwości w czasie. Rezultaty badań wskazały na negatywny wpływ obniżonej temperatury na poziom analizowanych właściwości. Wydłużenie okresu dojrzewania w niskiej temperaturze nie powoduje uzyskania wartości, jakie zostają osiągnięte, gdy zaprawa dojrzewa w normowych warunkach laboratoryjnych. Wykonywanie napraw konstrukcji betonowych w okresie obniżonej temperatury może powodować niepowodzenie wykonania skutecznej naprawy.

The purpose of this article is to assess the effect of lowered temperature on selected properties of mortars for repair of concrete structures. The objects of research were two mortars for the repair of concrete structures. One mortar was intended for use at temperatures from 1°C, and the second at a temperature of 5°C. The tests were performed on samples conditioning at 21°C and 8°C. It was made compressive strength, adhesion and it was determined increase of these properties over time. Results of the researches showed the negative impact of lowered temperatures at the level of the analyzed properties. Extending the period of conditioning at lowered temperatures, do not reach such values as mortar, which conditioning at laboratory conditions. Repairs to concrete structures at lowered temperatures can cause failure of the effectiveness of repair.

Badania wpływu obniżonej temperatury na właściwości zapraw stosowanych do napraw konstrukcji betonowych

63%

Wojnowski D. , Możaryn T.

Inżynieria i Budownictwo

2016

tom R. 72, nr 12

668--670

Badania dotyczyły skuteczności i trwałości napraw konstrukcji betonowych, wykonanych i dojrzewających w niskich temperaturach. Zbadano trzy zaprawy dojrzewające w czterech klimatach. Wykonano badania wytrzymałości na ściskanie, absorpcji kapilarnej, przyczepności oraz karbonatyzacji. Wyniki badań wykazały istotny wpływ temperatury dojrzewania na właściwości badanych zapraw.

The paper presents the issue of efficiency and durability of the repair of concrete structures which were made and cured in low temperatures. Three mortars cured at four different configuration of temperatures. The compressive strength, capillary absorption, bond strength and carbonation were investigated after curing. The results of investigation showed the significant impact of curing temperature on the characteristics of tested mortars.

Monolityczny mikrofalowy układ scalony GaN/AlGaN

26%

Dobrzański L. , Caban P. , Kowalik A. , Podgórski J. , Rudziński M. , Góra K. , Jagoda A. , Stańczyk B. , Wojnowski D. , Kozłowski A. , Przyborowska K. , Lewandowski A. , Wiatr W. , Paszkiewicz R.

tom Vol. 56, nr 6

6-9

Przedstawiamy opracowanie przyrządów HEMT (High Electron Mobility Transistors) z GaN/AlGaN, a następnie pierwszego w Polsce monolitycznego mikrofalowego układu scalonego, w którym zastosowano przyrządy HEMT z GaN/AlGaN. Opracowanie przyrządów HEMT. Sekwencja warstw epitaksjalnych tworzących strukturę tranzystora była następująca: bufor AlN, kanał GaN, warstwa Schottky’ego AlGaN oraz warstwa podkontaktowa GaN. Strukturę wyhodowano na podłożu szafirowym. Wzór izolacji oraz wzór obszarów drenów i źródeł uzyskano metodą litografii optycznej. Wzór bramki o długości 500 nm i 440 nm otrzymano metodą bezpośredniej elektronolitografii na powierzchni półprzewodnika. Izolację przyrządów uzyskano przez wytrawienie obszaru ‘mesa’ w plaźmie chlorowej. Metalizacja kontaktów tworzyła struktura wielowarstwowa Ti/Al/Ni/Au. Powierzchnię kanału zabezpieczono przez nałożenie warstwy pasywującej Si3N4. Wzmocnienie tranzystorów w pasmie S i X wynosiło odpowiednio 16 i 11 dB (MSG/MAG Maximum Stable Gain). W najlepszym z kilku opisanych wariantów konstrukcyjnych i technologicznych uzyskano częstotliwość graniczną fT = 30 GHz, częstotliwość graniczną fMAX = 30 GHz. Ponadto stwierdzono, że unilateralne wzmocnienie mocy (UPG) równa się jeden dla częstotliwości ok. 30 GHz. Uzysk wynosił 70% co odpowiada 3000 dobrych przyrządów z płytki o średnicy 2”. Opracowanie mikrofalowego monolitycznego układu scalonego (MMIC).Opracowano pierwszy w Polsce mikrofalowy monolityczny układ scalony (MMIC), klucz typu SPDT (Single Pole Double Throw) stosowany zazwyczaj w układach transciever’ów (klucz nadawanie-odbiór). Układ zbudowany jest z czterech tranzystorów HEMT o szerokości bram μm. W paśmie 0-4 GHz straty wtrącenia są mniejsze niż 2 dB, a izolacja lepsza niż 23 dB. Wykazano, że po zmianie konstrukcji układu i stosując tę samą technologię można uzyskać straty wtrącenia mniejsze niż 1 dB. Przedstawiony układ MMIC jest demonstratorem technologii, przy pomocy której można wykonać układy scalone o parametrach na poziomie komercyjnym.

We present the development of HEMT (High Electron Mobility Transistors) and MMIC (Microwave Monolithic Integrated Circuit) made of GaN/AlGaN. Development of HEMTs. The sequence of epitaxial layers grown on sapphire substrate was as follows: AlN buffer, GaN channel, AlGaN Schottky and GaN contact cap. Isolation pattern and ohmic metal pattern were obtained by optical lithography. The gate was 500 nm and 440 nm long and was written using e-beam directly on semiconductor wafer. Then gate metal was evaporated and lifted off. The isolation was obtained by mesa etching in pure chlorine plasma. Ohmic contact consisted of a Ti/Al/Ni/Au sandwich. Finally Si3N4 passivation was made to protect exposed channel surface. Transistors operate in S and X band, showing 16 and 10 dB MSG/MAG gain respectively. For the best layout design transistors exhibited frequency fT=30 GHz, frequency fMAX = 30 GHz, and exhibited UPG=1 (unilateral power gain) for frequency 30 GHz. The yield was 70%, what corresponds to about 3000 good devices form one 2” wafer. Development of monolithic microwave integrated circuit (MMIC). We developed transistor switch of SPDT (Single Pole Double Throw) type which is used in transceivers. The circuit consists of four HEMT devices having gate width of 150 μm, gate length of 440 nm and drain source distance of 3 μm. In the 0-4 GHz bandwidth insertion loss is less than 2 dB and isolation is better than 23 dB. It was demonstrated that increase of the gate width of transistors will improve insertion loss value to the level of 1 dB.