Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Ograniczanie wyników
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
Mass production of SI GaAs single crystals based on an advanced LEC growth process has been established during the last decade of the last century. Two key issues had to be solved : Scaling up of the growth equipment and carbon control. The progress in modelling of thermal heat transfer (radiation, conduction and turbulent convection) due to high computer power and advanced codes has made it possible to optizme the equipment and the processes in rather short time and at lower costs.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.