W artykule przedstawiono wyniki badań dotyczące wpływu szybkości chłodzenia na mikrostrukturę podczas hartowania i własności mechaniczne stali 34CrMo-4 po hartowaniu i wysokim odpuszczaniu. Jako chłodziwo stosowano wodę i dwa oleje hartownicze Hartex 70S i OH120M. Próbki po obróbce cieplnej poddano badaniom za pomocą mikroskopii świetlnej, skaningowej mikroskopii elektronowej oraz pomiarom twardości i udarności. Przeprowadzono numeryczną symulację procesu hartowania za pomocą programu komputerowego Heat_CTP.
EN
Results of the investigation of cooling rate during quenching on microstructure and mechanical properties of 34CrMo-4 steel are presented. Three quenchants for quench hardening of steel were applied: water and oils Hartex70S and OH120M. The hardness distribution on section of quenched specimens was investigated. Additionally, impact test of quenched and tempered steel was carried out. The microstructure of specimens after heat treatment was investigated, using light microscopy and SEM. Results of experimental investigations were in good agreement with results of computer simulation of quenching process.
The aim of the research was to investigate the influence of strontium on the structure of thin films La1-xSrxFeO3 (x = 0; 0,1; 0,2). The LaFeO3 and Sr-doped LaFeO3 films were produced by pulsed laser deposition (PLD) on Si (100) substrate using the Nd-YAG (λ = 266 nm) laser. SEM, AFM and XRD methods were used to characterize the structure and morphology of the thin films. X-Ray Diffraction analysis showed only the LaFeO3 phase in the undoped thin film and the La0.9Sr0.1O3 and La0.8Sr0.2O3 phases in thin films doped by Sr. The mean crystallite size, calculated by Williamson-Hall method, was smaller (of the order of 18 nm) in films doped by Sr. SEM analysis showed small droplets in thin films doped by Sr. Highly developed surface layer was observed using the AFM microscope for thin films doped by Sr.
W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczących mikrostruktury i oporu elektrycznego cienkich warstw La1-xSrxCoO3 wytworzonych metodą ablacji laserowej (PLD − Pulsed Laser Deposition). Cienkie warstwy osadzono na monokrystalicznych podłożach Si oraz MgO o orientacji [001] z wykorzystaniem lasera impulsowego na ciele stałym Nd:YAG. Mikrostrukturę wytworzonych warstw zbadano za pomocą wysokorozdzielczego mikroskopu skaningowego (FEI Nova NanoSEM 450 wyposażonego w detektor EDS EDAX). Przeanalizowano także topografię powierzchni cienkich warstw z wykorzystaniem mikroskopu sił atomowych (Veeco Dimension®Icon™ SPM) oraz dokonano pomiaru chropowatości ich powierzchni za pomocą programu NanoScope Analysis. Analiza taka pozwoliła na zweryfikowanie jakości cienkich warstw La1-xSrxCoO3. W celu określenia przydatności wytworzonych warstw do detekcji gazów zbadano zmiany ich rezystancji w atmosferze NO2 z zastosowaniem wyspecjalizowanego stanowiska pomiarowego wykorzystującego elektrometr Keithley 6517 w warunkach stałego napięcia. Stwierdzone zmniejszenie rezystancji warstwy La0,8Sr0,2CoO3 w atmosferze gazu utleniającego jest charakterystyczne dla półprzewodnika typu p oraz zastosowanego gazu utleniającego, co potwierdza własności sensorowe warstwy.
EN
This paper presents the results of the microstructure investigations and electrical resistance analysis of La1-xSrxCoO3 thin films produced by laser ablation (PLD - Pulsed Laser Deposition) method. Thin films were produced on Si and MgO single crystals substrates with [001] orientation by the Nd:YAG solid-state pulsed laser. The microstructure of deposited films was investigated by a high resolution scanning electron microscope (FEI Nova NanoSEM 450 equipped with EDS detector EDAX). The surface topography of thin films was analyzed using atomic force microscope (Veeco Dimension®Icon ™ SPM), and surface roughness parameters were determined using Nanoscope Analysis software. This analysis allowed to verify the quality of prepared La1-xSrxCoO3 thin films. In order to determine sensitivity of thin films on a presence of 50 ppm of NO2 a specialized measuring station equipped with a Keithley 6517 electrometer at constant voltage mode was used. The observed resistance decrease of La0,8Sr0,2CoO3 thin films in oxidizing gas atmosphere is typical for p-type semiconductor and indicate that the layer exhibits sensitivity to this gas.