Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Wpisane w DNA : prawidłowa i racjonalna gospodarka złożem a ochrona środowiska

100%

Krzemiński P.

Surowce i Maszyny Budowlane

|

2019

|

tom nr 4

30--31

PL

Obecnie wiele mówi się o ochronie środowiska, zrównoważonym rozwoju, szczególnie jeśli dotyczy to działalności firm przemysłowych czy wydobywczych. Takie działania powinny być na stałe wpisane w DNA przedsiębiorstw, które korzystają z dobrodziejstw natury. W przypadku działalności wydobywczej jest to szczególnie istotne. Jak więc w praktyce podejść do racjonalnego gospodarowania złożem, aby jak najmniej oddziaływać na środowisko?

2

Szkolenia ВНР : o których pamiętać musi przedsiębiorca górniczy

100%

Krzemiński P.

Surowce i Maszyny Budowlane

|

2019

|

tom nr 2

30--32

PL

Każdy nowo zatrudniony w kopalni pracownik powinien przejść szkolenia, które wymagane są przepisami polskiego prawa. Jednym z podstawowych aktów prawnych, regulujących tę kwestię jest Rozporządzenie Ministra Gospodarki i Pracy z dnia 27 lipca 2004 r. w sprawie szkolenia w dziedzinie bezpieczeństwa i higieny pracy. O jakich szkoleniach BHP powinien pamiętać każdy przedsiębiorca górniczy?

3

Wyznaczanie parametrów roboczych spłonek typu JED pobudzanych alternatywnymi metodami

38%

Faryński A. , Długołęcki A. , Klemba T. , Kwaśniak T. , Ziółkowski Z. , Krzemiński P.

Problemy Techniki Uzbrojenia

|

2019

|

tom R. 48, z. 150

31--43

PL

W artykule przedstawiono dwa układy pobudzania wysokonapięciowych spłonek elektroiskrowych (JED): transformatorowy i bezpośredni. Dla spłonek po 20–30–letnim okresie przechowywania wyznaczono progowe napięcia pobudzenia 2-3,5 kV (za pomocą układu transformatorowego) i wartości opóźnienia zadziałania (w obu układach), które wyniosły 1,7±0,05 µs. Pomiary prowadzono za pomocą układu i metod opracowanych w ITWL.

EN

The paper presents two systems for initiation of high voltage electric spark caps (JED) by a transformer or in a direct way. For the primers after 20-30 years of storing a threshold voltage of initiation was established at magnitude of 2-3.5 kV (for transformer system) as well as the delay values for 1,7±0,05 µs. The measurements were made by using the system and methods developed in the Air Force Institute of Technology (AFIT).

4

Optimization of MBE-grown GaSb buffer on GaAs substrates for infrared detectors

26%

Jarosz D. , Bobko E. , Trzyna-Sowa M. , Przeździecka E. , Stachowicz M. , Ruszała M. , Krzemiński P. , Juś A. , Maś K. , Wojnarowska-Nowak R. , Nowak O. , Gudyka D. , Tabor B. , Marchewka M.

Opto-Electronics Review

|

2024

|

tom Vol. 32, No. 4

art. no. e152620

EN

The aim of this work was to improve the quality of the GaSb buffer layers on GaAs substrates using the molecular beam epitaxy (MBE) technology. The high quality of the GaSb buffer layers is one of the most important elements enabling the synthesis of good quality of type- II superlattices (T2SL) structures for infrared applications. The main challenges in this regard are: compensation of the difference in lattice constants between GaAs and GaSb and obtaining the highest achievable surface quality of the final GaSb layer. In the literature, many authors describe different techniques to obtain the best quality of a GaSb buffer layer. In this work, we present the results of HRXRD, AFM, TOF-SIMS, SEM, and Nomarski optical microscope measurements obtained for 2 μm thick GaSb buffer layers. The GaSb layers are made according to different techniques and these results are compared with a GaSb buffer construction technique according to our own technology. During the processes, we also obtained an unintentional structure of one of the buffer layers, which allowed us to obtain very good results in terms of surface structure and crystallographic quality where FWHM in 𝜔𝑅𝐶 scan was equal to 138 arcsec and RMS 0.20 nm proving that there is still a lot of work to be done in this area.

5

Interfaces-engineered M-structure for infrared detectors

26%

Marchewka M. , Jarosz D. , Ruszała M. , Juś A. , Krzemiński P. , Bobko E. , Trzyna-Sowa M. , Wojnarowska-Nowak R. , Śliż P. , Rygała M. , Motyka M.

Opto-Electronics Review

|

2024

|

tom Vol. 32, No. 2

art. no. e150183

EN

In this paper, the authors report strain-balanced M-structures InAs/GaSb/AlSb/GaSb superlattice growth on GaSb substrates using two kinds of interfaces (IFs): GaAs-like IFs and InSb-like IFs. The in-plane compressive strain of 60-period and 100-period InAsm/GaSb/AlSbn/GaSb with different InAs (m) and AlSb (n) monolayers are investigated. The M-structures InAs/GaSb/AlSb/GaSb represent type II superlattices (T2SL) and at present are under intensive investigation. Many authors showtheoretical and experimental results that such structures can be used as a barrier material for a T2SL InAs/GaSb absorber tuned for long-wave infrared detectors (8 μm–14 μm). Beside that, M-structure can also be used as an active material for short-wave infrared detectors to replace InAs/GaSb which, for this region of infrared, are a big challenge from the point of view of balancing compression stress. The study of InAs/GaSb/AlSb/GaSb superlattice with the minimal strain for GaSb substrate can be obtained by a special procedure of molecular beam epitaxy growth through special shutters sequence to form both IFs. The authors were able to achieve smaller minimal mismatches of the lattice constants compared to literature. The high-resolution X-ray diffraction measurements prove that two types of IFs are proper for balancing the strain in such structures. Additionally, the results of Raman spectroscopy, surface analyses of atomic force microscopy, and differential interference contrast microscopy are also presented. The numerical calculations presented in this paper prove that the presence of IFs significantly changes the energy gap in the case of the investigated M-structures. The theoretical results obtained for one of the investigated structures, for a specially designed structure reveal an extra energy level inside the energy gap. Moreover, photoluminescence results obtained for this structure prove the good quality of the synthesized M-structures, as well as are in a good agreement with theoretical calculations.