PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 17

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Technologia informacji (Nagroda Nobla z fizyki)
100%
Bugajski M.
|
|
tom T. 52, z. 2
100-102
PL
Nagrodę Nobla z fizyki w 2000 r. przyznano Żoresowi I. Alferowowi i Herbertowi Kroemerowi, którzy uhonorowani zostali za koncepcję i praktyczną realizację heterostruktur półprzewodnikowych, stosowanych w szybkiej elektronice i optoelektronice, oraz Jackowi S. Kilby'emu za jego udział w wynalezieniu układu scalonego. Tym samym u progu nowego wieku Królewska Szwedzka Akademia Nauk nagrodziła prace kładące podwaliny nowoczesnych technologii informacyjnych.
2
Department of Physics and Technology of Low-Dimensional Structures
100%
Bugajski M.
|
|
tom z. 1/2
27-42
3
Department of Physics and Technology of Low-Dimensional Structures
100%
Bugajski M.
|
|
tom z. 2
27-42
4
Department of Physics and Technology of Low-Dimensional Structures
100%
Bugajski M.
|
|
tom z. 8-12
23-34
5
Department of Physics and Technology of Low-Dimensional Structures
100%
Bugajski M.
|
2005
|
tom z. 1/2
27-42
6
Department of Physics and Technology of Low-Dimensional Structures
100%
Bugajski M.
|
|
tom z. 4-7
19-28
7
Department of Physics and Technology of Low-Dimensional Structures
100%
Bugajski M.
|
|
tom z. 1/2
33--48
8
Department of Physics and Technology of Low-Dimensional Structures
100%
Bugajski M.
|
2003
|
tom z. 2
31-44
9
Content available remote 3D self-consistent solution of Poisson and Schrödinger equations for electrostatically formed quantum dot
51%
Machowska-Podsiadło E. , Mączka M. , Bugajski M.
|
|
tom Vol. 55, nr 2
245-249
EN
In this work we discuss 3D selfconsistent solution of Poisson and Schrodinger equations for electrostatically formed quantum dot. 3D simulations give detailed insight into the energy spectrum of the device and allow us to find values of respective voltages ensuring given number of electrons in the dot. We performed calculations for fully 3D potential and apart from that calculations for the same potential separated into two independent parts, i.e. re-garding to the plane of 2DEG and to the direction perpendicular to the meant plane. We found that calculations done for the two independent parts of the potential give good information about quantum dat properties and they are much faster compared to fully 3D simulations.
10
Struktura pasmowa i optyczne właściwości supersieci InAs/GaSb
51%
Machowska-Podsiadło E. , Jasik A. , Pierściński K. , Bugajski M.
|
2010
|
tom Vol. 51, nr 10
30-32
PL
W pracy przedstawiono wyniki obliczeń stanów elektronowych w supersieciach II rodzaju wykonane dla trzech próbek, złożonych z 30 sekwencji warstw o grubości nominalnej 8 ML InAs/8 ML GaSb oraz zmierzone dla nich widma luminescencji (PL). Badane supersieci zostały wykonane metodą epitaksji z wiązki molekularnej na podłożu GaSb. Prezentowane widma PL są zgodne z wynikami przedstawionymi w pracy [1]. Krawędź absorpcji badanych supersieci otrzymano na poziomie 4,26 µm. Wyniki eksperymentu porównano z wynikami obliczeń numerycznych, wykonanych metodą opisaną, w pracy [2]. Stany elektronowe supersieci wyznaczono z uwzględnieniem mieszania się stanów dziur ciężkich (HH) oraz dziur lekkich (LH) na powierzchniach międzyfazowych pomiędzy warstwami supersieci. W obliczeniach uwzględniono zjawisko nieparaboliczności pasm, związane z wąską, przerwą energetyczną arsenku indu. Wyniki przeprowadzonych symulacji korespondują z wynikami otrzymanymi na podstawie eksperymentu.
EN
In the work we present the results of the electron states calculation in the type-II superlattices. Calculations were performed for the three samples with the 30 layer sequence with the nominal thickness 8 ML InAs/8 ML GaSb. We also present the photoluminescence (PL) spectra measured for the investigated structures. The superlattices were grown on GaSb substrate with the use of molecular beam epitaxy. The measured PL spectra are in a good agreement with the results presented in the work [1]. The cutt-off wavelength of the investigated superlattices was obtained on the level of 4,26 µm. The experimental results were compared with the results of the numerical calculations which were performed with the use of the method presented in the work [2]. The electron states in the superlattice were calculated taking into account the effect of heavy hole and light hole mixing at the interfaces between InAs and GaSb layers. In the calculations we considered the effect of the nonparabolicity which is the consequence of the narrow InAs band gap. The results of calculation correspond with the results obtained from the experiment.
11
Content available The influence of MBE growth conditions on optical properties of InGlGaAs/AlGaAs structures
45%
Kosiel K. , Regiński K. , Szerling A. , Piwoński T. , Bugajski M.
|
|
tom Vol. 36, nr 4
1-3
EN
Optical properties of compressively strained In₀.₂₄Al₀.₁₉Ga₀.₅₇As layers were investigated as a function of the MBE growth conditions. The optimum temperature of the crystal surface (Ts) for MBE growth of this quaternary layer as well as the optimal cooling down process necessary for achieving appropriate Ts for InAlGaAs were experimentally found.
