Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

The relationships between the immunoexpression of KAI1, MMP-2, MMP-9 and steroid receptors expression in endometrial cancer

100%

Grybos A. , Bar J.

nr 3

Relationships between immunologically distinct P53 forms and P21 WAF1 and PCNA expression in ovarian carcinomas

80%

Harlozinska A. , Bar J. , Montenarh M. , Kartarius S.

nr Suppl.

Ceramic multilayer packages for detectors of alpha particles fabricated by thick film technology

70%

Kulawik J. , Gröger B. , Szwagierczak D. , Węgrzecki M. , Bar J.

tom Vol. 48, nr 12

17-18

This paper describes design and manufacturing of multilayer ceramic packages for new silicon detectors used in detection &#alpha particles. Multistage procedure of developing suitable package involving precise cutting and polishing of alumina substrates, printing, stacking and firing at various temperature conditions was applied to meet the requested specifications. A few patterns and types of thick film pastes based on Au, Ag Pt and low melting sealing glass were used. They were destined for deposition of electrical contact areas, contacts between top and bottom layer metallizations, as well as for pads for wire bonding, dielectric layers and sealing stacked alumina ceramic substrates. Many problems had to be overcome, among other things: leaktightness, mechanical strength, reliability during operation under temperature gradient (from room temperature to liquid nitrogen), lack of bare (not covered) regions of noble metals outside the detector structure. New silicon p+ - v - n+ detector structures as well as a new type of ceramic packages and technology for detectors' assembly were developed in the Institute of Electron Technology. In the Paul-Scherrer Institute in Villingen in Switzerland, 32 sandwiched pairs of such new structures were assembled in the Cryo-On-Line-Detector (COLD) unit.

Opisano projektowanie i wytwarzanie wielowarstwowych ceramicznych obudów nowych krzemowych detektorów cząstek alpha. W celu spełnienia stawianych wymagań zastosowano wieloetapową procedurę obejmującą precyzyjne cięcie i szlifowanie podłoży z tlenku glinu, drukowanie, układanie elementów obudowy i wypalanie w różnych warunkach temperaturowych. Dobrano odpowiednie wzory sit i rodzaje past na bazie Au, AgPt i niskotopliwego szkliwa, przeznaczonych do nanoszenia powierzchni pól kontaktów elektrycznych, kontaktów pomiędzy górnymi i dolnymi warstwami metalizacji, pól do połączeń utrakompresyjnych, warstw dielektrycznych i sklejania ułożonych elementów ceramicznej obudowy. Do problemów, których pokonanie było konieczne, należało: zapewnienie szczelności, wytrzymałości mechanicznej i odporności na pracę w gradiencie temperatur (od temperatury pokojowej do ciekłego azotu), a także uniknięcie pozostawienia odsłoniętych obszarów metali szlachetnych poza strukturą detektorową. Struktury p+ - v - n+ detektorów krzemowych, wielowarstwowa obudowa ceramiczna i sposób montażu zostały opracowane w Instytucie Technologii Elektronowej. W Pau--Scherrer Institut w Villingen w Szwajcarii 32 pary nowych struktur detektorowych wmontowano w matrycę detektora Cryo-On-Line-Detector (COLD).

Design and properties of silicon avalanche photodiodes

51%

Węgrzecka I. , Węgrzecki M. , Grynglas M. , Bar J. , Uszyński A. , Grodecki R. , Grabiec P. , Krzemiński S. , Budzyński T.

tom Vol. 12, No. 1

95-104

A family of silicon avalanche photodiodes with an n⁺-p -π-p⁺ epiplanar structure was developed at the Institute of Electron Technology (ITE). The diameters of photosensitive area range from 0.3 mm to 5 mm. These photodiodes are optimised for detection of 800–850 nm radiation and in that range achieve excellent parameters – high gain, low noise, high detectivity. The detailed research on their spectral dependencies of the gain and noise parameters has revealed that their range of operating is considerable wider and stretches from 550 to 1000 nm. The principles of operation and design considerations concerning avalanche photodiodes are outlined in this paper. Next, the design, technology and properties of silicon avalanche photodiodes developed at the ITE are discussed. Avalanche photodiodes are widely used in detection of very weak and very fast optical signals. Presently in the world, the studies are carried out on applying the avalanche photodiodes in detection of X radiation and in the scintillation detection of nuclear radiation.