In this work, investigations of electrical properties of Eu and Pd-doped TiO2 thin films have been outlined. Our previous studies [4, 6] of Eu and Pd-doped TiO2, have shown the nanocrystalline structure and high transparency in visible region (about 70%). Now, it has been shown that by incorporation of Pd and Eu dopants into TiO2 matrix, its properties can be modified so as to obtain simultaneously electrically and optically active oxide-semiconductor with specified type of electrical conduction at room temperature. Pd dopant changes the electrical properties of TiO2 from dielectric oxide to conducting oxide. Samples were examined by means of theromelectrical, current-voltage (I-V), transient photovoltage and optical beam induced current OBIC (Optical Beam Induced Current). I-V measurements showed formation of electrical junctions at the interface of semiconducting thin films of metal oxides and silicon substrate (TOS-Si). The presence of build-in potential has been confirmed by OBIC through created maps of photocurrent distribution generated in the active areas of prepared TOS-Si heterojunctions.
PL
W niniejszej pracy przedstawiono badanie właściwości elektrycznych cienkich warstw TiO2 domieszkowanych Eu i Pd. Pokazano, że wprowadzenie domieszki Eu i Pd do matrycy TiO2 modyfikuje jej właściwości, pozwala otrzymać cienkie warstwy elektrycznie i optycznie aktywne. Dodatkowo, wytworzone tlenki posiadają określony typ przewodnictwa elektrycznego w temperaturze pokojowej. Decydujący wpływ na właściwości elektryczne matrycy TiO2 miała domieszka Pd, która umożliwiła zmianę właściwości cienkich warstw dielektrycznych na półprzewodnikowe. Próbki badano za pomocą charakterystyk termoelektrycznych, charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) oraz metodą OBIC. Na podstawie pomiarów I-V zaobserwowano formowanie się złącza na granicy przezroczysty tlenek półprzewodnikowy-podłoże krzemowe (TOS-Si). Mapy rozkładu fotoprądu generowanego w obszarach aktywnych wytworzonego heterozłącza TOS-Si potwierdziły obecność potencjału wbudowanego.
This paper briefly presents the main scientific directions and measurement opportunities of the staff from Laboratory of Optoelectrical Diagnostics of Nanomaterials situated at Wroclaw Univeristy of Technology. All discussed thin oxide films based on TiO₂ were prepared by High Energy Reactive Magnetron Sputtering method. As it was showed, control of material composition allows to obtain nanocrystalline, transparent semiconductors with particular type of conductivity. Additionally, in such thin films other desirable properties can be achieved simultaneously, e.g. photoactivity and reduced reflection. It testifies about great application potential of nanocrystalline TOS thin films as coatings for architectural glasses, windscreens, solar cells application.
3
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
This work is focused on structural and optical properties of TiO2 thin films doped with different amount of terbium. The thin films have been prepared by high energy reactive magnetron sputtering (HE RMS) and by low pressure hot target reactive magnetron sputtering (LP HTRS) processes. Thin films were deposited from mosaic, metallic Ti-Tb target sputtered under oxygen plasma (without argon) at a pressure below 10-1 Pa. Structural examinations show nanocrystalline nature of prepared thin films with either anatase or rutile phases depending on concentration of Tb 0.4 at.% and 2.6 at.%, respectively. The phase transformation from the anatase to the rutile has not been observed after additional post-deposition annealing even at the temperature up to 1000 K. Based on investigations performed with the help of atomic force microscope high nanocrystalline, close-packed structure has been found. Studies of refraction index revealed higher value for the thin films prepared by the HE RMS than by the LP HTRS methods.
In this paper contact angle and surface free energy of ITO thin films prepared by microwave-assisted magnetron sputtering process with thick-nesses of 280, 200, 100 and 50 nm were investigaled. The measurement of surface energy and contact angle was carried out with a computer controlled goniometer system with water, ethylene glycol and diodomethane. Contact angle measurements were performed according to the sessile drop method. Results have shown that manufactured ITO thin films with thickness of 280, 200 and 100 nm were hydrophobic, while 50 nm ITO thin film was hydrophilic. Contact angle was about 105 degrees for thin films with thickness above 100 nm. Decrease of thickness down to 50 nm results in 30% decrease of contact angle value (down to 75 degrees). The effect of ITO thin films thickness on the dispersive and polar components of the surface energy was also investigated. Analysis of surface free energy has confirmed that samples with lower surface free energies exhibit higher values of water contact angles.
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań kąta zwilżania i wolnej energii powierzchniowej cienkich warstw ITO o grubościach odpowiednio 280, 200, 100 i 50 nm, wytworzonych za pomocą rozpylania magnetronowego wspomaganego mikrofalami. Pomiary energii powierzchniowej oraz kąta zwilżania zostały wykonane za pomocą specjalistycznego stanowiska używając wody, glikolu etylowego oraz diodometanu. Kąty zwilżania określono za pomocą pomiaru osadzonych kropli na powierzchni cienkich warstw. Wyniki pokazały, że wytworzone cienkie warstwy ITO o grubościach 280, 200 oraz 100 nm były hydrofobowe, podczas gdy warstwa ITO o grubości 50 nm wykazała właściwości hydrafilowe. Kąt zwilżania wynosił około 105° dla próbek o grubościach 100, 200 oraz 280 nm. W wypadku próbki ITO o grubości 50 nm kąt zwilżania zmniejszył się o 30% (do 75°). Zbadano również wpływ grubości warstw ITO na składową dyspersyjną i polarną energii powierzchniowej. Analiza wolnej energii powierzchniowej potwierdziła, że próbki z niższą energią powierzchniową odznaczają się wyższymi kątami zwilżania.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.