12
Content available remote Multi-step interrupted-growth MBE technology for GaAs/AlGaAs (~9.4 µm) room temperature operating quantum-cascade lasers
39%
Kosiel K. , Kubacka-Traczyk J. , Sankowska I. , Szerling A. , Gutowski P. , Bugajski M.
|
|
tom Vol. 20, No. 3
239-246
EN
In order to adjust the highly controllable and optimum growth conditions, the multi-step interrupted-growth MBE processes were performed to deposit a series of GaAs/Al₀.₄₅Ga₀.₅₅As QCL structures. The additional calibrations of MBE system were carried out during the designed growth interruptions. This solution was combined with a relatively low growth rate of active region layers, in order to suppress the negative effects of elemental flux instabilities. As a result, the fabricated QCL structures have yielded devices operating with peak optical power of ~12 mW at room temperature. That is a better result than was obtained for comparable structures deposited with a growth rate kept constant, and with the only initial calibrations performed just before the epitaxy of the overall structure.
13
Wpływ parametrów zasilania na parametry aplikacyjne laserów kaskadowych na zakres średniej podczerwieni
39%
Trajnerowicz A. , Karbownik P. , Pruszyńska-Karbownik E. , Szerling A. , Kosiel K. , Bugajski M.
|
2010
|
tom Vol. 51, nr 10
109-111
PL
W pracy omawiamy podstawowe pomiary charakteryzacyjne kwantowych laserów kaskadowych. Przedstawiamy wpływ parametrów zasilania elektrycznego na działanie laserów kaskadowych i omawiamy drogę do ich optymalizacji.
EN
The paper presents basic measurements characterizing the quantum cascade lasers. The impact of pumping current parameters on the quantum cascade lasers operations. The way to optimization of current supply are discussed.
14
Morfologia powierzchni międzyfazowych w wielowarstwowych strukturach periodycznych AlGaAs/GaAs
39%
Barańska A. , Kosiel K. , Kubacka-Traczyk J. , Bugajski M. , Pasternak I. , Płociński T. , Kurzydłowski K.
|
2010
|
tom Vol. 51, nr 10
112-115
PL
Artykuł przedstawia wyniki badań morfologii powierzchni międzyfazowych heterostruktur epitaksjalnych AlGaAs/GaAs. Struktury zostały wykonane metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE). Charakteryzację struktur przeprowadzono stosując mikroskopię sił atomowych (AFM) oraz wysokorozdzielczą transmisyjną mikroskopię elektronową (HRTEM). Badano warstwy GaAs/GaAs, AlGaAs/GaAs oraz wielowarstwowe struktury periodyczne AlGaAs/GaAs, osadzane na podłożach o orientacji (100).
EN
The paper presents some results of investigation of interfacial morphology in AlGaAs/GaAs epitaxial heterostructures. The structures were grown by molecular beam epitaxy (MBE). Their characterisation was performed by atomie force microscopy (AFM) and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The simple GaAs/GaAs, AlGaAs/GaAs as well as multilayer, periodic AlGaAs/GaAs heterostructures deposited on (100) GaAs substrates were studied.
15
Charakterystyki progowe, wzmocnienie i własności optyczne laserów kaskadowych
39%
Pierściński K. , Pierścińska D. , Gutowski P. , Trajnerowicz A. , Karbownik P. , Bugajski M.
|
|
tom Vol. 55, nr 11
37-40
PL
Praca ta przedstawia wyniki analizy elektrooptycznej kwantowych laserów kaskadowych zaprojektowanych na pasmo emisji 9–10 μm bazujących na heterostrukturach GaAs/AlGaAs. Charakteryzacja elektrooptyczna laserów kaskadowych obejmuje pomiary charakterystyk LIV (moc optyczna w funkcji prądu, charakterystyki prądowo napięciowe) oraz charakterystyk spektralnych.
EN
This work presents results of electro-optical characterization of Quantum Cascade Lasers, designed to emit in 9–10 μm range, based on GaAs/AlGaAs heterostructures. Electro-optical characterization of QCLs includes measurements of Light- Current –Voltage curves and spectral characteristics.
16
Lasery kaskadowe na zakres średniej podczerwieni
32%
Kosiel K. , Szerling A. , Karbownik P. , Kubecka-Traczyk J. , Pruszyńska-Karbownik E. , Trajnerowicz A. , Pierścińska D. , Bugajski M.
|
2010
|
tom Vol. 51, nr 10
99-102
PL
Lasery kaskadowe są przyrządami unipolarnymi, w których mechanizm emisji promieniowania koherentnego opiera się na wewnątrzpasmowych optycznych przejściach nośników. Istota ich działania pozwala na zastosowanie szerokiej gamy półprzewodnikowych materiałów epitaksjalnych, w celu otrzymania długości fali wybranej z bardzo szerokiego zakresu emisyjnego podczerwieni. Warunkiem sukcesu jest sprostanie wymaganiom skrajnie wysokiej precyzji podczas realizacji założeń konstrukcyjnych, zwłaszcza tych dotyczących geometrii krawędzi pasma przewodnictwa obszaru aktywnego. Prezentujemy tu opracowaną przez nas technologię wytwarzania laserów kaskadowych AlGaAs/GaAs, emitujących wiązkę (∼ 9,4 µm) o mocy ponad 1 W piku (77K) oraz moc optyczną - 12 W w temperaturze pokojowej.
EN
Quantum cascade lasers are unipolardevices, in which the machanism of emission of coherent radiation is based on the intraband optical transitions of carriers, The idea of QCL enables the application of a wide range of epitaxial semiconductor materials in order to extract the needed wavelength, which is obtainable from the very wide emission spectrum. However only the extremely precise realisation of the appropriate constructional assumptions (towards the thicknesses, compositions and the doping levels of layers of the heterostructure) promotes the success in the field. The adequate MBE technology development as well as the perfect device processing elaboration enabled us to obtain AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers emitting the radiation (∼ 9 µm) with over 1W peak powers (77K). Lasers work at the room-temperature generating optical power - 12 mW.
17
Ułar himalajski - wielka kuropatwa
23%
Bugajski M.
|
|
nr 4
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.