PL
 |
EN
Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 30

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available remote Przemysłowa synteza ozonu w wyładowaniach elektrycznych
100%
Schmidt-Szałowski K.
Przemysł Chemiczny
|
2000
|
tom T. 79, nr 4
115-119
PL
Przedstawiono pokrótce obecny stan techniki oraz nowe rozwiązania technologiczne w dziedzinie wytwarzania i stosowania ozonu. Na podstawie mechanizmu syntezy ozonu w warunkach plazmy nierównowagowej omówiono wpływ podstawowych parametrów procesu na wydajność reakcji powstawania ozonu i sprawność energetyczną. Wymieniono niektóre nowe koncepcje dotyczące procesu wytwarzania ozonu oraz budowy reaktorów. Przedyskutowano niektóre wyniki badań modelowych procesu syntezy ozonu w wyładowaniu cichym oraz w wyładowaniu jednorodnym (APG).
2
Content available remote Podstawy technologii chemicznej w programie kształcenia inżynierów chemików
100%
Schmidt-Szałowski K.
Chemik
|
2006
|
tom Vol. 59, nr 3
194-200
PL
Tezy wykładu dotyczą wykładu podstaw technologii chemicznej, przeznaczonego dla studentów wydziałów chemicznych uczelni technicznych. Na tle ogólnej ewolucji studiów inżynierskich powraca od dawna dyskutowany problem kształcenia inżynierów chemików o profilu technologicznym. Przyjmuje się, że współczesny wykład technologii chemicznej główną uwagę powinien poświęcać podstawowym metodom organizacji procesów technologicznych, uwzględniając zagadnienia techniczne, ekonomiczne, ekologiczne i in., istotne dla przemysłu chemicznego. Treść wykładu powinna obejmować trzy podstawowe poziomy organizacji: 1) organizację procesu zachodzącego w pojedynczym aparacie, 2) organizację typowych układów technologicznych (instalacji produkcyjnych) oraz 3) organizację całego przedsiębiorstwa (lub jego wyodrębnionej części – zakładu, oddziału). Referat nawiązuje do znanej opinii Józefa Zawadzkiego, że w nauczaniu technologii chemicznej ważna jest nie tylko odpowiedź na pytanie „jak?”, ale przede wszystkim „dlaczego?” W takim ujęciu wykładu, szczególne znaczenie ma jego część wstępna, której poświęcono najwięcej uwagi. W tej części omawia się wielkości opisujące przebieg i dynamikę procesu chemicznego oraz przykładowe charakterystyki termodynamiczne i kinetyczne typowych układów reagujących, jednak główną jej treść stanowi wyjaśnienie podstawowych zasad organizacji procesów w pojedynczych aparatach (reaktorach i in.) i w układach technologicznych. W tej części wykładu stosuje się uproszczone modele aparatów i schematów technologicznych. Pozostałą (większą) część wykładu wypełniają przykłady organizacji procesów technologicznych, zaczerpnięte z różnych gałęzi przemysłu chemicznego i dziedzin pokrewnych. Służą one do pogłębienia dyskusji nad zasadami organizowania procesów chemicznych w praktyce przemysłowej. Na zakończenie zwrócono uwagę na wpływ, jaki ma sposób prowadzenia egzaminu z podstaw technologii chemicznej, na opanowanie i zrozumienie przez słuchaczy złożonych problemów dotyczących organizacji procesów w przemyśle chemicznym.
