Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Embedded system for supply voltage converter of organic lightemitting diode with extended functionality

100%

Barylo G. , Boyko O. , Helzhynskyy I. , Holyaka R. , Khilchuk M. , Marusenkova T.

Przegląd Elektrotechniczny

2021

tom R. 97, nr 12

68--72

The work is dealing with the problem of developing an embedded system for supply voltage converter of Organic Light-Emitting Diode (OLED) with advanced functionality, namely - with an embedded ability to measure the Volt-Ampere (V – A) characteristics of structures directly during their operation. The measurement of the V – A characteristics of OLED structures is performed on the transient processes of voltage generation in the drivers boost circuits. Model researches show the operating conditions of the boost OLED power driver with in-situ measurement of its V – A characteristics. In accordance with the results of model researches and requirements for the implementation of modern electronics devices, an embedded system of voltage converter for OLED structure has been developed. The basis of the developed converter is a programmable system on chip PSoC of 5LP Family Cypress Semiconductor Corporation.

Praca dotyczy problemu opracowania wbudowanego systemu przetwornika napięcia zasilania organicznej diody elektroluminescencyjnej (OLED) z zaawansowaną funkcjonalnością, mianowicie - z wbudowaną możliwością bezpośredniego pomiaru charakterystyk woltoamperowych (W – A) struktur. podczas ich eksploatacji. Pomiar charakterystyki W – A struktur OLED wykonywany jest na przejściowych procesach generowania napięcia w obwodach doładowania sterowników. Badania modelowe pokazują warunki pracy zasilacza boost OLED z pomiarem in-situ jego charakterystyk W – A. Zgodnie z wynikami badań modelowych oraz wymaganiami dla implementacji nowoczesnych urządzeń elektronicznych, opracowano wbudowany system przetwornika napięcia dla struktury OLED. Podstawą opracowanego konwertera jest układ programowalny na chipie rodziny PSoC 5LP Cypress Semiconductor Corporation.

Root surface temperature measurement during root canal obturation

100%

Hotra L. , Boyko O. , Helzhynskyy I. , Barylo H. , Skoropad P. , Ivanyshyn A. , Basalkevych O.

Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

2024

tom T. 14, nr 1

95--98

Prolonged exposure to elevated temperatures exceeding 47°C, which can occur during root canal obturation, can cause damage of both dental and bone tissues. In order to study the temperature distribution on the surface of the tooth root a temperature measuring device with cold-junction compensation is proposed. For in vitro measurement of the temperature distribution on the surface of the tooth, 8 thermocouples placed in direct contact with the cementum of the tooth were used. In order to eliminate the cold-junction temperature variations, the temperature equilibration device and RTD were used. The suggested linear approximation for the thermocouples' conversion function provides a nonlinearity relative error of less than 0.05% for K-type thermocouples and 0.07% for J-type thermocouples over the temperature range from 20 to 60°C.

Długotrwała ekspozycja na podwyższone temperatury przekraczające 47°C, które mogą wystąpić podczas wypełniania kanałów korzeniowych, może spowodować uszkodzenie zarówno tkanek zęba, jak i kości. W celu zbadania rozkładu temperatury na powierzchni korzenia zęba zaproponowano urządzenie do pomiaru temperatury z kompensacją zimnego złącza. Do pomiaru in vitro rozkładu temperatury na powierzchni zęba wykorzystano 8 termopar umieszczonych w bezpośrednim kontakcie z cementem zęba. W celu wyeliminowania wahania temperatury zimnego złącza zastosowano urządzenie do wyrównania temperatur oraz czujnik rezystancyjny RTD. Proponowana aproksymacja liniowa funkcji przetwarzania termopary zapewnia względny błąd nieliniowości mniejszy niż 0,05% dla termopar typu K i 0,07% dla termopar typu J w zakresie temperatur od 20 do 60°C.