PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available FDTD analysis of magnetized plasma using an equivalent lumped circuit
100%
Moryc A. , Gwarek W.
|
|
tom nr 2
75-78
EN
The paper describes a new approach to electromagnetic analysis of magnetized plasma using finite difference time domain (FDTD) method. An equivalent lumped circuit describing an FDTD cell filled with plasma is developed and applied in the analysis. Such a method is proved more effective than previously reported methods. The new approach is verified on a canonical example of known analytical solution.
2
Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC
80%
Kopyt P. , Wojtasiak W. , Gryglewski D. , Gwarek W.
|
|
tom Vol. 54, nr 9
22-25
PL
W artykule przedstawiono 3-wymiarową analizę termiczną tranzystora GaN HEMT na podłożu GaN/SiC wytworzonego w ITE. Symulacje przeprowadzono w środowisku ANSYS-Fluent z zewnętrznym generatorem siatki obliczeniowej. W analizie uwzględniono warstwową strukturę podłoża i zależność własności materiałowych poszczególnych warstw od temperatury. Opracowanego modelu użyto do wyznaczenia rezystancji | termicznej tranzystora na podłożu SiC i GaN (monokrystaliczny) o różnych grubościach.
EN
In this paper a 3-dimensional numerical model of a HEMT structure fabricated on GN/SiC substrate is presented. The model is implemented in the ANSYS-Fluent environment using an external computational mesh generator. The tools have been verified by comparing results obtained with numerical calculations and a known solution of a simple thermal problem. Next, the model of the HEMT has been employed to numerically evaluate the thermal resistance of the structure for two different substrate materials of varying thickness. It will be used as a tool in an effort to scale-up devices manufactured by ITE towards higher output power levels.
3
Przeprowadzenie prób obejmujących miernictwo i charakteryzację opracowanych elementów, przyrządów i prototypowych podukładów funkcjonalnych zgodnie z obowiązującymi normami : zadanie 4. projektu "Nowe Technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wysokich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur"
80%
Konczakowska A. , Gwarek W. , Napieralski A. , Zarębski J.
|
|
tom Vol. 47, nr 9
10-12
PL
Przedstawiono w postaci zadań przebieg oceny właściwości statycznych, dynamicznych, termicznych i szumowych komercyjnych elementów i przyrządów z SiC. Bardziej szczegółowo opisano pomiary parametrów i charakterystyk termicznych. Określono, że wynikiem prac będą stanowiska laboratoryjne do badań właściwości statycznych, dynamicznych, termicznych i szumowych komercyjnych wytworzonych w ramach projektu elementów i przyrządów z SiC, wyniki pomiarów ww. parametrów i charakterystyk, modele elektryczne i termiczne elementów i przyrządów, wnioski z aplikacji elementów i przyrządów z SiC w przetwornikach DC/DC i układach mikrofalowych.
EN
The investigations concerned on static, dynamic, thermal and noise properties evaluations for commercial SiC components and devices were presented. The measurements of thermal parameters and characteristics were detailed described. The results of investigations as: laboratory systems for static, dynamic, thermal and noise parameters and characteristics measurements and evaluations, complex results of measurements mentioned above parameters and characteristics, electrical and thermal models for SPICE, conclusions from typical applications of SiC components and devices (DC/DC converters, microwave circuits), are expected.
4
Content available A Computer-controlled System of High-power Microwave Sources
80%
Korpas P. , Gryglewski D. , Wojtasiak W. , Gwarek W.
|
|
tom Vol. 57, No. 1
121-126
EN
The paper presents the design and hardware implementation of a computer controlled system composed of up to four high-power microwave sources. Each source provides up to 200 W of continuous wave power. Frequency of each source is stabilized within ±0.5 ppm of the nominal frequency adjustable within 2.35÷2.6 GHz range. All four sources can be synchronized to the same frequency with computer-controlled phase shift between the signals generated by each of them. The paper concentrates on the choice of components for such a system and the properties of the realized hardware implementation.
5
Content available A 100 W ISM 2.45 GHz-band power test system
80%
Wojtasiak W. , Gryglewski D. , Gwarek W.
|
|
tom nr 2
23-28
EN
This paper describes development of solid-state microwave power test system (MPTS) operating over 2.3 to 2.6 GHz with the output power level of 100 W for industrial applications in material processing, and for designing of microwave power industrial equipment. The MPTS unit consists of four major parts: PLL synthesizer, high power solid-state amplifier, detector probes for return losses and leakage measurement and microcontroller. The MPTS system is able to operate in either single fixed-frequency regime, or in swept mode with self-tuning for minimum reflection of a heated load.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.