Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

2 2004

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modelowanie wpływu parametrów tranzystora HBT z bazą SiGe na prędkość nośników w bazie przy użyciu symulatora APSYS 2000

100%

Linkowski A. , Łukasiak L. , Jakubowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

tom Vol. 45, nr 10

24-25

Analiza wpływu domieszkowania i zawartości Ge w bazie tranzystora HBT z bazą SiGe na prędkość nośników w bazie przy użyciu symulatora przyrządów półprzewodnikowych APSYS 2000.

The influence of such SiGe-base HBT parametrs, as doping and Ge content in the base, on the carrier velocity in the base is studied using APSYS 2000 simulator.

Modeling SiGe-base HBT using APSYS 2000 - a 2D simulator

100%

Linkowski A. , Łukasiak L. , Jakubowski A.

Journal of Telecommunications and Information Technology

2004

tom nr 1

36-38

The paper is devoted to optimization of SiGe-base HBT with respect to operation speed by means of numerical simulation. The influence of design parameters on f(T) is studied.