Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
100%
EN
Photoreflectance spectra were measured at room temperature for ener­gies in the vicinity of the E_{0} critical point for p-type as well as n-type doped GaAs/SI-GaAs structures. Depending on the doping concentration the ex­istence of two photoreflectance subsignals was observed; the first one arises from the surface space charge region while the second one from the interface region. The decomposition of photoreflectance spectrum into surface and in­terface subsignals was based on the photoreflectance measurements carried out for different wavelengths of the laser pump beam.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.