Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Thermal conductivity of silicon doped by phosphorus: ab initio study

100%

Andriyevsky B. , Janke W. , Stadnyk V. Y. , Romanyuk M. O.

Materials Science Poland

2017

tom Vol. 35, No. 4

717--724

An original approach to the theoretical calculations of the heat conductivity of crystals based on the first principles molecular dynamics has been proposed. The proposed approach exploits the kinetic theory of phonon heat conductivity and permits calculating several material properties at certain temperature: specific heat, elastic constant, acoustic velocity, mean phonon scattering time and coefficient of thermal conductivity. The method has been applied to silicon and phosphorus doped silicon crystals and the obtained results have been found to be in satisfactory agreement with corresponding experimental data. The proposed computation technique may be applied to the calculations of heat conductivity of pure and doped semiconductors and isolators.

Estimation of phonon relaxation time for silicon by means of using the velocity autocorrelation function of atoms in molecular dynamics

75%

Andriyevsky B. , Maliński M. , Buryło Ł. , Stadnyk V. Y. , Romanyuk M. O. , Piekarski J. , Andriyevska L.

nr 3

Ab initio molecular dynamics calculations of heat conductivity for silicon related materials

75%

Andriyevsky B. , Janke W. , Patryn A. , Maliński M. , Stadnyk V. , Romanyuk M.

tom R. 93, nr 8

61--63

Results of the ab initio molecular dynamics for pure silicon and phosphorus doped silicon crystals have been presented. The relation between the phonon lifetime and the root mean square deviation  of atoms based on the condition of the interferometric minimum has been proposed. The relation approximates adequately the temperature dependence of the heat conductivity of pure silicon. However, that relation has not reproduced properly the reference experimental magnitude of the phonon conductivity coefficient of silicon for the phosphorus content nP = 51020 cm-3. This result indicates that the additional kind of the phonon scattering on the local phosphorus stimulated defects should be taken into consideration.

Przedstawiono wyniki obliczeń z pierwszych zasad dynamiki molekularnej niedomieszkowanych i domieszkowanych fosforem kryształów krzemu i zaproponowano wzór relacji między czasem życia fononów i odchyleniem standardowym atomów , bazujący na interferencyjnym warunku minimum fal fononowych. Zaproponowany wzór adekwatnie opisuje temperaturową zależność współczynnika przewodnictwa cieplnego niedomieszkowanego krzemu. Jednak zaproponowany wzór nie odtwarza zadowalająco referencyjnej doświadczalnej wartości przewodności cieplnej krzemu dla koncentracji fosforu nP = 51020 cm-3. Ten wynik wskazuje na to, że dla adekwatnego odtwarzania wartości doświadczalnych należy uwzględnić dodatkowy kanał rozpraszania fononów, związany z lokalnymi około fosforowymi defektami.