EN
Remarks presented in the paper concern the lectures on fundamentals of chemical technology in the curricula of chemistry students in technical universities. It is commonly accepted now that the chemical technology comprises a large group of industrial processes for manufacturing materials of the definite composition, by means of chemical or physical transformations, often accompanied by changes in the energy content of the material. To this group belong not only processes usually applied in the chemical industry but also those occurring in other branches such as metallurgy, fuel industry, etc. The general feature common for those different branches lies in the principal methods being developed for organizing the processes in production units. It seems reasonable, therefore, to state that the essence of the contemporary chemical technology consists in the knowledge of the organization of technological processes, being the area of a number of technical, economic, ecological and other problems. Three kinds of tasks may be distinguished here: 1) to organize a process in a single apparatus (e.g. reactor), 2) to organize a production unit (plant) composed of a number of apparatus, 3) to organize the industrial company (or company’s department) having an established program of activity and composed of a number of plants. The elucidation of the main methods of the chemical processes organization is one of the principal tasks of the lectures on fundamentals of chemical technology. Of particular importance is, however, the introductory section including definitions of the quantities being used for describing chemical processes, the examples of thermodynamic and kinetic characteristics of typical processes, as well as the basic principles useful for organizing the processes both in a single apparatus and in a complex production unit. In this part of the lecture, use is made of simplified models of apparatus and of generally outlined technological systems. That introduction will prepare students to the larger part of the lecture where the selected examples of processes chosen from various branches of the chemical industry (and related domains), are presented and discussed. As has been formulated by J. Zawadzki, the main question to be answered there is not only “how” but first of all “why”. On the other hand, the attention should be drown to the form of examination which should test the students’ understanding of the principal methods developed in the modern chemical industry.
3
Kinetic model of ozone synthesis in silent discharges
63%
Petryk J. , Schmidt-Szałowski K.
Polish Journal of Applied Chemistry
|
1998
|
tom Vol. 42, nr 2
105-112
EN
A simplified kinetic model of ozone synthesis in a silent discharge is presented. The influence of the discharge gap width on the ozone concentration and the energetic efficiency achieved has been calculated for this model. From the calculations it appears that, in agreement with the results of experiments and industrial practice, better results are obtained in an ozonizer with a smaller gap. This is an effect only of higher heat transfer rate resulting in a lower temperature in the discharge gap.
4
Content available remote Skojarzone procesy plazmowo-katalityczne jako metoda przetwarzania metanu
51%
Schmidt-Szałowski K. , Górska A. , Młotek M.
Przemysł Chemiczny
|
2006
|
tom T. 85, nr 8-9
754-757
PL
Omówiono stan prac nad zastosowaniem skojarzonych układów plazmowo-katalitycznych w procesach przetwarzania metanu. Badania eksperymentalne dotyczyły przetwarzania metanu w węglowodory C2 w plazmie nierównowagowej, wytwarzanej pod ciśnieniem atmosferycznym w wyładowaniach ślizgowych (GD) oraz barierowych (DBD), w mieszaninach metanu z Ar lub H2. Głównym produktem reakcji w warunkach GD był acetylen, a w DBD etan. Do badań w warunkach wyładowań GD opracowano reaktor, w którym zastosowano ruchome złoże z ziarnistego materiału ceramicznego (tlenek glinu), które znajdowało się w obszarze wyładowania. Obecność wypełnienia spowodowała wzrost napięcia międzyelektrodowego przy obniżeniu natężenia prądu, wzrost selektywności syntezy acetylenu oraz ograniczenie ilości powstającej sadzy. Prowadząc proces przetwarzania metanu w wyładowaniu DBD stwierdzono wzrost selektywności syntezy etanu w obecności katalizatora przemysłowego (Cu/Zn/Al2O3).
EN
A review with 34 refs. covering non-equil. plasmas generated at 1 atm. by gliding discharges (GD) and dielec. barrier discharges (DBD) used to convert CH4 into C2H2 and C2H6 (increased selectivity of a com. Cu/Zn/Al2O3 catalyst), resp., and a new GD reactor with a spouted Al2O3 bed developed to raise the voltage and decrease the current, to increase the selectivity toward C2H2 and to suppress the formation of soot.
5
Macrokinetics of the oxygen-ozone system under conditions of silent discharge
51%
Jodzis S. , Petryk J. , Schmidt-Szałowski K.
Polish Journal of Applied Chemistry
|
1998
|
tom Vol. 42, nr 2
95-104
EN
The effect of essential parameters (active power consumption and temperature of electrodes) on the process of ozone synthesis was studied in temperature range 1- 50' C. A catalytic effect of granular dielectric packing, placed in the discharge gap, on the process efficiency was observed. High concentrations of ozone were obtained in presence of dielectric packing when the discharge (glass) electrodes were cooled down to 1st.C.
