PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 22

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available remote Research on Jump Mechanism of Electric Charge Transfer Probability in Gallium Arsenide Irradiated with H+ Ions
100%
Węgierek P. , Billewicz P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
tom R. 88, nr 11b
364-365
EN
In the article the results of research on gallium arsenide irradiated with H+ ions have been presented as well as occurred correlations between probability of electron’s jump and sample annealing temperature have been discussed. Obtained results have confirmed that value of probability is strictly connected with the type of radiation defects formed as a consequence of irradiating tested sample with H+ ions.
PL
W artykule przedstawiono rezultaty badań arsenku galu naświetlonego jonami H+ oraz omówiono występujące w nim zależności prawdopodobieństwa wystąpienia przeskoku elektronu od temperatury wygrzewania próbki. Otrzymane wyniki potwierdzają, że wartość prawdopodobieństwa przeskoków jest ściśle związana z typem defektów radiacyjnych, powstałych w wyniku naświetlania materiału badawczego jonami H+.
2
Content available remote The temperature effect on measurement accuracy of the smart electricity meter
100%
Węgierek P. , Konarski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
tom R. 92, nr 8
148--150
EN
The paper presents an analysis of ambient temperature influence on measurement accuracy of the smart electricity meter for different values of load current, voltage and frequency. The research scope was covered by the operating temperature range from -40°C to +70°C, which is consistent with the requirements of applicable standards and legal regulations. A meter used in the conducted tests was Iskra MT372 model, which is currently being installed at final customers.
PL
W artykule przedstawiono analizę wpływu temperatury otoczenia na dokładność pomiarów inteligentnego licznika energii elektrycznej dla różnych wartości prądu obciążenia, napięcia i częstotliwości. Badania swoim zakresem objęły temperatury od -40ºC do +70ºC, co jest zgodne z wymaganiami stawianymi inteligentnym licznikom zarówno przez normy, jak i regulacje prawne. W badaniach wykorzystano obecnie instalowany u odbiorców licznik typu Iskra MT372.
3
Content available remote Research on the influence of environmental conditions on electrical parameters of Iinterdigitated Back Contact monocrystalline silicon solar cells
100%
Billewicz P. , Węgierek P.
|
2018
|
tom R. 94, nr 7
132--135
EN
This article presents results of the experiment carried out on the samples of HIT-IBC solar cells. Devices under test have been placed in the climatic chamber in constant ambient temperature from a range (-20 ÷ 100)°C and exposed to irradiation of energy ranging from 700W/m2 to 1250W/m2 and spectral composition corresponding to solar spectrum. Measurements of I-V and P-V characteristics have been performed. Results of the analysis have been discussed in the context of photoconversion efficiency in variable irradiation conditions.
PL
Niniejszy artykuł przedstawia wyniki badań ogniw słonecznych typu HIT-IBC. Obiekty badawcze zostały umieszczone w komorze klimatycznej, w stałej temperaturze z zakresu (-20 ÷ 100)°C i poddane działaniu promieniowania świetlnego o energii z zakresu od 700W/m2 do 1250 W/m2 i składzie widmowym odpowiadającym promieniowaniu słonecznemu. Przeprowadzono pomiary zależności prądu i mocy w funkcji napięcia ogniwa. Wyniki zostały przeanalizowane w kontekście sprawności konwersji energii słonecznej w warunkach zmiennego nasłonecznienia.
4
Tendencje rozwojowe, nowoczesne technologie i materiały używane w przemyśle kablowym
100%
Partyka J. , Węgierek P.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
1999
|
tom nr 7
343-346
PL
Przedstawiono stan linii kablowych w Polsce i perspektywy rozwoju. Omówiono nowe konstrukcje kabli energetycznych.
EN
Status and prospects of cable lines in Poland. New design features of power cables.
5
Content available remote Electricity measurement accuracy in the smart metering system
100%
Węgierek P. , Konarski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
tom R. 91, nr 12
17-20
EN
The smart metering to the power system implementation significantly changes the way of measurements and settlements in the electricity sector. This paper presents an analysis of realized measurement accuracy and the key information about the smart metering and the components of the advanced metering infrastructure. It also shows the scope of authors’ ongoing research on the temperature effect of electricity measurement accuracy in the smart metering system.
