Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

1 Acta Physica Polonica A

1 2017

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Electronic Properties of Stacked ZrO₂ Films Fabricated by Atomic Layer Deposition on 4H-SiC

100%

Król K. , Kwietniewski N. , Gierałtowska S. , Wachnicki Ł. , Sochacki M.

Acta Physica Polonica A

2017

tom 132

nr 2

329-331

The electronic properties of ZrO₂/SiO₂ stacked dielectric layers are reported as a function for temperature of the atomic layer deposition process. A dielectric layer has been characterized by C-V and I-V measurements of MIS structures. A strong dependence of κ value of ZrO₂ layer has been observed as a function of deposition temperature T. The values within the range of κ≈16-26 have been obtained. All measured stacked dielectric layers show an increase in dielectric breakdown voltage compared to simple SiO₂ dielectric by average factor of 1.7 and factor of 2 (21 MV/cm) for high-κ oxides deposited at low temperature (85°C).