Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Evaluation of hydrophobic properties of organic layers modified with graphene flakes

100%

Stańczyk B. , Góra K. , Jach K. , Dobrzański L.

Materiały Elektroniczne

|

2017

|

tom T. 45, nr 1

18--24

EN

The paper presents the results of our research on graphene composites with organic polymers in various media. The following composites have been tested: PVDf/DMf/gr, PVDf/nMP/gr, PVDf/acetone/toluene/gr and PMMa/gr. The main purpose of this study is to evaluate hydrophobic properties of the selected materials by the contact measurements angle using the static method. the highest obtained value of the contact angle approached 180º for a superhydrophobic composite PVDf/acetone/toluene/gr.

PL

W artykule przedstawiono rezultaty prac dotyczących kompozytów grafenowych z polimerami organicznymi w różnych ośrodkach. Badano PVDF/DmF/GR, PVDF/NmP/GR, PVDF/aceton/toluen/GR i PmmA/GR. Główny przedmiot badań stanowiła ocena właściwości hydrofobowych wytypowanych materiałów. weryfikowano je za pomocą pomiarów kąta zwilżania metodą statyczną. Najlepszymi parametrami charakteryzował się kompozyt PVDF/aceton/toluen/GR, który wykazywał właściwości superhydrofobowe z wartościami kąta zwilżania wodą zbliżonymi do 180º.

2

Dyfrakcyjne elementy optyczne do formowania wiązek światła emitowanych przez diody laserowe

88%

Kowalik A. , Góra K. , Podgórski J. , Rojek A. , Typa P.

|

tom T. 36, nr 4

17-34

PL

Dzięki miniaturowym rozmiarom i niskiej cenie laserowe diody krawędziowe znajdują coraz szersze zastosowanie jako niezawodne źródła wiązki światła. Duża rozbieżność i asymetria tych wiązek powoduje jednak, że w przypadku większości aplikacji muszą być one wcześniej transformowane. Ze względu na skomplikowany front falowy stosowane w tym celu tradycyjne układy optyczne składają się z wielu elementów, co powoduje znaczny wzrost rozmiarów, ciężaru i ceny systemu. Tracone są w ten sposób podstawowe zalety związane z zastosowaniem półprzewodnikowych źródeł światła. Stąd za bardzo istotne uznać należy poszukiwanie rozwiązań, w których wszystkie funkcje związane z transformacją wiązki światła spełniać będzie pojedynczy element optyczny. W pracy wskazano na możliwość użycia w tym celu dyfrakcyjnych elementów optycznych o prostej, miniaturowej budowie. Jako przykład zaprezentowano element służący do formowania wiązki emitowanej przez jednowymiarową macierz diod laserowych. Główne zalety tego elementu to możliwość koncentracji dużych energii w małym przekroju wiązki oraz zwarta budowa, pozwalająca na zachowanie miniaturowych wymiarów źródła wiązki światła.

EN

Recent years have shown a rapid growth in the application of edge emitting laser diodes (LDs). They are small, efficient, low voltage, and have operating lifetimes much larger than conventional light sources. However, the output beams of the laser diode are highly divergent and astigmatic, thus for almost all applications they have to be first reshaped. Because of complicated wave front, conventional refractive optics fulfilling such a task usually consists of two or more elements, what results in a significant increase of the system size, cost, and assembly difficulties. In this way the most important advantages of LDs, that is their small size and simplicity, are wasted. Therefore it is interesting to integrate all optical functions of the reshaping system within a single microoptical element. The aim of this paper is to present simple and compact diffractive elements that can be used to transform light beams emitted by laser diodes. As an example, a single-element beam concentrator for linear LD array is demonstrated, consisting of a line of rectangularly apertured elliptical diffractive microlenses. It was proved that such a system generates in the output plane a regular spot with a relatively uniform density. Its main advantages lie in simplicity, possibility to concentrate a large amount of light in a small spot and to preserve the compactness of LDs.

3

Warstwy barierowe z tlenków krzemu nafolach poliestrowych do pakowania żywności

88%

Tomaszewski H. , Gawlik G. , Możdżonek M. , Jagoda A. , Góra K.

|

1998

|

tom T. 26, nr 2

18-35

PL

Celem pracy było uzyskanie cienkich warstw tlenków krzemu na podłożach poliestro-wych, jako warstw barierowych obniżających przepuszczalność tlenu i pary wodnej. Stosowano target tlenkowy i metaliczny. Warstwy analizowano metodami: dyfrakcji rentgenowskiej (RBS) i mikroskopii elektronowej (FTIR). Niestechiometria warstwy ma istotny wpływ na przeświecalność w zakresie światła widzialnego.

EN

The aim of the work was obtaining thin films of SiOx on PET substrates prepared by sputtering from metallic and oxide targets, used as an oxygen and water vapour barriers. The films were analyzed by X-ray, RBS, FTIR and SEM. However the degree of stoichiometry was responsible for transparency decrease of PET coated.