PL
Wprowadzenie do systemu elektroenergetycznego inteligentnych systemów pomiarowych znacząco zmienia sposób przeprowadzanych pomiarów i rozliczeń. W artykule przedstawiono analizę dokładności realizowanych pomiarów oraz zaprezentowano kluczowe informacje dotyczące inteligentnego systemu pomiarowego i zaawansowanej infrastruktury pomiarowej. Przedstawiono również zakres aktualnie prowadzonych przez autorów niniejszego artykułu prac badawczych, dotyczących wpływu temperatury na dokładność pomiarów energii elektrycznej w inteligentnych systemach pomiarowych.
6
Content available remote Laboratory stand for examining the influence of environmental conditions on electrical parameters of photovoltaic cells
100%
Billewicz P. , Węgierek P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
tom R. 92, nr 8
176--179
EN
The aim of this article is to present a method of investigating the influence of operating conditions on electrical parameters of photovoltaic cells. Described laboratory stand is based on a climatic chamber cooperating with a number of meters, sensors, adjustable load units and data acquisition software. Introduced measuring system enables to conduct PV cells tests across the operating temperature range (-20 - 100)°C for irradiance ranging from 700 W/m2 to 1600 W/m2.
PL
Celem niniejszego artykułu jest zaprezentowanie metody badania wpływu warunków środowiskowych na parametry elektryczne ogniw fotowoltaicznych. Przedstawione stanowisko laboratoryjne działa w oparciu o komorę klimatyczną, współpracującą z szeregiem mierników oraz czujników, zespołem regulowanego obciążenia oraz oprogramowaniem do akwizycji danych.
7
Mechanizm przewodnictwa elektrycznego w arsenku galu implantowanym jonami
100%
Węgierek P. , Kowalski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
tom Vol. 50, nr 9
42-44
PL
W artykule przedstawiono rezultaty badań właściwości elektrycznych arsenku galu zdefektowanego polienergetyczną implantacją jonów H⁺. Dokonano analizy mechanizmu przewodzenia prądu elektryczego wykorzystując zależności częstotliwościowe i temperaturowe przewodności elektrycznej. Na jej podstawie wykazano, że całkowita konduktywność jest superpozycją dwóch składowych: pasmowej, która dominuje przy niskich częstotliwościach, i skokowej, charakterystycznej dla dużych wartości częstotliwości.
EN
The article presents results of testing electric properties of gallium arsenide defected with poly-energy implantation of H⁺ ions. An analysis of electric current conduction mechanism has been performed based on frequency and temperature dependences of electrical conductivity. It has been shown that total conductivity is a superposition of two components: the band one that dominates at low frequencies and the jump one that is characteristic for high frequency values.
8
Zmiennoprądowe przewodnictwo elektryczne krzemu implantowanego jonami
100%
Węgierek P. , Kowalski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
tom Vol. 50, nr 9
100-102
PL
W artykule omówiono mechanizm przewodnictwa elektrycznego krzemu silnie zdefektowanego w wyniku implantacji w temperaturze pokojowej, jonów neonu o energii E = 600 keV i dawce D = 1,2 x10¹5⁵ cm⁻². Badania przeprowadzono na próbkach wygrzewanych izochronicznie w zakresie temperatur 323...873K przy częstotliwościach z przedziału 50 Hz...5 MHz. Analiza wyników badań wykazała, że całkowita konduktywność jest superpozycją dwóch składowych: pasmowej, która dominuje przy niskich częstotliwościach, i skokowej, charakterystycznej dla dużych wartości częstotliwości. Zmiany przewodności są bezpośrednio związane z koncentracją poszczególnych defektów i zależą od temperatur ich wygrzewania.
EN
The article discusses mechanisms of alternating current based electrical conductivity of silicon strongly defected by the implantation of neon ions of the E = 600 keV energy and a dose of D = 1,2 x 10¹⁵ cm⁻², performed at the room temperature. Testing has been performed on samples that have been isochronously annealed within the temperature range from 323 to 873K and at frequencies ranging from 50 Hz to 5 MHz. An analysis of the testing results has shown that total conductivity is a superposition of two components: the band one that dominates at law frequencies and the jump one that is characteristic for high frequency values. Changes of conductivity are related to concentrations of individual defects and depend on temperatures of their annealing.
