PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 14

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Grunton na budowę tunelu pod Martwą Wisłą
100%
Karbownik P. , Strzałka Ł.
|
2016
|
tom R.20, nr 2
76--78
PL
Niniejszy artykuł przedstawia właściwości, rodzaje i korzyści z zastosowania mieszanek wypełniających GRUNTON oraz możliwości ich wykorzystania na przykładzie budowy tunelu pod Martwą Wisłą w Gdańsku.
EN
The paper presents filling mixtures GRUNTON and an example of using the advantages of this product in tunnel construction under the Martwa Wisła River in Gdansk. The first part of the paper features a characteristics of the product. Other applications as well as technical parameters of individual types of mixtures are discussed. In the second part of the paper, the adaptability of GRUNTON for specific requirements of technical specifications and given projects are described. The main example is the mined tunnel construction under the Martwa Wisła River in Gdańsk. In 2013/2014 CEMEX P olska supplied 19000 m3 of its product for filling voids between the tunnel structure and the surrounding soil. Thus, details of the project concerning the requirements, performed tests and obtained parameters will be presented. Furthermore, the process of placing GRUNTON with use of the TBM system will be also described.
2
Content available remote Structure optimisation of short-wavelength ridge-wavequide InGaN/GaN diode lasers
100%
Karbownik P. , Sarzała R. P.
Opto-Electronics Review
|
2008
|
tom Vol. 16, No. 1
27-33
EN
Room-temperature (RT) continuous-wave (CW) operation of the 405-nm ridge-waveguide (RW) InGaN/GaN quantum-well diode lasers equipped with the n-type GaN substrate and two contacts on both sides of the structure has been investigated with the aid of the comprehensive self-consistent simulation model. As expected, the mounting configuration (p-side up or down) has been found to have a crucial impact on the diode laser performance. For the RT CW threshold operation of the otherwise identical diode laser, the p-side up RW laser exhibits as high as nearly 68°C maximal active-region temperature increase whereas an analogous increase for the p-side down laser was equal to only 24°C. Our simulation reveals that the lowest room-temperature lasing threshold may be expected for relatively narrow and deep ridges. For the structure under consideration, the lowest threshold current density of 5.75 kA/cm² has been determined for the 2.2-µm ridge width and the 400-nm etching depth. Then, the active-region temperature increase was as low as only 24 K over RT. For wider 5-µm ridge, this increase is twice higher. An impact of etching depth is more essential for narrower ridges. Quite high values (between 120 and 140 K) of the characteristic parameter T₀ convince very good thermal properties of the above laser.
3
Analiza falowodów ze związków InGaAs, InAlAs i InP dla laserów kaskadowych emitujących w zakresie średniej podczerwieni
71%
Pruszyńska-Karbownik E. , Gutowski P. , Karbownik P. , Sankowska I. , Bugajski M.
|
|
tom Vol. 57, nr 9
23--27
PL
W pracy przedstawiono wyniki obliczeń numerycznych falowodów laserów kaskadowych emitujących promieniowanie o długości fali ok. 5 μm. Rozważano niesymetryczne falowody zawierające podłoże z InP oraz warstwy InGaAs i InAlAs dopasowane sieciowo do InP projektowane do wytworzenia poprzez wzrost epitaksjalny przy wykorzystaniu wyłącznie epitaksji z wiązek molekularnych (MBE). Wyznaczono teoretyczne wartości współczynnika przekrycia pola elektrycznego i obszaru czynnego oraz strat modów poprzecznych dla różnych grubości poszczególnych warstw falowodowych oraz ilości periodów obszaru czynnego. Uzyskane wyniki obliczeń zostały zweryfikowane dla jednej z rozważanych konstrukcji falowodu poprzez porównanie wyznaczonego teoretycznego rozkładu promieniowania w polu dalekim z rozkładem wyznaczonym eksperymentalnie przy użyciu szerokokątnego profilometru goniometrycznego. Względna różnica pomiędzy szerokościami połówkowymi rozkładów teoretycznego i doświadczalnego wyniosła 3,5%.
EN
In this paper, we present results of numerical calculations of quantum cascade laser waveguides emitting radiation with a wavelength of approx. 5 μm. Asymmetric waveguides containing InP substrate and InGaAs and InAlAs lattice matched to InP have been considered. The waveguides have been designed to be manufactured by using molecular beam epitaxy (MBE). We have determined theoretical values of confinement factor and loss of transverse modes for different thicknesses of each waveguide layer. The results of calculations have been verified for one waveguide design by comparing calculated far-field distribution with experimental distribution measured by using a wide-angle goniometric profiler. The relative difference between full width at half maximum of both distributions is 3,5%.
