New results on ternary InGaAs crystals grown using liquid encapsulated Czochralski technique with constant liquid composition are reported. X-ray high-resolution diffractometry (rocking curves and reciprocal space maps) as well as X-ray topography using the transmission Lang setup were used. Growth history of the bulk ingots was revealed.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.