6
Processing of Methane in Dielectric-Barrier Discharge
51%
Schmidt-Szałowski K. , Sentek J. , Krawczyk K. , Radomyska K.
|
2003
|
tom Vol. 77 / nr 10
1351-1355
7
Carbon Black Generation in Gliding Discharges
51%
Opalińska T. , Zieliński T. , Schmidt-Szałowski K.
|
2003
|
tom Vol. 77 / nr 10
1357-1361
8
The macrostructure and transformations of cobalt oxide catalyst for ammonia oxidation
51%
Schmidt-Szałowski K. , Krawczyk K. , Petryk J.
Polish Journal of Applied Chemistry
|
1999
|
tom Vol. 43, nr 1-2
29-45
EN
Cobalt catalysts may be used in the future for ammonia oxidation to NO instead of platinum gauze. A new catalyst of high and stable activity and selectivity has been obtained from Co(3)On. On this catalyst much less nitrous oxide is produced than on platinum gauze. The effect of heat treatment of the catalyst's granules, made of CO(3)O(4) with organic binder, on their final composition and macrostructure has been studied (within 1000-l250°C). It has been found that the macrostructure of the catalyst has an essential effect on its activity and selectivity. The conversion of Co(3)O(4) into the inactive oxide CoO, proceeding in the reacting gas mixture of low ammonia conversion, is the main cause of the cobalt catalyst deactivation which is, however, reversible.
9
Content available remote Deposition of thin films based on silica on polycarbonates by pulsed dielectric barier discharge
51%
Opalińska T. , Ulejczyk B. , Karpiński L. , Schmidt-Szałowski K.
Polimery
|
2004
|
tom T. 49, nr 4
257-263
PL
Wymienioną w tytule cienką warstwę osadzano z mieszaniny gazowej helu, tlenu i tetraetoksysilanu (TEOS) (tabela 1) w aparaturze przedstawionej schematycznie na rys. 1-3. Proces prowadzono pod ciśnieniem atmosferycznym bez podgrzewania podłoża poliwęglanowego (PC) w postaci płytek. Zbadano wpływ parametrów procesu, mianowicie sposobu ułożenia płytek PC w reaktorze (rys. 7, 9 i 10), składu gazu plazmotwórczego (rys. 8) oraz natężenia prądu w pojedynczym impulsie wyładowania na szybkość osadzania. Szybkość ta rosła od 3,4 do 40,8 nm/min wraz ze wzrostem natężenia prądu w pojedynczym impulsie od 50 do 100 A. Stwierdzono, że w procesie tworzenia cienkiej warstwy konieczna jest obecność tlenu w gazach plazmotwórczych, przy czym nadmiar tlenu powoduje zmniejszenie szybkości osadzania z 14,9 do 6,0 nm/min gdy stężenie tlenu wzrasta od 5 do 20 % obj. (tabela 2). Budowę chemiczną oraz morfologię osadzonych warstw scharakteryzowano metodami FT-IR (rys. 4), AFM (mikroskopia siła atomowych, rys. 5) oraz SEM (rys. 6). Cienka warstwa składała się z następujących pierwiastków: Si, C, O oraz H i charakteryzowała się gładkością, a także przezroczystością.
EN
The process of thin organo-silica film deposition on polycarbonate in pulsed dielectric barrier discharge was studied. Thin film was deposited from the gas mixture comprising helium, oxygen and tetraethoxysilane under atmospheric pressure without pre-heating of polycarbonate plate. Influences of process parameters, namely the current of single pulse of discharge, PC plate arrangement and position, and plasma-generating gas composition on the deposition rate were investigated. Deposition rate increased from 3.4 to 40.8 nm/min when the current of single pulse increased from 50 to 100 A. The presence of oxygen in plasma-generating gas was necessary to thin organosilicon film forming, but the excess of O2 concentration caused decreasing of film deposition rate, for example: deposition rate was 14.9 or 6.0 nm/min when concentration of O2 was changed from 5 to 20 % by vol. In the films, the following elementaly composition (Si, C, O, H) and morphology of deposited films were characterized.