4
Charakterystyki progowe, wzmocnienie i własności optyczne laserów kaskadowych
61%
Pierściński K. , Pierścińska D. , Gutowski P. , Trajnerowicz A. , Karbownik P. , Bugajski M.
|
|
tom Vol. 55, nr 11
37-40
PL
Praca ta przedstawia wyniki analizy elektrooptycznej kwantowych laserów kaskadowych zaprojektowanych na pasmo emisji 9–10 μm bazujących na heterostrukturach GaAs/AlGaAs. Charakteryzacja elektrooptyczna laserów kaskadowych obejmuje pomiary charakterystyk LIV (moc optyczna w funkcji prądu, charakterystyki prądowo napięciowe) oraz charakterystyk spektralnych.
EN
This work presents results of electro-optical characterization of Quantum Cascade Lasers, designed to emit in 9–10 μm range, based on GaAs/AlGaAs heterostructures. Electro-optical characterization of QCLs includes measurements of Light- Current –Voltage curves and spectral characteristics.
5
Wpływ parametrów zasilania na parametry aplikacyjne laserów kaskadowych na zakres średniej podczerwieni
61%
Trajnerowicz A. , Karbownik P. , Pruszyńska-Karbownik E. , Szerling A. , Kosiel K. , Bugajski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
tom Vol. 51, nr 10
109-111
PL
W pracy omawiamy podstawowe pomiary charakteryzacyjne kwantowych laserów kaskadowych. Przedstawiamy wpływ parametrów zasilania elektrycznego na działanie laserów kaskadowych i omawiamy drogę do ich optymalizacji.
EN
The paper presents basic measurements characterizing the quantum cascade lasers. The impact of pumping current parameters on the quantum cascade lasers operations. The way to optimization of current supply are discussed.
6
Kwantowe lasery kaskadowe na zakres średniej podczerwieni
61%
Kosiel K. , Szerling A. , Bugajski M. , Karbownik P. , Pruszyńska-Karbownik E. , Sankowska I. , Kubacka-Traczyk J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
tom Vol. 52, nr 10
15-18
PL
Prezentujemy systematyczny rozwój naszych prac nad technologią laserów kaskadowych AlGaAs/GaAs. W wyniku zastosowania właściwych rozwiązań konstrukcyjnych oraz udoskonalenia procesów wytwarzania przyrządów, otrzymaliśmy lasery działające w temperaturze pokojowej, które ostatnio zdały test w ramach prototypowego układu detekcji śladowych ilości substancji gazowych.
EN
We present a systematic development of our works on technology of Al­GaAs/GaAs quantum-cascade lasers. As a result of appropriate constructional solutions as well as improvement of device fabrication processes we have obtained the room-temperature operating lasers. These devices have recently passed the test as mid-infrared sources within prototype gas trace detection system.
7
Content available GaAs/AlGaAs (~9.4 žm) quantum cascade lasers operating at 260 K
51%
Bugajski M. , Kosiel K. , Szerling A. , Kubacka-Traczyk J. , Sankowska I. , Karbownik P. , Trajnerowicz A. , Pruszy E. , Pierciński K. , Pierścińska D.
|
2010
|
tom Vol. 58, nr 4
471-476
EN
The fabrication of Quantum Cascade Lasers (QCLs) emitting at 9.4 um is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded in 77 K were over 1 W, and the slope efficiency 0.5–0.6 W/A per uncoated facet. This has been achieved by the use of GaAs/Al0.45Ga0.55As heterostructure, with 3QW anticrossed-diagonal design originally proposed by Page et al. [1]. Double plasmon planar confinement with Al-free waveguide has been used to minimize absorption losses. The double trench lasers were fabricated using standard processing technology, i.e., wet etching and Si3N4 for electrical insulation. The QCL structures have been grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE), with Riber Compact 21T reactor. The stringent requirements – placed particularly on the epitaxial technology – and the influence of technological conditions on the device structure properties are presented and discussed in depth.
8
Content available GaAs/AlGaAs (~9.4 μm) quantum cascade lasers operating at 260 K
51%
Kosiel K. , Bugajski M. , Szerling A. , Kubacka-Traczyk J. , Sankowska I. , Karbownik P. , Trajnerowicz A. , Karbownik E. , Pierściński K. , Pierścińska D.
|
|
nr 4
9
Montaż laserów kaskadowych na pasmo średniej podczerwieni
51%
Karbownik P. , Barańska A. , Trajnerowicz A. , Szerling A. , Kosiel K. , Wójcik-Jedlińska A. , Wasiak M. , Gronowska I. , Bugajski M.