4

Hydrofobowe pokrycia organiczne na gładkich podłożach i na podłożach z rozwiniętą powierzchnią

88%

Stańczyk B. , Dobrzański L. , Góra K. , Jach K. , Jagoda A.

|

tom T. 43, nr 3

25--34

PL

W artykule scharakteryzowano własności hydrofobowe warstw organicznych uzyskanych na powierzchniach gładkich i z celowo rozwiniętą powierzchnią, której geometria była przedmiotem badań. Przebadano własności żywic takich jak: polifluorowinyliden, polimetakrylan metylu, octatrichlorosilan. Przedstawiono cechy tych materiałów w zależności od rodzaju nośnika, sposobu przygotowania roztworu roboczego oraz metody osadzania na różnych powierzchniach. Własności hydrofobowe otrzymanych warstw weryfikowano za pomocą pomiarów kąta zwilżania (CA) statycznej kropli wody i metodą dynamiczną. Uzyskano wartości CA na poziomie od ok. 135° do 180°.

EN

In this paper we present the hydrophobic properties of organic layers obtained on both smooth and 3D surfaces. the geometry of which has been the research topic. We have investigated polymers such us: polyvinylidene fluoride, poly (methyl methacrylate), octatrichlorosilane. The properties of these layers depending on their preparation and deposition method have been determined. We have verified the wetting contact angle by performing static and dynamic measurements. The obtained values of the wetting contact angle have been in the 135° - 180° range.

5

Wysokonapięciowa dioda z barierą Schottky'ego z węglika krzemu

75%

Dobrzański L. , Góra K. , Jagoda A. , Kozłowski A. , Stańczyk B. , Przyborowska K.

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 6

16-19

PL

W artykule przedstawiamy opracowanie technologii wysokonapięciowej diody Schottkyego wykonanej z materiału wytworzonego w całości w ITME. Najpierw omówiono problem zakończenia złącza Schottkyego i wykonano numeryczne symulacje zjawiska przebicia diody. Wyniki obliczeń zweryfikowano eksperymentalnie. Następnie wykonano wiele eksperymentalnych partii technologicznych diod o różnym polu powierzchni złącza. Na tej podstawie oszacowano aktualny stan całego cyklu technologicznego wytwarzania wysokonapięciowych przyrządów mocy w ITME od wzrostu monokryształu, przez wzrost warstw epitaksjalnych aż do wykonania przyrządu półprzewodnikowego. Oceniamy, że możemy w chwili obecnej produkować diody mocy o napięciu przebicia 600 V i prądzie przewodzenia 3 A. W najbliższej przyszłości te wartości zostaną ulepszone do poziomu prądu 5... 10 A przy napięciu przebicia 600 V. Na podstawie szeroko zakrojonych badań statystycznych oceniamy poziom uzysku tej działalności na 75%.

EN

We report on development of high-voltage Schottky barrier diode on single crystal SiC wafers and epi-Iayers grown at ITME. The problem of Schottky junction termination extension has been solved using the numerical simulation. The calculated results have been verified by experiment. We have carried out many experiments with diodes of diverse junction areas and have estimated capabilities of our whole technological cycle starting from crystal growth, epi-Iayer growth and finally construction of diode and device processing. We claim that current status of SiC technology at ITME is the following: we can fabricate diodes which exhibit 600 V of breakdown voltage and forward current of 3 A with the yield greater than 75%. We estimate that these values will change in the near future to be 5... 10 A of forward current and 600 V of breakdown voltage at the same yield level.

6

Influence of the thermal annealing on hydrogen concentration in GaN layers – SIMS characterization

75%

Jakieła R. , Jasik A. , Strupiński W. , Góra K. , Kosiel K. , Wesołowski M.

|

2002

|

tom Vol. 32, nr 3

365-371

EN

The aim of this work was the investigation of the influence of different thermal annealing conditions on hydrogen concentration in GaN:Mg layers. The 0.5 mm GaN:Mg/0.5 mm GaN layers deposited on sapphire with LP MOVPE (low pressure metal organic vapour phase epitaxy) were examined. Samples were characterized with the use of SIMS (secondary ions mass spectroscopy) technique applying CAMECA IMS 6F system. Magnesium concentration in the samples determined with the use of SIMS measurement was 3×1019 and 5×1019 at/cm3. The annealing was performed using RTA (rapid thermal annealing) technique and MOVPE reactor as a furnace. Samples were annealed in temperatures ranging from 750 to 950 °C with one, two or three thermal -steps of annealing.

7

Tranzystory z grafenu epitaksjalnego

63%

Dobrzański L. , Stankiewicz R. , Strupiński W. , Gierałtowska S. , Borysiewicz M. , Góra K. , Kozłowski A. , Stańczyk B.

|

tom Vol. 54, nr 11

9-14

PL

Opracowano technologię tranzystorów potowych z grafenu epitaksjalnego na podłożu z węglika krzemu. Przedstawiono charakteryzację grafenu i przyrządów. Poprzez badanie transportu nośników potwierdzono wysoką jakość grafenu. Otrzymano staloprądowe charakterystyki tranzystorów porównywalne z opisywanymi w literaturze. Na podstawie posiadanego doświadczenia określono drogę przyszłego rozwoju tranzystorów z grafenu i zidentyfikowano technologie konkurencyjne.

