A model for thin-film field-effect transistors in which the active layer is treated as purely two-dimensional is applied to ambipolar devices that have shown to be light emitting. This results in an adequate description of the electrical characteristics.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.