Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Mikroelektroniczne i optoelektroniczne przyrządy sensorowe z warstwami diamentowymi i diamentopodobnymi

100%

Śmietana M. , Werbowy A. , Szmidt J.

|

tom Vol. 49, nr 9

126-130

PL

Praca przedstawia badania nad możliwością dostosowania technologii wytwarzania czujnikowych struktur mikroelektronicznych i optoelektronicznych do specyficznych wymagań narzucanych przez procesy osadzania warstw diamentowych i diamentopodobnych. Opracowano i zrealizowano złożone procesy technologiczne przygotowania podłoży, a także osadzania i trawienia warstw węglowych, co dało możliwość wytworzenia czujnikowych struktur światłowodowych oraz tranzystorów FET z otwartą bramką. Dowiedziono, iż w przypadku czujników światłowodowych warstwy diamentopodobne mogą wielokrotnie zwiększać czułość wytworzonych przyrządów na zmiany koncentracji związków chemicznych w roztworach wodnych.

EN

Work presents researches on adaptation of microelectronic and optoelectronic sensing structures technology to specific requirements imposed by deposition processes of diamond and diamond-like carbon films. There were developed complex technological processes of substrates preparation, as well as deposition and processing of carbon films, in order to fabricate fibre optic sensing structures (e.g. long-period gratings) and also microelectronic open-gate field effect transistors. It was proven that in case of fibre optic sensors diamond-like carbon film overlay can multiple their sensitivity to variations of concentration of chemical compounds in water solutions.

2

Modifying electrophysical properties of Si-cBN interface by introduction of ultrathin dielectric layer

88%

Firek P. , Mroczyński R. , Szmidt J. , Beck R. B. , Werbowy A.

|

2006

|

tom R. 9, nr 56-57

27-29

EN

This study concerns modifications of Si-cBN interface (with and without dielectric underlayer), c-BN films produced on p-type <100> Si substrates by means of Radio Frequency (RF) CVD process. Silicon nitride and oxynitride were deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition technique and used as a dielectric underlayer. MIS devices were fabricated to allow electrical characterization. Moreover, the influence of underlayers on adhesion of c-BN to silicon substrate was examined.

3

Wytwarzanie, trawienie plazmowe i właściwości cienkich warstw BaTiO3 do zastosowań elektronicznych

75%

Firek P. , Werbowy A. , Kwietniewski N. , Szmidt J. , Olszyna A. , Ćwil M.

|

tom Vol. 49, nr 9

62-68

PL

Warstwy tytanianu baru o grubości rzędu 100 nm wytworzone zostały na podłożach krzemowych (Si (100) typ n, p = 1 - 20 Ω cm) technikami ablacji targetu BaTiO3 + La2O3 (2% wt.) w plazmie impulsowej oraz rozpylania w plazmie o częstotliwości radiowej (13,56 MHz). Powłoki zostały scharakteryzowane metodami badania ciała stałego, takimi jak: skaningowa mikroskopia elektronowa (SEM), mikroskopia sił atomowych (AFM) oraz spektroskopia mas jonów wtórnych (SIMS), co umożliwiło określenie morfologii powierzchni oraz składu wytworzonego materiału [6]. W celu scharakteryzowania wybranych własności elektrofizycznych osadzonych warstw wytworzone zostały struktury MIS (metal-insulator-semiconductor). Na podstawie pomiarów ich wysokoczęstotliwościowych charakterystyk pojemnościowo-napięciowych (C-V) dla różnych częstotliwości oraz charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) wyznaczono wartości przenikalności dielektrycznej (maks. 25), rezystywności (maks. 5⋅1013 Ωcm) i wytrzymałości elektrycznej (maks. 4 MVcm-1 ) warstw oraz określono mechanizmy transportu ładunku elektrycznego przez materiał. Przeprowadzone zostały również procesy selektywnego trawienia badanych warstw w plazmie o częstotliwości radiowej (RF) przy różnych wartościach mocy RF oraz różnym składzie mieszaniny trawiącej (Ar + CF4). Największą szybkość procesu (30 nm/min) obserwowano dla maksymalnej dostępnej mocy (300 W) i przy użyciu czystej atmosfery Ar.

EN

Thin (100 nm) nanocrystalline dielectric films of lanthanum doped barium titanate were deposited on Si substrates by means of reactive pulse plasma (IPD) ablation of BaTiO3 + La2O3 (2 wt.%) target. Scanning electron microscopy and atomic force microscopy showed that the obtained layers were dense ceramics of uniform thickness with average roughness Ra = 2.045 nm and the average grain size of the order of 15 nm. Measurements of current-voltage (I-V) characteristics of metal-insulator-semiconductor (MIS) structures, produced by evaporation of metal (Al) electrodes on top of barium titanate films, allowed to determine the current transport mechanisms and leakage current densities (10-12 to 10-6 Acm-2) flowing through investigated layers as well as their dielectric strength, i.e. critical electric field intensity (EBR) which ranged from 0.2 up to even 4 MVcm-1. Capacitance-voltage (C-V) measurements of the same structures were performed in accumulation state showing that the dielectric constant value (εri) of films in best cases is close to 25. BaTiO3 nanocrystalline thin films were also selective plasma etched in the course of several experiments which varied in RF power as well as CF4/(CF4 + Ar) gas-mixing ratio. The maximum etch rate of approximately 30 nm/min was observed for the maximum power (300 W) and pure Ar plasma atmosphere.