9
Content available remote Monitoring of photovoltaic micro installations
100%
Węgierek P. , Konarski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
tom R. 93, nr 3
238--241
EN
The paper presents a comparative analysis of currently used monitoring systems of photovoltaic installations, focusing on systems applicable in PV micro installations. The characteristic features and the most important advantages and disadvantages of each monitoring systems were presented. The papers also indicates typical electrical parameters of the PV system and discusses the impact of environmental conditions on PV system operation.
PL
W artykule przedstawiono analizę porównawczą wykorzystywanych obecnie systemów monitoringu instalacji fotowoltaicznych, szczególny nacisk kładąc na systemy znajdujące zastosowanie w mikroinstalacjach. Zaprezentowano charakterystyczne cechy oraz najważniejsze zalety i wady poszczególnych systemów monitoringu. W pracy wskazano również typowe parametry elektryczne instalacji fotowoltaicznej oraz omówiono wpływ warunków środowiskowych na funkcjonowanie systemu.
10
Charakterystyki czasowe skokowej wymiany ładunków w arsenku galu napromieniowanym jonami H⁺
100%
Węgierek P. , Billewicz P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
tom Vol. 52, nr 11
67-69
PL
W pracy ustalono, że w GaAs podlegającym polienergetycznej implantacji jonów H⁺ przy temperaturach wygrzewania Ta ≥ 523K w obszarach niskich i wysokich częstotliwości konduktywność σ = const., a w obszarze przejściowym aσ ∼ fa. Z danych doświadczalnych ustalono, że na wykresach Arrheniusa dla czasów przeskoków elektronów T występują dwa obszary - przy niskich temperaturach z energią aktywacji ΔΕT₁ ≈ (0,016 š 0,002) eV i przy wyższych z ΔΕT₂ ≈ (0,10 š 0,02) eV. Obszary te są związane z dwoma typami defektów wytworzonych podczas napromieniowania jonami.
EN
The article presents briefly results of the research conducted on gallium arsenide samples. It has been established that in GaAs exposed on polyenergy implantationof H&# 8314; ions and annealed in temperatures Ta ≥ 523K electric conductivity fulfils an equation σ = const. for both low and high frequencies bands. Additionally in medium frequencies band a proportion σ∼fa is fulfilled. On the basis of experimental data it has been concluded that on the Arrhenius plots drew for the time of the electrons jumps two different areas could be observed. The first one is typical for low temperature values described by activation energy ΔΕT₁ ≈ (0,016 š 0,002) eV The second is specific for higher temperatures where activation energy ΔΕT₂≈ (0,10 š 0.02) eV. Those areas are connected with two different types of radiation defects created during ion exposure of sample material.
11
Content available remote Influence of semi-conducting layers formation technology on electrical parameters of Si structures used in photovoltaics
80%
Billewicz P. , Węgierek P. , Grudniewski T.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
tom R. 93, nr 8
180--183
EN
The aim of this work is to present the results of research, which was conducted to verify the possibility of quantum efficiency improvement by the means of ion-implantation. As the object of conducted research, four different samples of silicon solar cells have been chosen. Experiment included measurements of external quantum efficiency, I-V characteristics across certain operating temperature range and SEM imaging. Results have been analyzed in the aspect of ion-implantation applications as the way of introducing improvements in the field of solar cells efficiency.
PL
W artykule zaprezentowano wyniki badań, które zostały przeprowadzone na potrzeby weryfikacji możliwości zwiększenia sprawności kwantowej ogniw fotowoltaicznych za pomocą implantacji jonowej. Jako obiekty badawcze wybrano cztery różne ogniwa słoneczne. Eksperyment uwzględniał pomiary zewnętrznej sprawności kwantowej, charakterystyk prądowo - napięciowych w określonym przedziale temperatur oraz obrazowanie SEM. Wyniki przeanalizowano w aspekcie możliwości zastosowania implantacji jonowej do poprawy sprawności ogniw słonecznych.
12
Content available remote Effect of absorbing layer thickness on efficiency solar cells based on Cu(In,Ga)(S,Se)2
80%
Tivanov M. , Astashenok L. , Fedotov A. , Węgierek P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
tom R. 88, nr 7a
321-323
EN
On the basis of one-dimensional model of the solar cell (SC) the influence of photoactive layer thickness on the photocurrent (a key parameter for the collection efficiency of photogenerated charge carriers) of a has been studied. It is shown that for a typical Cu(In,Ga)(S,Se)2 - based SC the optimal value of the photoactive layer thickness is about 1.5 žm. Reducing the thickness of the photoactive layer leads to a sharp decrease in the photocurrent and increase the series resistance.
