Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Otrzymywanie i właściwości cienkich warstw a-SiC:H nanoszonych w procesie RP-CVD z tetrametylodisilaetylenu

100%

Walkiewicz-Pietrzykowska A. , Wróbel A. M.

|

tom Vol. 31, nr 4

1277-1279

PL

Amorficzne, uwodornione, cienkie, warstwy (a-SiC:H) były wytwarzane z 1,1,4,4-t Tetrametylodisilaetylenu (TMDSE) w selektywnym procesie plazmowym CVD (RP-CVD, remote plasma chemical vapor deposition), stosując wodor do generowania plazmy mikrofalowej (2,45 GHz). Warstwy nanoszone były przy rożnej temperaturze podłoża (TS = 30÷400°C), na polerowane płytki krystalicznego krzemu użyte jako podłoża modelowe Przedstawiono rezultaty badań nad wpływem temperatury podłoża na strukturę chemiczną oraz właściwości fizyczne, fizykochemiczne i mechaniczne otrzymanych cienkich warstwy węglika krzemu.

EN

Amorphous silicon carbide thin films were produced from 1,1,4,4- tetramethyldisilethylene in remote plasma chemical vapor deposition process using hydrogen for microwave plasma generation (2.45 GHz. The films were deposited on the polished crystalline silicon wafers used as a model substrates. In this work the effect of silicon base temperature on chemical structure, physical, physicochemical and mechanical properties of obtained thin films of silicon carbide has been presented.

2

Właściwości ciennkich warstw węgloazotka krzemu wytwarzanych w selektywnym procesie plazmowym CVD

80%

Wróbel A. M. , Błaszczyk-Łężak I. , Walkiewicz-Pietrzykowska A.

Inżynieria Materiałowa

|

2006

|

tom Vol. 27, nr 5

1275-1277

PL

Cienkie warstwy węgloazotka krzemu były wytwarzane z nowego unikatowego prekursora krzemoorganicznego, l,3-bis(dimetylosililo)-2,2,4,4-tetrametylocyklodisilazanu, w selektywnym procesie plazmowym CVD, w którym do generowania plazmy stosowano wodór. Warstwy były nanoszone na polerowane płytki krystalicznego krzemu użyte jako podłoża modelowe. Przedstawiono rezultaty badań nad wpływem temperatury podłoża na strukturę chemiczną, morfologię powierzchni, właściwości fizyczne i mechaniczne (gęstość, adhezja, twardość, moduł sprężystości, współczynnik tarcia) nanoszonych warstw.

EN

Silicon carbonitride thin films were produced from l,3-bis(dimethylsilyl)-2,2,4,4-tetramethylcyclodisilazane in remote plasma chemical vapor deposition process using hydrogen for plasma generation. The films were deposited on the polished crystalline silicon wafers used as the model substrates. The effect of substrate temperature on the chemical structure, surface morphology, physical and mechanical properties (density, adhesion, hardness, elastic modulus, friction coefficient) of the deposited films is reported.

3

Si-based protective coatings on Si and steel substrates

61%

Wendler B. , Jachowicz M. , Kaczmarek Ł. , Rylski A. , Bieliński D. , Wróbel A. M. , Jakubowski K.

Inżynieria Materiałowa

|

2004

|

tom R. XXV, nr 3

673-675

EN

Three different refractory coatings: Si.48C.52, Si.44C.31N.25 and Si.52N.48 have been deposited by means of reactive magnetron sputtering at a temperature as low as 373 K. 2 žm thick amorphous deposits have been obtained by means of reactive magnetron sputtering on the surface of commercial austenitic and ferritic steels and polished Si wafers. After deposition the chemical composition and the state of chemical bonding, the structure, morphology and protective properties of the coatings have been investigated by means of EDS and IR spectrometry, SEM, AFM, potentiodynamic response in 1 N H2SO4 environment at ambient temperature, resistance to chemical corrosion in most aggressive chemical environments (HCl, HNO3, HF and KOH up to the temperature as high as 350 K) as well as by means of a thermogravimetric analysis of the resistance to high-temperature oxidation. The protective properties of the coatings against the chemical corrosion and the electrochemical one as well as to oxidation at the temperature 1173 K are of particular interest.

PL

Trzy różne powłoki: Si.48C.52, Si.44C.31N.25 i Si.52N.48 zostały osadzone metodą reaktywnego rozpylania magnetronowego przy niskiej temperaturze około 370 K. Amorficzne powłoki o grubości 2 žm zostały osadzone na podłożach z typowej stali austenitycznej AISI 304 oraz ferrytycznej AISI 430, a także polerowanych waferach krzemowych. Po osadzeniu zbadano skład chemiczny i fazowy powłok, strukturę, morfologię i ich właściwości ochronne wykorzystując spektrometrię EDS i IR, SEM, AFM, oraz zestaw do badań odporności korozyjnej w środowisku 1 N H2SO4 w temperaturze otoczenia. Zbadano także odporność na korozję chemiczną w najbardziej agresywnych substancjach chemicznych tj. HCl, HNO3, HF i KOH aż do temperatury 350 K jak również odporność na korozję gazową w atmosferze tlenowej metodą mikrotermograwimetryczną. Ochronne właściwości powłok przed korozją chemiczną, elektrochemiczną i gazową (ta ostatnia aż do temperatury 1173 K) są szczególnie godne uwagi.