PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Zasilacz impulsowy sterowany sygnałem małej częstotliwości do modulatorów amplitudy o dużej mocy wyjściowej w nadajnikach radiowych
100%
Modzelewski J.
|
|
tom Vol. 49, nr 2
34-38
PL
Zaprezentowano wysokosprawny kluczowany zasilacz sterowany sygnałem akustycznym (50 Hz...5 kHz) do modulatorów amplitudy przebiegów w. cz. o dużej mocy do nadajników radiowych z modulacją AM. Zastosowano konwerter DC-DC obniżający napięcie (buck), w którym zmienny sygnał modulujący jest sumowany z napięciem odniesienia DC, a dzięki pętli sprzężenia zwrotnego o dużym wzmocnieniu napięcie wyjściowe jest proporcjonalne do wypadkowego napięcia odniesienia. Stabilność i szerokie pasmo przenoszenia zasilacza sterowanego uzyskano, stosując mieszaną kompensację (lag-lead) charakterystyk częstotliwościowych bloków pętli.
EN
A high-efficiency switched-mode supply unit controlled by the extemal audio signal (50 Hz... 5 kHz), destined for high-power amplitude modulators of h.f. carrier in radio AM transmitters is presented. This supply unit is based on the buck DC-DC converter in which the modulating audio signal is summed with the DC reference voltage. Due to high-gain feedback loop the output voltage is proportional to the resultant reference voltage. The stability of the controllable supply unit and the wide band of modulating audio signals have been obtained by the lag-lead compensation of frequency characteristics of the feedback loop.
2
Uproszczona metoda projektowania rezonansowych wzmacniaczy mocy wielkiej częstotliwości z tranzystorami MOSFET
100%
Modzelewski J.
|
|
tom Vol. 48, nr 11
51-53
PL
Przedstawiono metodę projektowania wzmacniaczy mocy wielkiej częstotliwości klasy A, AB, B i C opartą na uproszczonym modelu tranzystora mocy MOSFET. Model ten składa się z charakterystyki statycznej tranzystora ID (UGS', UDS) i jego pojemności międzyelektrodowych, przy czym pojemności te traktowane są jako elementy wejściowego i wyjściowego obwodu rezonansowego wzmacniacza. Jeśli wzmacniacz nie jest przewzbudzony, wówczas tranzystor MOSFET może być opisany pojedynczą statyczną charakterystyką przejściową lD (UGS). Dla dwuodcinkowo-liniowej aproksymacji charakterystyki lD (UGS) wartość szczytową prądu drenu, rezystancję obciążenia i sprawność energetyczną wzmacniacza można wyrazić wzorami w funkcji mocy wyjściowej, napięcia zasilania, kąta przepływu prądu drenu i rezystancji tranzystora w stanie włączenia.
EN
A method for design of h. f. resonant Class A, AB, B, C power amplifiers based on the simplified model of MOSFET power transistors is presented. This model consists of the static characteristic lD (UGS', UDS) and inter-electrode capacitances which are included in the input and output resonant circuits of the amplifier. If the amplifier is not overdriven then the MOSFET transistor can be described by the single transfer static characteristic ID (UGS). For the two-piece linear approximation of the characteristics lD (UGS) the peak value of the drain current, the load resistance, and the efficiency of the amplifier can be expressed by formulas as functions of the output power, the supply voltage, the drain-current conduction angle, and on-resistance of the transistor.
3
Analiza obwodu zasilania rezonansowych wzmacniaczy mocy klasy D
100%
Modzelewski J.
|
|
tom Vol. 54, nr 1
54-58
PL
Rezonansowe wzmacniacze mocy klasy D i klasy DE są zasilane napięciowo, zatem ich źródło zasilające DC powinno być zbliżone do idealnego źródła napięciowego. Praktyczna realizacja takiego zasilania wymaga zastosowania w układzie wzmacniacza mocy dodatkowego elementu w postaci kondensatora blokującego, którego zadaniem jest zwarcie rzeczywistego źródła zasilającego dla prądu o częstotliwości wzmacnianego sygnału i jej harmonicznych. Parametry tego kondensatora, znajdującego się w obwodzie mocy w. cz., mogą wpływać na właściwości wzmacniacza mocy (m. in. na sprawność energetyczną i poziom zakłóceń elektromagnetycznych). W artykule przedstawiono zasady doboru pojemności kondensatorów blokujących zasilanie wzmacniaczy klasy D i klasy DE. Przeanalizowano także skutki niezerowej rezystancji strat i indukcyjności szeregowej rzeczywistych kondensatorów.
EN
Class-D and Class-DE resonant power amplifiers should be supplied by an ideal DC-voltage source with internal resistance equal to zero. Hence, in built Class-D and Class-DE amplifiers an additional capacitor bypassing the real non-ideal supply source for the operating frequency and its harmonics is needed. This capacitor is included in the HF power circuit of the amplifier therefore it can decrease the efficiency and increase the level of electromagnetic interferences of this amplifier. In the paper principles of calculation of the power supply bypass capacitance in the Class-D and Class-DE amplifiers are presented. Effects of non-zero loss resistance and series inductance of real capacitors are also analyzed.
4
Uproszczona metoda obliczania warunków pracy tranzystorów w rezonansowych wzmacniaczach mocy klasy DE
100%
Modzelewski J.
|
|
tom Vol. 55, nr 3
53-58
PL
W artykule przedstawiono praktyczną metodę projektowania rezonansowych wzmacniaczy mocy klasy DE wykorzystującą równania stanowiące uproszczony model matematyczny tego wzmacniacza w warunkach optymalnych i suboptymalnych. Równania te zostały wyprowadzone przy założeniu sinusoidalnego prądu w wyjściowym szeregowym obwodzie rezonansowym i modelu tranzystorów mocy w postaci idealnych kluczy. Te równania pozwalają obliczyć amplitudę i fazę prądu wyjściowego, czas martwy i wartość szczytową prądu drenu oraz kąt impedancji wyjściowego szeregowego obwodu rezonansowego. Indukcyjność i pojemność tego obwodu mogą być obliczone przy założeniu wartości jego dobrociwypadkowej. Przedstawiono przykłady zastosowania proponowanej metody do projektowania wzmacniaczy klasy DE pracujących w warunkach optymalnych i suboptymalnych.
EN
In the paper a useful design method of Class-DE tuned power amplifiers based on simplified equations modeling the optimum and sub-optimum operation of this amplifier is presented. The equations have been derived assuming the sinusoidal current in the output series-resonant circuit and power transistors modeled by the ideal switches. These equations allow to calculate amplitude and phase of the output current, dead time and peak value of the drain current, and impedance angle of the output series-resonant circuit. Inductance and capacitance of this circuit can be calculate for assumed value of its loaded quality factor. Examples of designing the Class-DE amplifiers operating in the optimum and in the sub-optimum conditions are presented.
5
Oleje roslinne w zywieniu loch
100%
Modzelewski J.
|
|
nr 02
3
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.