PL
Na podstawie jednowymiarowego modelu ogniwa słonecznego zbadano wpływ grubości warstwy fotoaktywnej na natężenie fotoprądu (parametru kluczowego dla ustalania sprawności fotogenerowanych nośników ładunku). Wykazano, że dla typowych ogniw słonecznych opartych o Cu(In,Ga)(S,Se)2 optymalną wartością grubości warstwy fotoaktywnej jest w przybliżeniu 1,5 žm. Redukując grubość warstwy fotoaktywnej doprowadzono do gwałtownego spadku wartości fotoprądu i wzrostu rezystancji szeregowej.
13
Content available remote Ocena porównawcza metod lokalizacji zwarć niesymetrycznych w sieciach rozdzielczych
80%
Romaniuk F. , Buloichyk E. , Węgierek P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
tom R. 88, nr 7a
319-320
PL
W artykule przedstawiono ocenę porównawczą metod wykrywania zwarć niesymetrycznych w sieciach rozdzielczych średniego napięcia. Stosując metodę symulacji komputerowej przeprowadzono badania i przeanalizowano ich rezultaty pod kątem możliwości wykorzystania danej metody w algorytmach mikroprocesorowych zabezpieczeń zwarciowych linii. Rezultatem eksperymentu obliczeniowego jest potwierdzenie skuteczności i wysokiej czułości zaproponowanej metody, która zapewnia wykrywanie odległych zwarć niesymetrycznych przy prądach zwarciowych przewyższających prądy dopuszczalnej obciążalności nie mniej niż 1,5 razy.
EN
Comparative estimation of techniques of asymmetrical fault determination on distribution networks lines is presented. Studies were carried out using the computing experiment method and their results for application of aforementioned techniques in the line microprocessor current protection algorithms were analyzed. As a result of computing experiment efficiency and high sensitivity of the proposed method was confirmed, which ensures remote asymmetrical fault detection when fault currents not less than 1.5 times exceed under-load operation currents.
14
Content available remote Badania temperaturowe energii aktywacji defektów radiacyjnych w silnie zdefektowanym krzemie
80%
Węgierek P. , Zhukowski P. , Billewicz P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
tom R. 86, nr 7
293-295
PL
W artykule zaprezentowano rezultaty badań silnie zdefektowanego krzemu i omówiono występujące w nim mechanizmy zmiennoprądowego przewodnictwa. Uzyskane rezultaty potwierdzają występowanie dwóch mechanizmów przewodzenia w silnie zdefektowanych półprzewodnikach, tj. pasmowego, charakterystycznego dla małych częstotliwości i skokowego, odpowiadającego wyższym częstotliwościom.
EN
The article presents results of testing electrical properties of ion-implanted silicon and discusses mechanisms of alternating-current electrical conduction that occurs in it. The obtained results have confirmed the occurrence of two conduction mechanisms in strongly defected semiconductors i.e. the band one that is characteristic for low frequency values and the jump one that corresponds to higher frequencies.
15
Capacitors for integrated circuits produced by means of a double implantation method
80%
Żukowski P. , Partyka J. , Węgierek P.
Journal of Technical Physics
|
1998
|
tom Vol. 39, no 1
143-147
EN
The paper presents a descrption of a method to produce capacitors in integrated circuits that consists in implanting weakly doped silicon with the same impurity, then subjecting it to annealing (producing the inner plate), and implanting it again with ions of neutral elements to produce the dielectric layer. Results of the testing capacitors produced that way are also presented. Unit capacity of Cu = 4.5 nF/mm^2 at tg[delta] = 0.01 has been obtained. The autors are of the opinion that the interesting problem of discontinuous variations of dielectric losses and capacities considered as functions of temperature, must be viewed as an open problem.
16
Content available remote Comparison of permittivity of ion implanted silicon and silicon bombared with neutrons
80%
Żukowski P. , Partyka J. , Węgierek P. , Kozak M.
|
|
tom Vol. 44, nr 2
281-284
EN
The present work includes a comparison of permittivity variations in the silicon irradiated with neutrons and additionally implanted with ions, the changes occurring in the course of thermal annealing.
PL
W niniejszej pracy porównano zmiany przenikalności dielektrycznej krzemu naświetlanego neutronami oraz implantowanego jonowo, zachodzące podczas wygrzewania termicznego.
