Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Struktura elektronowa pasmowa i właściwości ferroelektryczne kryształów grupy TGS

100%

Andriyevskyy B. , Patryn A. , Kurlyak V. , Romanyuk M. , Stadnyk V.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2014

|

tom Nr 6

5--14

PL

Wykonano porównawcze badania struktur elektronowych pasmowych ferroelektrycznych kryształów siarczanu trójglicyny (TriGlycine Sulfate, TGS), (CH2NH2COOH)3⋅H2SO4, selenianu trójglicyny (TriGlycine Selenate, TGSe), (CH2NH2COOH)3⋅H2SeO4, oraz fluoroberylanu trójglicyny (TriGlycine FluoroBeryllate, TGFB), (CH2NH2COOH)3⋅H2BeF4. Odpowiednie obliczenia z pierwszych zasad (ab initio) przeprowadzono w ramach teorii funkcjonału gęstości z uwzględnieniem międzyatomowych oddziaływań dyspersyjnych. Zastosowana metoda pozwoliła na otrzymanie wyników, lepiej pokrywających się z badaniami doświadczalnymi. Po raz pierwszy została zaobserwowana korelacja obliczonej energii całkowitej i temperatury Curie kryształów TGS, TGSe i TGFB.

EN

Comparative studies of the electronic band structures of the ferroelectric crystals triglycine sulfate (TGS) (CH2NH2COOH)3⋅H2SO4, triglycine selenate (TGSe) (CH2NH2COOH)3⋅H2SeO4 and triglycine fluoroberyllate (TGFB) (CH2NH2COOH)3⋅H2BeF4 have been performed. The respective ab initio calculations have been carried out in the framework of the density functional theory (DFT) with taking into account the interatomic dispersion interactions. The method applied has permitted to obtain results which agree better with corresponding experimental studies. The correlation of the calculated total energy and the Curie temperature for TGS, TGSe and TGFB has been detected for the first time.

2

Electronic-and-optical properties of Rb2ZnCl4 crystals

100%

Andriyevsky B. , Kurlyak V. , Stadnyk V. , Romanyuk M. , Stakhura V.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2015

|

tom Nr 8

5--14

EN

Electronic-and-optical properties of Rb2ZnCl4 crystal have been studied using the theoretical and experimental methods. First principles calculations of the electronic structure and optical properties using the density functional theory have been performed on the relaxed and uniaxially compressed (1 GPa) Rb2ZnCl4 crystal. The refractive indices of Rb2ZnCl4 have been measured in the spectral range of wavelength 300 nm to 750 nm for three principal uniaxial compression stresses (0.02 GPa) at room temperature. Ab initio calculations and analysis have revealed that the observed uniaxial pressure changes of the refractive indices of Rb2ZnCl4 are caused mainly by the corresponding changes of the crystal unit cell dimensions. The unit cell electronic polarizability of the crystal remains approximately unchanged.

PL

Zbadano właściwości elektronowo-optyczne kryształów Rb2ZnCl4 metodami teoretyczną i doświadczalną. Wykonano obliczenia z pierwszych zasad (ab initio) struktury elektronowej i właściwości optycznych na bazie teorii funkcjonału gęstości zrelaksowanych i jednoosiowo ściśniętych (1 GPa) kryształów. Zostały pomierzone współczynniki załamania Rb2ZnCl4 w przedziale długości fal światła 300 nm do 750 nm dla trzech głównych krystalograficznych kierunków ściskania (0.02 GPa) przy temperaturze pokojowej. Obliczenia ab initio i analiza danych ujawniły, że obserwowane baryczne zmiany współczynników załamania Rb2ZnCl4 są spowodowane głównie odpowiednimi zmianami rozmiarów komórki elementarnej kryształu. Przy tym, polaryzowalność elektronowa komórki kryształu pozostaję się prawie niezmienną.

3

Ab initio molecular dynamics calculations of heat conductivity for silicon related materials

86%

Andriyevsky B. , Janke W. , Patryn A. , Maliński M. , Stadnyk V. , Romanyuk M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2017

|

tom R. 93, nr 8

61--63

EN

Results of the ab initio molecular dynamics for pure silicon and phosphorus doped silicon crystals have been presented. The relation between the phonon lifetime and the root mean square deviation  of atoms based on the condition of the interferometric minimum has been proposed. The relation approximates adequately the temperature dependence of the heat conductivity of pure silicon. However, that relation has not reproduced properly the reference experimental magnitude of the phonon conductivity coefficient of silicon for the phosphorus content nP = 51020 cm-3. This result indicates that the additional kind of the phonon scattering on the local phosphorus stimulated defects should be taken into consideration.

PL

Przedstawiono wyniki obliczeń z pierwszych zasad dynamiki molekularnej niedomieszkowanych i domieszkowanych fosforem kryształów krzemu i zaproponowano wzór relacji między czasem życia fononów i odchyleniem standardowym atomów , bazujący na interferencyjnym warunku minimum fal fononowych. Zaproponowany wzór adekwatnie opisuje temperaturową zależność współczynnika przewodnictwa cieplnego niedomieszkowanego krzemu. Jednak zaproponowany wzór nie odtwarza zadowalająco referencyjnej doświadczalnej wartości przewodności cieplnej krzemu dla koncentracji fosforu nP = 51020 cm-3. Ten wynik wskazuje na to, że dla adekwatnego odtwarzania wartości doświadczalnych należy uwzględnić dodatkowy kanał rozpraszania fononów, związany z lokalnymi około fosforowymi defektami.