Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Electrical conductivity of implant isolation in GaAs

100%

Synowiec Z.

|

tom Vol. 44, nr 2

349-356

EN

GaAs wafers with the Si doped epitaxial layers were bombarded by double energy of oxygen ions with 250 keV and 100 keV of 10[indeks górny]12 cm-2÷5x10[indeks górny]13 cm-2 doses followed by 500°C annealing process. Temperature dependence of the layer resistivity was evaluated in the temperature range 30÷423 K for the above structures to estimate the conduction mechanism in the material. Variable range hopping conductivity dominated at temperatures up to 300 K for high ion doses (5x10[indeks górny]13 cm-2) and up to 250°K for lower doses (10[indeks górny]13 cm-2). At higher temperatures, the resistivity data plotted indicated a transition from hopping to conduction through the extended states.

PL

Płytki GaAs z domieszkowanymi krzemem warstwami epitaksjalnymi bombardowano dwukrotnie jonami tlenu o energii 250 keV i 100 keV i o dawce od 10[indeks górny]12 cm-2 do 5x10[indeks górny]13 cm-2, a następnie wygrzewano w temperaturze 500°C. Dla oceny mechanizmu przewodnictwa w materiale powyższych struktur określono temperaturową zależność rezystywności warstw w temperaturze od 30 do 423 K. Przewodnictwo hoppingowe o zmiennym zasięgu dominowało do 300 K dla przypadku wysokich dawek jonów (5x10[indeks górny]13 cm-2) i do 250 K dla niższych dawek (10[indeks górny]12 cm-2). W wyższych temperaturach, wykreślone temperaturowe zależności rezystywności wskazują na przechodzenie od hoppingu do przewodnictwa po stanach rozciągłych.

2

SiC Schottky Barrier Rectifiers - Theory and Practice

100%

Synowiec Z.

|

2004

|

tom T. 32, nr 1-4

5-22

EN

The direct current characteristics of real packaged SiC Schottky barrier rectifiers in the light of up to date knowledge on the reveal subject are presented in this paper. The theory on SiC Schottky barrier rectifier from literature is collected in the text. For comparison the characteristics of SiC Schottky diodes fabricated in research laboratories and reported in literature are also presented. The investigated diodes were intended to work with the maximal forward current of 1 A and the maximal reverse voltage of 600 V. The measured characteristics of four diodes are in a harmony with characteristics presented in product data sheets for room temperature. In the forward current range for which the diodes are intended to work that is for current from 1 mA to 1 A, the I-V characteristics of the diodes are almost identical. The ideality factor ranges from about 1.12 to about 1.17 and is within the range reported in relevant literature. However, there are very different values of reverse leakage currents, although these values are within the range guaranteed by the producer. On the other hand, the forward I-V characteristics below the voltage of 0.75 V and the reverse I-V characteristics below the voltage of 600 V have large discrepancies. The measured reverse I-V characteristics are different from the commonly shown characteristics in papers.

PL

W artykule przedstawiono stałoprądowe charakterystyki handlowo dostępnych, prostowniczych diod Schottky 'ego wykonanych z węglika krzemu (SiC) oraz omówiono mechanizmy przepływu prądu zgodnie z obecnym stanem wiedzy w tej dziedzinie. Dla porównania przedstawiono dostępne w literaturze charakterystyki diod Schottky 'ego z SiC wytworzonych w laboratoriach badawczych. Badane diody przewidziane 53 do pracy z maksymalnym prądem przewodzenia wynoszącym 1 A i z maksymalnym napięciem wstecznym wynoszącym 600 V. Zmierzone w temperaturze pokojowej parametry czterech diod spełniają wymagania zawarte w karcie katalogowej producenta. W istotnym dla pracy tego typu prostownika przedziale wartości natężenia prądu tj. od 1 mA do 1 A, charakterystyki I-V tych diod s§ prawie identyczne. Współczynnik idealności badanych diod wynoszący od 1.12 do 1.17 mieści się w przedziale ktory podawany jest w literaturze. Natomiast, dla polaryzacji wstecznej badane diody majaą bardzo różne wartości prądu upływu, chociaż mieszczą się one w granicach gwarantowanych przez producenta. Generalnie, dla napieć poniżej 0.75 V w kierunku przewodzenia oraz dla napiec poniżej 600 V dla kierunku wstecznego, zmierzone charakterystyki I-V zdecydowanie różnią się między sobą i istotnie inne od tych prezentowanych zwykle w publikacjach.

3

Stałoprądowe właściwości elektryczne izolacji implantowanej w arsenku galu

100%

Synowiec Z.

|

1998

|

tom T. 26, nr 1

40-55

PL

Zbadano właściwości elektryczne izolacji implantowanej w GaAs, takie jak transport nośników ładunku elektrycznego, stabilność termiczną i wytrzymałość na przebicie elektryczne. Wyjaśniono mechanizm przebicia elektrycznego oraz wpływ podłoża i warstwy buforowej na właściwości materiału. Stabilność termiczna zależy od gęstości defektów wynikającej z dawki bombardujących jonów:. Przedstawiono charakterystyki prądowo-napięciowe (I-U) izolacji o różnych długościach. Z drugiej strony taki sam wpływ długości izolacji na wytrzymałość elektryczną w przypadku półizolującego arsenku galu (SI) GaAs wskazuje na dominujący wpływ podłoża z jego stanami powierzchniowymi na wytrzymałość elektryczną struktur z izolacją implantowaną. Ponieważ podłoże GaAs może obniżać wytrzymałość elektryczną izolacji implantowanej, wymagana jest nie domieszkowana warstwa buforowa. Konieczna grubość bufora zależy od długości izolacji i wymaganego napięcia przebicia.

EN

The electrical properties of implant isolation in GaAs such as electrical carrier transport, thermal stability and electrical breakdown strength are determined. The mechanism of electrical breakdown and influence of a substrate and a buffer layer on material properties are explained. The thermal stability is determined by a defect density as a function of ion bombarding dose.

4

Electrically active defects in SiC Schottky barrier diodes

51%

Gelczuk Ł. , Dąbrowska-Szata M. , Synowiec Z.

Materials Science Poland

|

2011

|

tom Vol. 29, No. 1

70--75

EN

The electrical properties of deep-level defects in real packaged SiC Schottky barrier rectifiers were studied by deep level transient spectroscopy (DLTS). One deep-level trap with an activation energy in the 0.29-0.30 eV range was revealed to be present in all the tested samples. The electrical characteristics of the trap indicate it is probably attributed to dislocations or to metastable defects, which can be responsible for discrepancies observed in I-V characteristics (see Ref. [2]).