|
|
tom Vol. 52, nr 1
86-88
PL
W artykule przedstawione są wynik prac nad montażem struktur GaAs/ AlGaAs laserów kaskadowych (QCL) emitujących w średniej podczerwieni. Ze względu na wysokie napięcie i prąd potrzebny do uzyskania akcji laserowej odprowadzanie ciepła odgrywa bardzo istotną rolę w tego typu przyrządach. Jednym z ważniejszych etapów procesu technologicznego wytwarzania przyrządów optoelektronicznych jest ich montaż. Ma on bardzo duży wpływ na termiczne zachowanie gotowego przyrządu. W pracy wykorzystano mikrofotoluminescencję do wyznaczenia wzrostu temperatury wewnątrz zasilanych przyrządów. Jakość lutowania oceniano stosując skaningową mikroskopię optyczną. Rezultaty badań nad montażem przyczynił się do uzyskania laserów kaskadowych pracujących w temperaturze pokojowej i emitujących moc optyczną ∼ 12 mW.
EN
The assembling technology of GaAs/AIGaAs Quantum Cascade Lasers (QCLs) is investigated in this paper. The heat management plays crucial role due to high operating current and voltage of such devices. One of the most important steps during processing of QCLs is the device bonding technology. The results of this process have strong influence on final performance of devices. The spatially resolved photoluminescence (SRPL) technique is applied for device thermal analysis. The solder quality is investigated by means of scanning acoustic microscopy (SAM). Results of optimization play crucial role in obtaining room temperature operation of QCLs with optical power 12 mW.
10
Lasery kaskadowe na zakres średniej podczerwieni
51%
Kosiel K. , Szerling A. , Karbownik P. , Kubecka-Traczyk J. , Pruszyńska-Karbownik E. , Trajnerowicz A. , Pierścińska D. , Bugajski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
tom Vol. 51, nr 10
99-102
PL
Lasery kaskadowe są przyrządami unipolarnymi, w których mechanizm emisji promieniowania koherentnego opiera się na wewnątrzpasmowych optycznych przejściach nośników. Istota ich działania pozwala na zastosowanie szerokiej gamy półprzewodnikowych materiałów epitaksjalnych, w celu otrzymania długości fali wybranej z bardzo szerokiego zakresu emisyjnego podczerwieni. Warunkiem sukcesu jest sprostanie wymaganiom skrajnie wysokiej precyzji podczas realizacji założeń konstrukcyjnych, zwłaszcza tych dotyczących geometrii krawędzi pasma przewodnictwa obszaru aktywnego. Prezentujemy tu opracowaną przez nas technologię wytwarzania laserów kaskadowych AlGaAs/GaAs, emitujących wiązkę (∼ 9,4 µm) o mocy ponad 1 W piku (77K) oraz moc optyczną - 12 W w temperaturze pokojowej.
EN
Quantum cascade lasers are unipolardevices, in which the machanism of emission of coherent radiation is based on the intraband optical transitions of carriers, The idea of QCL enables the application of a wide range of epitaxial semiconductor materials in order to extract the needed wavelength, which is obtainable from the very wide emission spectrum. However only the extremely precise realisation of the appropriate constructional assumptions (towards the thicknesses, compositions and the doping levels of layers of the heterostructure) promotes the success in the field. The adequate MBE technology development as well as the perfect device processing elaboration enabled us to obtain AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers emitting the radiation (∼ 9 µm) with over 1W peak powers (77K). Lasers work at the room-temperature generating optical power - 12 mW.
11
Content available remote (100) GaAs surface treatment prior to contact metal deposition in AlGaAs/GaAs quantum cascade laser processing
51%
Papis E. , Barańska A. , Karbownik P. , Szerling A. , Wójcik-Jedlińska A. , Bugajski M. , Rzodkiewicz W. , Szade J. , Wawro A.
Optica Applicata
|
2009
|
tom Vol. 39, nr 4
787-797
EN
The effects of HCl-based chemical and Ar+ sputter etching treatment on (100) GaAs surface properties with the aim to develop the procedure of surface preparation before metal deposition have been investigated. Variable angle spectroscopic ellipsometry, X-ray photoelectron spectroscopy, atomic force microscopy and photoluminescence have been used to study the surface characterization. We show that combining chemical etching in 5% HCl with Ar+ sputter etching gives the best results for surface cleaning prior to metal deposition. The application of this two-step treatment allows to obtain Ni/AuGe/Ni/Au ohmic contact with rc = 2×10–6 .omega.cm2 with excellent adhesion and long-term thermal stability.
12
Content available remote Low resistance ohmic contacts to n-GaAs for application in GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers
51%
Karbownik P. , Barańska A. , Szerling A. , Macherzyński W. , Papis E. , Kosiel K. , Bugajski M. , Tłaczała M. , Jankieła R.
