Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Porównanie metody analitycznej i numerycznej metody elementów skończonych (MES) w zastosowaniu do obliczania pola megnetycznego prostych układów cylindrycznych

100%

Tomczuk B. , Czernecki R.

2000

tom z. 50

59-78

Analizowano pole magnetyczne zwoju kołowego, jak również uzwojenia z przewodzącym i nieprzewodzącym rdzeniem magnetycznym.Obliczenia przeprowadzono w cylindrycznym układzie współrzędnych. Wyniki obliczeń analitycznych porównano z wynikami otrzymanymi numerycznie.Obserwuje się dobrą ich zgodność.Wyrażenia analityczne są słuszne dla obliczania natężenia pola elektromagnetycznego w wybranych punktach, np. w punktach usytuowanych na osi geometrycznej cewki, podczas gdy metoda numeryczna jest pomocna dla obliczeń tego natężenia we wszystkich punktach analizowanego obszaru.

Magnetic fields a single wire coil as well as the winding with conducting and non-conducting magnetic core have been analysed.The calculations were carried out in the cylindrical system of the coordinates.The results of the analytical calculations have been compared with that abtained numerically.Good agreement of the results is observed.The analytical expressions are valid for calculation of the magnetic field intensity only at selected points e.g.at points situated on the geometrical axis of the coil,while the numerical method is usefull for calculations of the inten

Technology and characterization of resonant cavity enhanced MSM GaAs photodetectors

51%

Ściana B. , Radziewicz D. , Zborowska-Lindert I. , Boratyński B. , Czernecki R. , Sitarek P. , Misiewicz J. , Tłaczała M.

Electron Technology

2000

tom Vol. 33, No. 3

404-407

Design, material growth and characterization of high speed resonant cavity enhanced GaAs MSM photodetector for 0.87 µm were performed. The epitaxial structure was grown by Metal Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE). A GaAs absorption layer was placed inside a Fabry-Perot resonant cavity formed by a 10 apir AlAs/GaAs quarter-wavelength stack Bragg reflector on the substrate side and the natural semiconductor-air interface on the top side. The quality of the Bragg reflector was examined using a high resolution X-ray diffraction and reflectivity measurements. The Ti/Pd/Au multifinger Schottky contacts were patterned using lift-off photolithographic technique. The current responsivity, spectral chracteristics and optical pulse response of the obtained RCE MSM photodetectors were measured.

In-depth and in-plane profiling of light emission properties from semiconductor-based heterostructures

41%

Godlewski M. , Wojtowicz T. , Goldys E. M. , Phillips M. R. , Czernecki R. , Prystawko P. , Leszczynski M. , Perlin P. , Grzegory I. , Porowski S. , Bottcher T. , Figge S. , Hommel D.

tom Vol. 12, No. 4

353-359

Cathodoluminescence (CL) technique is applied for evaluation of in-depth and in-plane variations of light emission from semiconductor heterostructures, including laser diode structures. Light emission properties of heteroepitaxial and heteroepitaxial structures, are studied. We demonstrate possibility of in-depth profiling of complicated multi quantum well structures, which allows us to evaluate light emission characteristics from different regions of, e.g., laser structures. Due to this property of the CL, we can evaluate interconnections between structural quality of the samples and light emission characteristics. Stimulated emission under electron bean pumping is achieved in a conventional CL, set up for selected heterostructures. Thereshold currents for stimulated emission are evaluated from the CL investigations. We demonstrate that potential fluctuations are not fully screened in the active regions of laser structures, even at large excitation densities.