17
Content available remote Changes in permittivity of silicon implanted through an aluminum layer
80%
Żukowski P. , Partyka J. , Węgierek P.
|
|
tom Vol. 44, nr 2
285-288
EN
The paper discusses the unit capacity changes in capacitors with a dielectric in a from of silicon implanted through an aluminum layer. The results of tests indicate that the course of Cu=f(Ta) is determined to a great extent by the processes in the implanted layer while the effect of the capacitor plates is insignificant.
PL
W pracy omówiono zmiany pojemności jednostkowej kondensatorów z dielektrykiem w postaci krzemu implantowanego przez warstwę aluminium. Badania wykazały, że przebieg Cu=f(Ta) w dużym stopniu określają procesy zachodzące w warstwie implantowanej, natomiast wpływ okładzin jest nieznaczny.
18
Content available remote Conductivity of Cd1-xFexTe semiconductors at alternating current and temperatures lower than the room temperature
71%
Zhukowski P. , Kołtunowicz T. , Węgierek P. , Partyka J. , Sidorenko J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
tom R. 86, nr 7
75-77
EN
The paper presents results of conductivity measurements performed at alternating current for semiconducting compounds Cd1-xFexTe within the frequency range of and in the temperature area of below the room temperature. S-shaped frequency dependences have been observed within the concentration range of x < 0.03. Along with the temperature growth the segment of [sigma] increase gets shifted to the area of higher frequencies. A model that describes experimental dependences has been proposed and it takes into account the time of electron "settlement¨ after its hop from the impurity ground state as well as the probability of its return to the potential well wherefrom it has hopped.
PL
W pracy przedstawiono rezultaty pomiarów przewodności przy prądzie przemiennym związków półprzewodnikowych Cd1-xFexTe (0.01 . . . 0.05) w zakresie częstotliwości (50 Hz .f . 1 .Hz) i w obszarze temperatur poniżej temperatury pokojowej. Zaobserwowano S – kształtne częstotliwościowe zależności w zakresie koncentracji . . 0.03. Wraz ze wzrostem temperatury odcinek wzrostu . przesuwa się w obszar wyższych częstotliwości. Zaproponowano model, opisujący eksperymentalne zależności, uwzględniający czas „osiadania” elektronu po przeskoku ze stanu podstawowego domieszki i prawdopodobieństwo jego powrotu do studni potencjału, z której on wykonał skok.
19
Content available remote Validation of mathematical model of differential protection
71%
Romanyuk F. , Novash I. , Loman M. , Węgierek P. , Szrot M.
|
2014
|
tom R. 90, nr 3
187--190
EN
Comparison of results of mathematical modeling and field tests of a transformer differential protection is presented in this paper. An inrush current mode, external two-phase and three-phase faults are considered. Proposed mathematical model can be used to test differential protection in different modes of transformer operation.
PL
W artykule przedstawiono porównanie wyników badań i rezultatów modelowania matematycznego zabezpieczeń różnicowych transformatorów. Rozpatrzono przypadki prądów rozruchowych oraz zwarć dwufazowych i trójfazowych. Zaproponowany model matematyczny może być używany do testowania zabezpieczeń różnicowych w różnych trybach pracy transformatorów.
20
Content available remote Influence of Penning ionization on ion source efficiency – numerical simulations
61%
Turek M. , Mączka D. , Droździel A. , Pyszniak K. , Vaganov Y. , Węgierek P.
|
2018
|
tom R. 94, nr 7
116--119
EN
The numerical model of ionization in the plasma ion source taking the electron impact and Penning effect into account is presented. The influence of the Penning effect on the ionization efficiency is under investigation - it is shown that the carrier gas could improve ionization efficiency several times compared to the pure electron ionization case. Changes of the yield from the Penning ionization are investigated as a function of carrier gas concentration, ionization degree and concentration of carrier gas atoms in the metastable state.
PL
Przedstawiony jest model źródła jonów uwzględniający jonizację Penninga i elektronami. Zastosowanie gazu nośnego skutkujące zachodzeniem jonizacji Penninga może zwiększyć wydajność jonizacji nawet kilkukrotnie. Zbadano zmiany wydajności jonizacji od koncentracji gazu nośnego, atomów w stanie metastabilnym i stopnia jonizacji plazmy.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.