Optica Applicata
|
2009
|
tom Vol. 39, nr 4
655-661
EN
This paper reports on the results of optimization of ohmic contacts for GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers (QCLs). Technological parameters during optimization concerned surface preparation, evaporation method, and thermal treatment. The aim of this research was to obtain low resistance and time stable ohmic contacts. The average specific contact resistance was 6×10-7 ?cm-2 with record value below 3×10-7 ?cm-2. It appears that the crucial role in contact formation is played by the in-situ surface pretreatment and thermal processing. Circular transmission line method (CTLM) was applied for electrical characterization of Ni/AuGe/Ni/Au metallization system. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) was used for determination of Au diffusion into semiconductor. The system presented was used in fabrication of pulse operating QCLs. The lasers mounted with diamond heat spreaders on copper block cooled by liquid nitrogen (LN) achieved optical powers over 1 W, threshold current density values of 7 kAcm-2 and differential efficiencies above 1 W/A.
13
Content available Ohmic contacts for room-temperature AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers (QCL)
51%
Baranska A. , Szerling A. , Karbownik P. , Hejduk K. , Bugajski M. , Laszcz A. , Golaszewska-Malec K. , Filipowski W.
Optica Applicata
|
2013
|
tom Vol. 43, nr 1
5--15
EN
This paper reports on the results of optimization of the ohmic contacts for GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers (QCLs). Technological parameters during the optimization procedure concerned time and temperature of thermal processing as also the ratio of metallic layers thickness. The main goal of this work was to obtain stable ohmic contacts with low resistance and a smooth surface. Circular transmission line method (CTLM) was applied for the electrical characterization of the Ni/AuGe/Ni/Au and AuGe/Ni/Au metallization systems. Transmission electron microscopy (TEM) method was used for the characterization of microstructures. Elements concentration in layers was determined by the energy dispersive X-ray spectroscopy (EDXS). The best results for the specific contacts resistivity, thermal stability and morphology were obtained when the Ni/AuGe/Ni/Au and the AuGe/Ni/Au systems were processed at 440 °C and 400 °C, respectively.
14
Content available remote Technologia wytwarzania terahercowych laserów kaskadowych
41%
Szerling A. , Kosiel K. , Szymański M. , Prokaryn P. , Płuska M. , Trajnerowicz A. , Sakowicz M. , Karbownik P. , Wasilewski Z. , Gołaszewska K. , Kozubal M. , Kruszka R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
tom R. 93, nr 8
50--53
PL
W artykule przedstawiono technologię wytwarzania terahercowych laserów kaskadowych z warstwami metalicznymi pełniącymi rolę płaszczy falowodów. Obszar aktywny tych laserów składa się z 228 powtórzeń modułu zbudowanego ze sprzężonych studni potencjału Al0,15Ga0,85As/GaAs. W pracy przedstawiono pełny cykl technologiczny wytwarzania lasera terahercowego, obejmujący osadzanie warstw metalicznych, łączenie obszarów aktywnych laserów z podłożem zastępczym, usuwanie podłoża i warstwy stopującej (warstwy AlAs zatrzymującej trawienie podłoża GaAs, pełniącej funkcję technologiczną podczas usuwania podłoża) i następnie formowanie falowodu grzbietowego. Według tego schematu technologicznego wykonano trzy serie laserów, w których zastosowano różne płaszcze metaliczne (5 nm Ti/ 300 nm Au; 5 nm Ti/ 300 nm Cu; 5 nm Ti/ 300 nm Ag). Uzyskane lasery charakteryzowały się gęstościami prądu progowego na poziomie Jth ~ 1,2 kA/cm2 oraz maksymalną temperaturą pracy Tmax=140 K.
EN
In the paper, the fabrication of terahertz quantum cascade lasers equipped with metallic layers playing the role of waveguide claddings is presented. Its operation is based on 3-quantum-well (3QW) modules, where the GaAs QWs are separated by Al0.15Ga0.85As barriers. The laser's active region is built by stacking the 228 modules. The scheme of processing of THz QCLs with metal – metal waveguides is shown, covering metal layer deposition, wafer bonding, removing of the substrate with etch stop layer (an AlAs layer used for terminating of the GaAs substrate etching, so playing the technological role during the substrate removal process). The fabrication of ridge structure is also presented. According to this scheme three series of the lasers were fabricated. The lasers with 5 nm Ti/ 300 nm Au, 5 nm Ti/ 300 nm Cu, 5 nm Ti/ 300 nm Ag as waveguide layers were made. The fabricated lasers have threshold current densities Jth ~ 1.2 kA/cm2 and the maximum operating temperature was Tmax = 140K.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.