Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Układ sterowania manipulatorem do zdalnej diagnostyki USG

100%

Kurnicki A. , Stańczyk B.

|

2018

|

tom z. 196

541--550

PL

W artykule przedstawiono algorytm sterowania manipulatorem wykorzystywanym jako główna część robota do zdalnego, nieinwazyjnego badania ultrasonograficznego. Algorytm ten został opracowany w ramach projektu ReMeDi (Remote Medical Diagnostician), finansowanego z 7 Programu Ramowego Unii Europejskiej w zakresie badań i innowacji. Na początku artykułu pokazano strukturę układu sterowania manipulatorem i omówiono zasadnicze jego elementy. Następnie przedstawiono problematykę związaną z wyznaczaniem sygnałów zadanych pozycji i orientacji w algorytmie sterowania. Na koniec omówiono niektóre wyniki oceny użytkowników.

EN

The paper presents control algorithm of robotic manipulator used as a main part of robot for remote noninvasive medical ultrasound examination. This algorithm has been developed within the ReMeDi (Remote Medical Diagnostician) project funded by the European Union's Research and Innovation 7th Framework Programme. At the beginning of the article, structure of the manipulator control system as a part of telemanipulation system is shown. The essential control system components are discussed in detail. Then problems and solutions connected with generation and conversion of position and orientation reference signals are presented. Finally, some results of users evaluation are discussed.

2

Nowy system robotyczny do zdalnej ultrasonografii - od pomysłu do pierwszego prototypu. Prezentacja projektu ReMeDi

100%

Szczęśniak-Stańczyk D. , Stańczyk B.

|

tom vol. 4

31--38

PL

Zapotrzebowanie na specjalistyczną opiekę medyczną w dzisiejszych czasach staje się coraz większe. Dodatkowo obserwowany jest rosnący niedobór lekarz w większości krajów na całym świecie. Rozwiązaniem takiej sytuacji wydaje się być telemedycyna. Projekt ReMeDi ma na celu zbudowanie systemu robotycznego do zdalnej diagnostyki medycznej, który będzie wspierać lekarza poprzez umożliwienie zdalnej obecności przy wykorzystaniu inteligentnych i autonomicznych funkcji poznawczych. Ten artykuł skupia się na interfejsach systemu ReMeDi przeznaczonych do zdalnej ultrasonografii i prezentuje prace wykonane w ciągu dwóch lat trwania projektu.

EN

Nowadays the demand for specialized medical care becomes higher. Additionally increasing deficit of physician is observed in majority of countries worldwide. The solution for such a situation seems to be telemedicine. The ReMeDi project is aimed to developa robotic system for remote medical diagnostics, which can support physician by enhancing the (tele-) presence with intelligent cognitive autonomous features. This paper focuses on the interfaces of the ReMeDi system which are dedicated for remote ultrasonography and presents the work done during the two years of the project.

3

Selektywne osadzanie warstw GaN na podłożach krzemowych metodą reaktywnego sputteringu

80%

Stańczyk B. , Jagoda A. , Domański A. W.

|

tom Vol. 46, nr 2-3

27-28

PL

Zbadano możliwość uzyskania warstw GaN metodą reaktywnego sputteringu przy wykorzystaniu techniki selektywnego osadzania. Założono, że zastosowanie selektywności poprawi parametry warstw w stosunku do osadzanych w sposób nieselektywny . Selektywność osadzania warstw GaN w sputronie uzyskano, ograniczając powierzchnię wzrostu do niskowymiarowych, periodycznych obszarów (tarasów), które otrzymano w wyniku fotolitografii i pionowego, głębokiego trawienia plazmowego podłożowych płytek krzemowych.

EN

In this work, we tried to deposit GaN layer by reactive sputtering using technique of selective growth, on silicon substrate. We assumed that the selectivity correct parameters layers in compare with nonselective layer. In sputtering, dielectric tilms, used in ELO, don't assure selective grown. We achieved selectivity deposition GaN layer by limitation area growth to low size, periodic terraces, which obtained using photolithography and plasma etching ot silicon wafers.

4

Evaluation of hydrophobic properties of organic layers modified with graphene flakes

80%

Stańczyk B. , Góra K. , Jach K. , Dobrzański L.

Materiały Elektroniczne

|

2017

|

tom T. 45, nr 1

18--24

EN

The paper presents the results of our research on graphene composites with organic polymers in various media. The following composites have been tested: PVDf/DMf/gr, PVDf/nMP/gr, PVDf/acetone/toluene/gr and PMMa/gr. The main purpose of this study is to evaluate hydrophobic properties of the selected materials by the contact measurements angle using the static method. the highest obtained value of the contact angle approached 180º for a superhydrophobic composite PVDf/acetone/toluene/gr.