EN

We have developed technology of transistors made of epitaxial graphene grown on silicon carbide substrate. Carrier transport investigation confirmed good quality of graphene. DC parameters of developed transistors are similar to reported in the literature. On the basis of own experience we predict the way of future developments of grafene devices and indicate possible competing technologies.

8

Monolityczny mikrofalowy układ scalony GaN/AlGaN

51%

Dobrzański L. , Caban P. , Kowalik A. , Podgórski J. , Rudziński M. , Góra K. , Jagoda A. , Stańczyk B. , Wojnowski D. , Kozłowski A. , Przyborowska K. , Lewandowski A. , Wiatr W. , Paszkiewicz R.

|

tom Vol. 56, nr 6

6-9

PL

Przedstawiamy opracowanie przyrządów HEMT (High Electron Mobility Transistors) z GaN/AlGaN, a następnie pierwszego w Polsce monolitycznego mikrofalowego układu scalonego, w którym zastosowano przyrządy HEMT z GaN/AlGaN. Opracowanie przyrządów HEMT. Sekwencja warstw epitaksjalnych tworzących strukturę tranzystora była następująca: bufor AlN, kanał GaN, warstwa Schottky’ego AlGaN oraz warstwa podkontaktowa GaN. Strukturę wyhodowano na podłożu szafirowym. Wzór izolacji oraz wzór obszarów drenów i źródeł uzyskano metodą litografii optycznej. Wzór bramki o długości 500 nm i 440 nm otrzymano metodą bezpośredniej elektronolitografii na powierzchni półprzewodnika. Izolację przyrządów uzyskano przez wytrawienie obszaru ‘mesa’ w plaźmie chlorowej. Metalizacja kontaktów tworzyła struktura wielowarstwowa Ti/Al/Ni/Au. Powierzchnię kanału zabezpieczono przez nałożenie warstwy pasywującej Si3N4. Wzmocnienie tranzystorów w pasmie S i X wynosiło odpowiednio 16 i 11 dB (MSG/MAG Maximum Stable Gain). W najlepszym z kilku opisanych wariantów konstrukcyjnych i technologicznych uzyskano częstotliwość graniczną fT = 30 GHz, częstotliwość graniczną fMAX = 30 GHz. Ponadto stwierdzono, że unilateralne wzmocnienie mocy (UPG) równa się jeden dla częstotliwości ok. 30 GHz. Uzysk wynosił 70% co odpowiada 3000 dobrych przyrządów z płytki o średnicy 2”. Opracowanie mikrofalowego monolitycznego układu scalonego (MMIC).Opracowano pierwszy w Polsce mikrofalowy monolityczny układ scalony (MMIC), klucz typu SPDT (Single Pole Double Throw) stosowany zazwyczaj w układach transciever’ów (klucz nadawanie-odbiór). Układ zbudowany jest z czterech tranzystorów HEMT o szerokości bram μm. W paśmie 0-4 GHz straty wtrącenia są mniejsze niż 2 dB, a izolacja lepsza niż 23 dB. Wykazano, że po zmianie konstrukcji układu i stosując tę samą technologię można uzyskać straty wtrącenia mniejsze niż 1 dB. Przedstawiony układ MMIC jest demonstratorem technologii, przy pomocy której można wykonać układy scalone o parametrach na poziomie komercyjnym.

EN

We present the development of HEMT (High Electron Mobility Transistors) and MMIC (Microwave Monolithic Integrated Circuit) made of GaN/AlGaN. Development of HEMTs. The sequence of epitaxial layers grown on sapphire substrate was as follows: AlN buffer, GaN channel, AlGaN Schottky and GaN contact cap. Isolation pattern and ohmic metal pattern were obtained by optical lithography. The gate was 500 nm and 440 nm long and was written using e-beam directly on semiconductor wafer. Then gate metal was evaporated and lifted off. The isolation was obtained by mesa etching in pure chlorine plasma. Ohmic contact consisted of a Ti/Al/Ni/Au sandwich. Finally Si3N4 passivation was made to protect exposed channel surface. Transistors operate in S and X band, showing 16 and 10 dB MSG/MAG gain respectively. For the best layout design transistors exhibited frequency fT=30 GHz, frequency fMAX = 30 GHz, and exhibited UPG=1 (unilateral power gain) for frequency 30 GHz. The yield was 70%, what corresponds to about 3000 good devices form one 2” wafer. Development of monolithic microwave integrated circuit (MMIC). We developed transistor switch of SPDT (Single Pole Double Throw) type which is used in transceivers. The circuit consists of four HEMT devices having gate width of 150 μm, gate length of 440 nm and drain source distance of 3 μm. In the 0-4 GHz bandwidth insertion loss is less than 2 dB and isolation is better than 23 dB. It was demonstrated that increase of the gate width of transistors will improve insertion loss value to the level of 1 dB.