10
Plasma-Catalytic System for Methane Conversion in Gliding Discharges
51%
Schmidt-Szałowski K. , Krawczyk K. , Sentek J. , Młotek M.
|
|
tom Vol. 81, nr 12
2215-2220
11
Content available remote Organo-silicon coating deposition on polyethylene films by pulsed dielectric-barrier discharges
51%
Sentek J. , Rżanek-Boroch Z. , Brykała M. , Schmidt-Szałowski K.
|
|
tom T. 55, nr 2
127-134
PL
Badano plazmowy proces osadzania na powierzchni folii polietylenowej (PE) cienkich powłok uszczelniających złożonych ze związków krzemu. Powłoki osadzano pod ciśnieniem atmosferycznym w impulsowym wyładowaniu barierowym (PDBD) o częstotliwości 400Hz, w plazmie helowej lub helowo-tlenowej, używając jako substratu tetraetoksysilanu (TEOS). Zastosowany do osadzania powłok laboratoryjny reaktor (rys. 1), składał się z cylindrycznej obrotowej elektrody (na której umieszczano folię) oraz szklanego korpusu z umieszczoną elektrodą wysokonapięciową, pokrywającą tylko niewielką część powierzchni ściany reaktora (przekrój B - B, rys. 1). Dzięki ruchowi obrotowemu elektrody wewnętrznej, umieszczona na jej powierzchni folia przemieszcza się przez strefę wyładowania. Rzeczywisty czas przebywania folii w strefie wyładowania zależy od szerokości elektrody na zewnętrznej ścianie reaktora. Próbki wyjściowej folii oraz próbki folii z osadzonymi w różnych warunkach procesowych powłokami poddawano badaniom za pomocą mikroskopii sił atomowych (AFM) (rys. 6 i 7), skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM) (rys. 2 i rys. 5), rentgenowskiego spektroskopu fotoelektronowego (XPS) (rys. 10 i 11) oraz badaniom określającym własności barierowe w odniesieniu do tlenu (rys. 8 i 9). Stwierdzono, że w warunkach PDBD zarówno działanie samej plazmy helowej (I) na folię, jak i osadzanie powłok z mieszanin: TEOS+He (II), TEOS+He+ 5% O2 (III), TEOS+He+10% O2 (IV) zmniejszają przenikalność tlenu przez folię. Badania składu powłok metodą XPS (rys. 10 i 11) pokazują, że w ich warstwach powierzchniowych znajduje się SiO2. Świadczy o tym stosunek atomowy tlenu do krzemu (O/Si?2). W głębszych warstwach powłoki stosunek tlenu do krzemu zbliża się do jedności.
EN
Organo-silicon coatings deposition from tetraethoxysilane (TEOS) was conducted in pulsed dielectric barrier discharge (PDBD) for packaging polyethylene (PE) films tightening. A laboratory reactor was tested provided with a rotating cylindrical internal electrode bearing the PE film and with a dielectric barrier in the form of a cylindrical glass body was tested. The oxygen permeability of the films was examined after plasma treatment with different gases: He (I), TEOS+He (II), TEOS+He+ 5% O2 (III), TEOS+He+10% O2 (IV). For the film surface topography observations, atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (SEM) were used. The coating composition was examined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) with argon ion sputtering for the determination of individual element contents across the coating. It was found that under PDBD conditions both the treatment in helium plasma and the coating deposition from different TEOS+carrier-gas mixtures reduced the oxygen permeability of PE films.
12
Content available remote Rozkład chlorowcopochodnych w wyładowaniu cichym
51%
Krawczyk K. , Ruszniak J. , Schmidt-Szałowski K.
Chemik
|
1998
|
tom Nr 5
133-135
13
Content available remote Protective coatings deposited on polycarbonates by pulsed dielectric barrier discharge
51%
Opalińska T. , Ulejczyk B. , Karpiński L. , Schmidt-Szałowski K.