PL

W artykule przedstawiono rezultaty prac dotyczących kompozytów grafenowych z polimerami organicznymi w różnych ośrodkach. Badano PVDF/DmF/GR, PVDF/NmP/GR, PVDF/aceton/toluen/GR i PmmA/GR. Główny przedmiot badań stanowiła ocena właściwości hydrofobowych wytypowanych materiałów. weryfikowano je za pomocą pomiarów kąta zwilżania metodą statyczną. Najlepszymi parametrami charakteryzował się kompozyt PVDF/aceton/toluen/GR, który wykazywał właściwości superhydrofobowe z wartościami kąta zwilżania wodą zbliżonymi do 180º.

5

Wysokonapięciowa dioda z barierą Schottky'ego z węglika krzemu

61%

Dobrzański L. , Góra K. , Jagoda A. , Kozłowski A. , Stańczyk B. , Przyborowska K.

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 6

16-19

PL

W artykule przedstawiamy opracowanie technologii wysokonapięciowej diody Schottkyego wykonanej z materiału wytworzonego w całości w ITME. Najpierw omówiono problem zakończenia złącza Schottkyego i wykonano numeryczne symulacje zjawiska przebicia diody. Wyniki obliczeń zweryfikowano eksperymentalnie. Następnie wykonano wiele eksperymentalnych partii technologicznych diod o różnym polu powierzchni złącza. Na tej podstawie oszacowano aktualny stan całego cyklu technologicznego wytwarzania wysokonapięciowych przyrządów mocy w ITME od wzrostu monokryształu, przez wzrost warstw epitaksjalnych aż do wykonania przyrządu półprzewodnikowego. Oceniamy, że możemy w chwili obecnej produkować diody mocy o napięciu przebicia 600 V i prądzie przewodzenia 3 A. W najbliższej przyszłości te wartości zostaną ulepszone do poziomu prądu 5... 10 A przy napięciu przebicia 600 V. Na podstawie szeroko zakrojonych badań statystycznych oceniamy poziom uzysku tej działalności na 75%.

EN

We report on development of high-voltage Schottky barrier diode on single crystal SiC wafers and epi-Iayers grown at ITME. The problem of Schottky junction termination extension has been solved using the numerical simulation. The calculated results have been verified by experiment. We have carried out many experiments with diodes of diverse junction areas and have estimated capabilities of our whole technological cycle starting from crystal growth, epi-Iayer growth and finally construction of diode and device processing. We claim that current status of SiC technology at ITME is the following: we can fabricate diodes which exhibit 600 V of breakdown voltage and forward current of 3 A with the yield greater than 75%. We estimate that these values will change in the near future to be 5... 10 A of forward current and 600 V of breakdown voltage at the same yield level.

6

Monolityczny mikrofalowy układ scalony GaN/AlGaN

41%

Dobrzański L. , Caban P. , Kowalik A. , Podgórski J. , Rudziński M. , Góra K. , Jagoda A. , Stańczyk B. , Wojnowski D. , Kozłowski A. , Przyborowska K. , Lewandowski A. , Wiatr W. , Paszkiewicz R.

