Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Design of mmWave multi-sector array using Bowtie antenna elements for 5G mobile base stations

100%

Younus K. M. , Sabaawi A. M. A.

|

tom R. 98, nr 5

115--120

EN

This paper proposes a compact multi-sector array structure based on bowtie antenna elements. The designed array consists of three (1×8) linear arrays to cover 360o. The array is designed to operate at 28 GHz on an RT/Duroid 5880 substrate to meet the high-frequency specifications with a thickness of 1.575 mm and a dielectric constant of 2.2, while the dissipation factor is (0.0009). Each array sector has a dimension of 30.17 mm as width and 6.4 mm as length. A beam steering performance is proved with the capability of switchable beams to offer directional/omnidirectional choices. Simulations results showed that the proposed array exhibits excellent reflection coefficient characteristics along with a high gain of up to 13.5 dBi and high radiation efficiency. Two configurations of array sectors are presented to introduce a flexible control of the array beams.

PL

W artykule zaproponowano kompaktową, wielosektorową strukturę macierzy opartą na elementach antenowych typu bowtie. Zaprojektowana macierz składa się z trzech (1×8) liniowych szyków pokrywających 360o. Macierz jest zaprojektowana do pracy z częstotliwością 28 GHz na podłożu RT/Duroid 5880 w celu spełnienia specyfikacji wysokiej częstotliwości przy grubości 1,575 mm i stałej dielektrycznej 2,2 przy współczynniku rozproszenia (0,0009). Każdy sektor tablicy ma wymiar 30,17 mm szerokości i 6,4 mm długości. Skuteczność sterowania wiązką została udowodniona dzięki możliwości przełączania wiązek w celu oferowania wyborów kierunkowych/wszechkierunkowych. Wyniki symulacji wykazały, że proponowana matryca wykazuje doskonałe właściwości współczynnika odbicia wraz z wysokim wzmocnieniem do 13,5 dBi i wysoką wydajnością promieniowania. Przedstawiono dwie konfiguracje sektorów matrycy w celu wprowadzenia elastycznego sterowania wiązkami matrycy.

2

Simulating the barrier heights impact on the performance of dissimilar electrodes Metal-insulator-metal diode

80%

Emad R. , Algwari Q. T. , Sabaawi A. M. A.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2023

|

tom R. 99, nr 11

141--145

EN

Metal-insulator-metal (MIM) tunnel diodes are desirable for applications including ultra-high frequency rectenna detectors, solar cells, and mixers due to their femtosecond-fast transmission. These applications place strict demands on the current-voltage I(V) properties of diodes. In this paper, a single insulator tunnel diode is simulated using SILVACO ATLAS software to correlate the importance of insulator interfacial stability to MIM rectification performance, which helped to analyse and develop MIM diodes with the desired properties. By keeping the Al2O3 insulator layer, different metals were used as electrodes of the MIM diode to achieve the desired asymmetry. Two schemes of electrode asymmetry were proposed, the first scheme is based on using a metal that produces a constant barrier height at one side of the insulator layer and different barrier heights at the other by using different metals. The second structure implicates using different metals at the sides of the insulator to achieve different barrier heights but with constant barrier differences between the metals. A voltage range of 0.4 V was used to study electrical characteristics. It is found that the MIM structure with fixed barrier height at cathode side produces a good asymmetry with poor nonlinearity, while the results of fixed barrier height at anode side reveals that the figure of merit (FOM) strongly depends on the work function difference of the metals of the MIM structure. For the constant barrier differences, it is found that the smaller the barrier height the larger the current response produced and the lower the turn on voltage. The impact of insulator thickness on the diode FOM shows that the lowest thickness produces the highest asymmetry and nonlinearity.

PL

Diody tunelowe typu metal-izolator-metal (MIM) są pożądane w zastosowaniach, w tym w detektorach prostokątnych ultrawysokiej częstotliwości, ogniwach słonecznych i mikserach ze względu na ich szybką transmisję femtosekundową. Te zastosowania nakładają surowe wymagania na właściwości prądowo-napięciowe I(V) diod. Przeprowadziliśmy symulację pojedynczej diody tunelowej izolatora za pomocą oprogramowania SILVACO ATLAS, aby skorelować znaczenie stabilności międzyfazowej izolatora z wydajnością prostowania MIM, co pomogło nam przeanalizować i opracować diody MIM o pożądanych właściwościach. Zachowując warstwę izolatora Al2O3, zastosowano różne metale jako elektrody diody MIM w celu uzyskania asymetrii elektrody. Zaproponowano dwa schematy asymetrii elektrod, pierwszy schemat opiera się na zastosowaniu metalu, który wytwarza stałą wysokość bariery po jednej stronie warstwy izolatora i różne wysokości bariery po drugiej, przy użyciu różnych metali. Druga struktura implikuje użycie różnych metali po bokach izolatora w celu uzyskania różnych wysokości bariery, ale przy stałych różnicach bariery między metalami. Do badania charakterystyk elektrycznych wykorzystano zakres napięcia 0,4 V. Stwierdzono, że struktura MIM ze stałą wysokością bariery po stronie katody daje dobrą asymetrię ze słabą nieliniowością, podczas gdy wyniki ze stałą wysokością bariery po stronie anody pokazują, że liczba zasług (FOM) jest silnie zależna od różnicy pracy wyjścia posiłki struktury MIM. Stwierdzono, że dla stałych różnic barierowych im mniejsza wysokość bariery, tym większa odpowiedź prądowa i niższe napięcie włączenia. Wpływ grubości izolatora na diodę FOM pokazuje, że najmniejsza grubość izolatora powoduje największą asymetrię i nieliniowość.

3

Study and design of a dual mode resonant band-pass filter suspended substrate stripline for 5G communications

80%

Abawi B. M. , Luhaib S. W. O. , Sultan Q. H. , Sabaawi A. M. A.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2023

|

tom R. 99, nr 4

89--93

EN

In this paper, a compact dual-mode bandpass filter suspended stripline is presented. A square-shape resonator with four shorted ground posts was lied on substrate (Roger 5880, Er=2.2) in the middle of metallic cavity to operate at 5G mobile communications. The internal coupling was achieved by notching the resonator at the place 450 with respect to input and output ports, where the external capacitive coupling was realized by changing the length of input feeder. A 2nd and 4th order bandpass Chebyshev filter are designed and simulated to operate at resonant frequency is 4.8GHz and bandwidth is 100MHz. The simulation results show, the spurious window is about 1.844, the unloaded Q-factor was 1024, the insertion loss was 0.1 dB and the return loss is 17.6 dB.

PL

W artykule przedstawiono zwartą linię paskową zawieszonego filtra pasmowego o dwóch trybach pracy. Na podłożu (Roger 5880, Er=2,2) w środku metalowej wnęki położono kwadratowy rezonator z czterema zwartymi słupkami uziemienia, aby działał w komunikacji mobilnej 5G. Sprzężenie wewnętrzne uzyskano poprzez nacięcie rezonatora w miejscu 450 względem portów wejściowych i wyjściowych, gdzie zewnętrzne sprzężenie pojemnościowe zrealizowano poprzez zmianę długości podajnika wejściowego. Filtr Czebyszewa pasmowoprzepustowy drugiego i czwartego rzędu zaprojektowano i zasymulowano do pracy przy częstotliwości rezonansowej 4,8 GHz i szerokości pasma 100 MHz. Wyniki symulacji pokazują, że fałszywe okno wynosi około 1,844, nieobciążony współczynnik dobroci wynosił 1024, tłumienność wtrąceniowa wynosiła 0,1 dB, a tłumienność odbiciowa 17,6 dB.