Polish Journal of Chemical Technology
|
2002
|
tom Vol. 4, nr 4
30-34
EN
Organo-silicon layers were deposited on polycarbonates (PC) substrates from the gas phase by using pulsed dielectric barrier discharge. Very short (~ 20 ns) pulses of high power discharge (-0.4 MW) were applied. The process was carried out under atmospheric pressure in a helium-oxygen plasma. Tetraethoxysilane (TEOS) vapours were used as a source of silicon. The surface morphology, composition and thickness of the layers were studied by means of AFM/TM, FTIR and SEM. The organo-silicon layers were found to be transparent, smooth and uniform over the whole substrate surface. The amplitude of the deviations from surface uniformity did not exceed 30 nm. The thickness of the deposited layers was of the order of ~2 |j.m.
14
Content available remote Plasma methane conversion using gliding arc discharges
51%
Ruszniak J. , Krawczyk K. , Sentek J. , Schmidt-Szałowski K.
|
|
tom Vol. 5, nr 3
15-16
EN
The methane transformation into C2 hydrocarbons was studied under plasma conditions using a new developed laboratory gliding arc (Glid-Arc) reactor operated at the frequency of 50 Hz. The methane processing was carried out in gas mixtures CH4+H2 and acetylene was found to be the main product with a small amount of ethylene. The overall methane conversion ranging from 25 to 36% was obtained and the selectivity of methane conversion to acetylene was generally high.
15
Content available remote Przetwarzanie metanu w wyładowaniach barierowych z wypełnieniem w szczelinie wyładowczej
51%
Sentek J. , Krawczyk K. , Radomyska K. , Schmidt-Szałowski K.
Przemysł Chemiczny
|
2004
|
tom T. 83, nr 7
340-344
PL
W warunkach wyładowań barierowych (cichych) badano wpływ wybranych materiałów (szkła kwarcowego, ceramiki z tytanianu baru, żelu krzemionkowego oraz żelu krzemionkowego z naniesionym żelazem (Fe/SiO2) na przebieg reakcji konwersji metanu w temperaturze otoczenia i w 300°C w mieszaninach CH4+ArorazCH4+CO2+Ar, przy częstotliwości napięcia 50 Hz. Obecność ziarna ze szkła kwarcowego i żelu krzemionkowego powodowała wzrost szybkości reakcji metanu, natomiast w obecności pozostałych materiałów szybkość reakcji była mniejsza niż bez wypełnienia. Obecność Fe/SiO2 powodowała wzrost zawartości węglowodorów nienasyconych w produktach reakcji.
EN
Methane reactions were examd, in CH4 + Ar and CH4 + CO2 + Ar mixts. at ambient temp. and 300°C in barrier discharges (50 Hz) in relation to discharge gap packing material 1-2 mm type: (l) quartz glass, (II) Ba titanate condenser-grade ceramics, (III) broad-pore silica gel, and (IV) Fe (3%)/SiO2 with l and III, the reactions were f aster by 40-50% and, with II and IV, slower than the reaction run in the unpacked reactor. With IV, more unsatd. C2's were formed. Discharge conditions were practically unaffected by the packing materials (except for IV).
16
Content available remote Osadzanie cienkich powłok na folii polietylenowej w warunkach impulsowych wyładowań barierowych (PDBD)
51%
Sentek J. , Kuś M. , Schmidt-Szałowski K.
Przemysł Chemiczny
|
2006
|
tom T. 85, nr 4
258-265
PL
Opracowano laboratoryjny reaktor do badania procesu osadzania cienkich powłok ochronnych na foliach z tworzyw sztucznych w warunkach impulsowych wyładowań barierowych PDBD (pulsed dielectric barrier discharges). Powłoki osadzano pod ciśnieniem atmosferycznym w wyładowaniu impulsowym o częstotliwości 300–600 Hz w plazmie argonowej lub argonowo–tlenowej, zawierającej 5% obj. O2, używając jako substratów tetrametoksysilanu (TMOS) i tetraetoksysilanu (TEOS). Próbki wyjściowej folii oraz próbki folii z osadzonymi powłokami w różnych warunkach procesowych, poddawano badaniom XPS, FTIR, badaniom przy użyciu mikroskopu sił atomowych (AFM) oraz badaniom określającym właściwości barierowe powłok w odniesieniu do tlenu. Stwierdzono, że w warunkach PDBD zarówno aktywacja (działanie samej plazmy argonowej), jak i osadzane powłoki, w których głównym składnikiem jest tlenek krzemu, zmniejszają przenikalność tlenu przez folię. Szybkość osadzania powłok w warunkach doświadczeń wynosiła 30 nm/min dla TMOS oraz 42 nm/min dla TEOS, w zależności od użytego prekursora warstwy.