|

tom Vol. 56, nr 6

6-9

PL

Przedstawiamy opracowanie przyrządów HEMT (High Electron Mobility Transistors) z GaN/AlGaN, a następnie pierwszego w Polsce monolitycznego mikrofalowego układu scalonego, w którym zastosowano przyrządy HEMT z GaN/AlGaN. Opracowanie przyrządów HEMT. Sekwencja warstw epitaksjalnych tworzących strukturę tranzystora była następująca: bufor AlN, kanał GaN, warstwa Schottky’ego AlGaN oraz warstwa podkontaktowa GaN. Strukturę wyhodowano na podłożu szafirowym. Wzór izolacji oraz wzór obszarów drenów i źródeł uzyskano metodą litografii optycznej. Wzór bramki o długości 500 nm i 440 nm otrzymano metodą bezpośredniej elektronolitografii na powierzchni półprzewodnika. Izolację przyrządów uzyskano przez wytrawienie obszaru ‘mesa’ w plaźmie chlorowej. Metalizacja kontaktów tworzyła struktura wielowarstwowa Ti/Al/Ni/Au. Powierzchnię kanału zabezpieczono przez nałożenie warstwy pasywującej Si3N4. Wzmocnienie tranzystorów w pasmie S i X wynosiło odpowiednio 16 i 11 dB (MSG/MAG Maximum Stable Gain). W najlepszym z kilku opisanych wariantów konstrukcyjnych i technologicznych uzyskano częstotliwość graniczną fT = 30 GHz, częstotliwość graniczną fMAX = 30 GHz. Ponadto stwierdzono, że unilateralne wzmocnienie mocy (UPG) równa się jeden dla częstotliwości ok. 30 GHz. Uzysk wynosił 70% co odpowiada 3000 dobrych przyrządów z płytki o średnicy 2”. Opracowanie mikrofalowego monolitycznego układu scalonego (MMIC).Opracowano pierwszy w Polsce mikrofalowy monolityczny układ scalony (MMIC), klucz typu SPDT (Single Pole Double Throw) stosowany zazwyczaj w układach transciever’ów (klucz nadawanie-odbiór). Układ zbudowany jest z czterech tranzystorów HEMT o szerokości bram μm. W paśmie 0-4 GHz straty wtrącenia są mniejsze niż 2 dB, a izolacja lepsza niż 23 dB. Wykazano, że po zmianie konstrukcji układu i stosując tę samą technologię można uzyskać straty wtrącenia mniejsze niż 1 dB. Przedstawiony układ MMIC jest demonstratorem technologii, przy pomocy której można wykonać układy scalone o parametrach na poziomie komercyjnym.

EN

We present the development of HEMT (High Electron Mobility Transistors) and MMIC (Microwave Monolithic Integrated Circuit) made of GaN/AlGaN. Development of HEMTs. The sequence of epitaxial layers grown on sapphire substrate was as follows: AlN buffer, GaN channel, AlGaN Schottky and GaN contact cap. Isolation pattern and ohmic metal pattern were obtained by optical lithography. The gate was 500 nm and 440 nm long and was written using e-beam directly on semiconductor wafer. Then gate metal was evaporated and lifted off. The isolation was obtained by mesa etching in pure chlorine plasma. Ohmic contact consisted of a Ti/Al/Ni/Au sandwich. Finally Si3N4 passivation was made to protect exposed channel surface. Transistors operate in S and X band, showing 16 and 10 dB MSG/MAG gain respectively. For the best layout design transistors exhibited frequency fT=30 GHz, frequency fMAX = 30 GHz, and exhibited UPG=1 (unilateral power gain) for frequency 30 GHz. The yield was 70%, what corresponds to about 3000 good devices form one 2” wafer. Development of monolithic microwave integrated circuit (MMIC). We developed transistor switch of SPDT (Single Pole Double Throw) type which is used in transceivers. The circuit consists of four HEMT devices having gate width of 150 μm, gate length of 440 nm and drain source distance of 3 μm. In the 0-4 GHz bandwidth insertion loss is less than 2 dB and isolation is better than 23 dB. It was demonstrated that increase of the gate width of transistors will improve insertion loss value to the level of 1 dB.

7

Zastosowanie robota do telediagnostyki medycznej z perspektywy projektu ReMeDi

41%

Arent K. , Szczęśniak-Stańczyk D. , Stańczyk B. , Cholewiński M. , Chojnacki Ł. , Domski W. , Drwięga M. , Jakubiak J. , Janiak M. , Kreczmer B. , Kurnicki A.

|

tom z. 195, t. 1

187--198

PL

W artykule przedstawiono koncepcję robota do telediagnostyki medycznej. Obecnie robot jest budowany w ramach projektu ReMeDi. Na początek zarysowano wybrane wyniki oceny koncepcji przez użytkownika oraz jego wymagań w odniesieniu do robota. Następnie, nakreślono podstawowe komponenty systemu robota i omówiono wybrane z nich. Konkretnie te, które są realizowane przez krajowych partnerów projektu. Dalej przedstawiono aktualną wersje zintegrowanego systemu, umożliwiającą realizację zdalnego wywiadu i badania usg. Całość domknięto wybranymi wynikami oceny komponentów systemu przez użytkowników.

EN

The article presents the idea of a robot for remote medical examination. Such a robot is under development within the EU FP7 ReMeDi project. We have outlined selected user's evaluation results of the robot idea together with his/her requirements regarding the robot. Then the basic system components are presented and some of them are discussed (those that are under development by Polish partners). Next we present the current version of the integrated system that allows for remove interview, observation and ultrasound examination. The document is completed by selected results of users evaluation of systems components.