Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

2 Acta Physica Polonica A

2 1993

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Mechanism of Thermal Interaction of In with GaAs

100%

Barcz A. , Adamczewska J. , Baranowski J. , Kwiatkowski S.

nr 4

801-803

General behavior of In/GaAs couple heat-treated at 570°C for 2 hours was studied with secondary-ion-mass spectrometry, scanning electron microscopy, Rutherford backscattering spectroscopy and Nomarski microscopy. It is shown that, besides the well-known InGaAs crystallites which epitaxially grow upon dissolution of the substrate, In interacts with the substrate dislocations to form In(Ga)As dendrites. The driving force for this process is presumably excess arsenic reported to be present in the vicinity of the individual dislocations.

Shallow Ohmic Contact System to n-GaAs

75%

Kamińska E. , Piotrowska A. , Piotrowski T. , Barcz A. , Guziewicz M. , Adamczewska J. , Kwiatkowski S.

nr 4

804-806

Low resistance (Au)GeNi ohmic contacts to n-GaAs with smooth morphology and restricted penetration into the substrate have been fabricated. Rapid thermally nitrided tungsten has been demonstrated to be an effective capping layer during the contact processing.