EN
A lab. reactor was developed for thin coating deposition on packaging films at ambient pressure and temp. The O2-barrier properties of 19–20 µm PE films were enhanced with Si oxide coatings deposited, (i) 30 and (ii) 42 nm/min, from (i) tetraethoxy- (TMOS) and tetraethoxy-silane (TEOS) under PDBD in Ar or Ar-(5 or 10 vol%)O2 plasma generated at frequencies of 300, 400, 500 or 600 Hz. The original and the coated PE were examd, by XPS, FTIR and AFM. The max. redn. of O2 permeability showed the containing deposited from TMOS in Ar-5% O2 at 600 Hz (from 6 × 10-9 to 1.2 × 10-9 cm3 O2/cm2 x s x cm Hg). The coatings deposited in pure Ar from TEOS were superior to those from TMOS. The uncoated PE, preactivated 22 s in pure Ar at 600 Hz, permeated 40% less O2. The O/Si ratios detd. in top and in deeper layers of the coats were ≥ 2 and ≈ 1, resp.
17
Plasma reactor for the conversion of methane
51%
Młotek M. , Sentek J. , Krawczyk K. , Schmidt-Szałowski K.
Polish Journal of Applied Chemistry
|
2005
|
tom Vol. 49, nr 1-2
71-77
EN
A gliding-discharge plasma reactor with a spouted bed of granular materials was developed for the study of the methane conversion into C2 hydrocarbons. It was found that the presence of ceramic grains moving across the discharge zone increased the methane conversion into acetylene and decreased the unit energy consumption.
18
Reactions of methane in dielectric-barrier discharges
51%
Górska A. , Sentek J. , Krawczyk K. , Schmidt-Szałowski K.
Polish Journal of Applied Chemistry
|
2005
|
tom Vol. 49, nr 1-2
91-100
EN
The reactions of methane under the conditions of barrier discharges were studied in the mixtures: 1) 50% CH4+ 50% Ar, 2) 50%CH4+ 25%CO2+ 25% Ar, and 3) 50%CH4+ 50%CO2, under atmospheric pressure at about 50°C and about 300°C. Besides hydrogen, ethane was the main gaseous product of the reaction, with small additions of ethylene and acetylene. An increase of the overall methane conversion and conversion into C2 hydrocarbons was observed in cases where grains of quartz glass was packed in the discharge gap.
19
Reactions of methane in non-equilibrium plasmas under different process parameter
51%
Schmidt-Szałowski K. , Opalińska T. , Sentek J.
Polish Journal of Applied Chemistry
|
2005
|
tom Vol. 49, nr 1-2
79-89
EN
The methane conversion into C2 hydrocarbons, carbon black, and hydrogen has been studied under non-equilibrium plasma conditions, using dielectric barrier discharges (DBD) and gliding discharges (GD) at low and medium temperatures at atmospheric pressure. It has been found that ethane is the main product of the filamentary DBD action in the mixtures CH4+Ar and the reaction rate depends mainly on the concentration of high-energy components being able to initiate the chemical transformations of methane. Using GD, two processes are observed: the methane conversion into unsaturated hydrocarbons C2 (mainly acetylene) and into carbon black. The energy density of GD and the methane concentration in initial gas mixtures (CH4+H2 and CH4+Ar) are the main parameters influencing the methane conversion rate and the unit energy consumption.
20
Content available remote Cienkie powłoki z tetrametoksilanu (TMOS) osadzane metodą PE-CVD i ich zastosowanie
51%
Rżanek-Boroch Z. , Schmidt-Szałowski K. , Szymańska A. , Afek T.
|
|
tom T. 82, nr 8-9
956-958
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.