Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2012

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Impedance of reverse biased diodes irradiated with krypton ions with energy of 250 MeV

100%

Poklonski N. A. , Gorbachuk N. I. , Ermakova A. V. , Tarasik M. I. , Shpakovski S. V. , Filipenia V. A. , Skuratov V. A. , Wieck A. , Kołtunowicz T. N.

Przegląd Elektrotechniczny

2012

tom R. 88, nr 7a

312-314

The p+n-junction silicon diodes irradiated with krypton ions with the energy of 250 MeV were studied. The distance [delta] between the p�yn-junction boundary and calculated maximum in the distribution of the primary vacancies was about 26.4 žm. It was shown that transformations of a complex plane plot of the electric modulus at the increased reverse bias take place due to a change in the impedance ratio ZL/ZJ of the irradiation damaged layer ZL to space charge region ZJ as well as due to changes in the electron population of the energy levels of irradiation-induced defects.

Przebadano diody krzemowe o typu p+n naświetlane jonami kryptonu o energii 250 MeV. Odległość [delta] między granicą złącza p+n i obliczonym maksimum w rozkładzie wakatów pierwotnych wyniosła około 26,4 žm. Wykazano, że przekształcenia zespolonej płaszczyzny modułu elektrycznego przy zwiększonej polaryzacji zaporowej złącza mogą nastąpić pod wpływem zmiany stosunku impedancji ZL/ZJ warstwy zdefektowanej promieniowaniem ZL do impedancji obszarów z ładunkiem przestrzennym ZJ, jak również ze względu na zmiany w koncentracji elektronów na poziomach energetycznych defektów powstałych poprzez promieniowanie.