Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

1 Archiwum Nauki o Materiałach

1 2003

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wzrost i struktura kryształów roztworów stałych SrAl0,5Ta0,5O3: LaAlO3.

100%

Berkowski M. , Fink-Finowicki J. , Byszewski P. , Diduszko R. , Aleksiyko R. , Kikalejshvili-Domukhovska R.

tom T. 24, nr 4

571-582

Wzrost kryształów (SrAl0,5Ta0,5O3)1-x (LaAlO3)x ((SAT)1-x(LA)x) metodami Czochralskiego i topienia strefowego został zbadany w całym zakresie koncentracji poszczególnych składników; struktura otrzymanych kryształów została zbadana metodami dyfrakcji rentgenowskiej. Zaproponowano schematyczny diagram fazowy tych materiałów; roztwory stałe istnieją w zakresie koncentracji 0 mniejsze lub równe x mniejsze lub równe 0,5, w którym kryształy mają strukturę regularną. Metodą Czochralskiego można otrzymać monokryształy w zakresie koncentracji x=0,23/0,41. W otrzymanych kryształach nie stwierdzono występowania przejść fazowych ani zbliźniaczeń niskokątowych. Odpowiedni zakres wartości stałych sieci, wysoka temperatura topnienia tych materiałów wynosząca blisko 1850 stopni Celsjusza wskazuje na ich dobrą termiczną i chemiczną stabilność przy wykorzystaniu jako podłoży dla epitaksji HTSc perowskitów manganowych i GaN.

Crystals of (SrAl0,5Ta0,5O3)1-x (LaAlO3)x ((SAT)1-x(LA)x) were obtained by the Czochralski and floating zone method in whole composition range; structure of these crystals was investigated by X-ray measurements. A schematic phase diagram of this solution is proposed; it was found that solid solutions exist at concentration 0 lto x lto 0.5 and crystals adopt cubic structure. The Czochralski method was successfully used to grow of single crystals with x=0.23/0.41. Structural phase transitions and tendency to formation of twins were no stated. The proper range of lattice parameters and high melting point close to 1850 degrees centigrade indicate their high thermal and chemical stability. Therefore these crystals may be used as substrates for the growth of HTSc, manganites or GaN epitaxial layers.