Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

1 Opto-Electronics Review

1 2015

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

AlSb and InAs-GaSb layer thickness effect on HH-LH splitting and band gap energies in InAs/AlSb/GaSb type-II superlattices

100%

Alyoruk M. M. , Ergun Y. , Hostut M.

Opto-Electronics Review

2015

tom Vol. 23, No. 1

24-27

This study is based on the investigation of AlSb layer thickness effect on heavy-hole light-hole (HH-LH) splitting and band gap energies in a recently developed N-structure based on InAs/AlSb/GaSb type II superlattice (T2SL) p-i-n photodetector.eFirst principle calculations were carried out tailoring the band gap and HH-LH splitting energies for two possible interface transition alloys of InSb and AlAs between InAs and AlSb interfaces in the superlattice. Results show that AlSb and InAs-GaSb layer thicknesses enable to control HH-LH splitting energies to desired values for Auger recombination process where AlSb/GaSb total layer thickness is equal to InAs layers for the structures with InSb and AlAs interfaces.