In this paper, the authors present a new attempt to the growth of AlGaAs structures with continuous change of aluminum content by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) technique. The new method of design of multistage growth process for functionally graded semiconductor materials (FGM) has been proposed. A comparison between classical single stage and multistage growth process has been carried out. The analysis of PVS, ECV and SIMS results of fabricated photodetector structures shows significant differences in composition profile of theoretically estimated and fabricated structures, and prove that the new conception of multistage process has more advantages over classical single stage procedure.
Wzrost światowego zapotrzebowania na energię elektryczną wymusza rozwój badań w zakresie alternatywnych źródeł energii. Fotowoltaika wydaje się być perspektywicznym i nieszkodliwym dla środowiska sposobem konwersji promieniowania słonecznego na sygnał elektryczny. Obok powszechnych już ogniw i modułów krzemowych aktualnie badane są wysokosprawne, wielozłączowe ogniwa bazujące ma materiałach AIIIBV. W niniejszej pracy przedstawiono wyniki dotyczące zastosowania poczwórnych związków półprzewodnikowych InGaAsN w konstrukcji ogniwa słonecznego p-i-n.
EN
The worldwide increase of electric power consumption forces the development of alternative sources of energy. Photovoltaics seems to be a promising and harmless to the natural environment method of producing electrical power. Besides silicon cells and panels, present researches are focused on high efficiency and multijunction solar cells based on AIIIBV semiconductors. This paper presents the results of application of the new InGaAsN semiconductor compounds in the p-i-n solar cell construction.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.