Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Powłoki Mg2Si natryskiwane zimnym gazem

100%

Godlewska E. , Żórawski W. , Mars K.

|

tom Vol. 32, nr 4

421-424

PL

Natryskiwanie zimnym gazem jest najnowszą metodą natryskiwania cieplnego. Dzięki uniknięciu niekorzystnego wpływu temperatury na cząstki materiału powłokowego i podłoże pozwala ona uzyskać właściwości powłok nieosiągalne dotychczas konwencjonalnymi metodami natryskiwania cieplnego. W artykule przedstawiono podstawy procesu natryskiwania zimnym gazem oraz jego zastosowania w przemyśle. Pokazano ponadto wyniki badań własnych mikrostruktury i analizy składu fazowego powłoki Mg2Si otrzymanej przez natrysk zimnym gazem.

EN

Cold spraying is the state-of-the-art thermal spraying. By avoiding disadvantageous effects of temperature on the powder particles and the substrate, this method allows obtaining coating properties which are unattainable by conventional thermal spray technology. The paper presents fundamental issues of the cold spraying process and its industrial applications as well as some results of microstructural and compositional studies of a cold sprayed Mg2Si coating.

2

Zastosowanie metody 3-ω do pomiaru przewodnictwa cieplnego materiałów litych oraz warstw

100%

Wojciechowski K. T. , Mania R. , Mars K. , Zybała R.

|

tom Vol. 48, nr 10

61-63

PL

Technologie mikroelektroniczne wymagają opracowania metod pomiaru przewodnictwa cieplnego materiałów otrzymywanych w postaci cienkich warstw nanoszonych na metaliczne lub ceramiczna podłoża. Metoda 3-omega pozwala na wykonanie dokładnych pomiarów przewodnictwa cieplnego materiałów litych oraz warstw w kierunku prostopadłym do podłoża. Opisano opracowaną metodę oraz układ pomiarowy. Metoda została sprawdzona na różnego typu materiałach monokrystalicznych, polikrystalicznych oraz warstwach w zakresie przewodnictwa cieplnego 0,2...140 Wm-1K-1.

EN

Technology in microelectronics requires the development of methods of measuring thermal conductivities of materials in the form of films deposited on the substrate. The 3-omega provides accurate measurements of values of thermal conductivity of bulk materials and films in normal-to-plane direction. The paper describes developed method and experimental setup. The method was successfully verified on various polycrystalline materials, single crystals and layers over the thermal conductivity range from 0.2 to 140 Wm-1 K-1.

3

Kinetyka utleniania i właściwości elektryczne stopu Ni-5Cu na interkonektory do stałotlenkowych elektrolizerów SOEC

88%

Dąbek J. , Mars K. , Bobruk M. , Gil A. , Brylewski T.

|

tom T. 69, nr 4

322--334

PL

Zrównoważony rozwój gospodarczy, który z początkiem XXI wieku stał się priorytetem dla wielu krajów o wysokim stopniu industrializacji, nie będzie możliwy do osiągnięcia bez skutecznego rozwiązania problemu magazynowania nadwyżek energii elektrycznej. Jedno z bardziej obiecujących rozwiązań w tym zakresie zakłada wykorzystanie stałotlenkowych elektrolizerów typu SOEC (ang. solid oxide electrolytic cells) do przekształcania nadwyżek wyprodukowanej energii w paliwo, np. wodór. Podstawowym elementem elektrolizera SOEC jest interkonektor, dzięki któremu pojedyncze jego cele można połączyć szeregowo w stos. Głównym problemem, jaki pojawia się przy stosowaniu interkonektorów metalicznych wykonanych z wysokochromewej stali ferrytycznej, jest stopniowy wzrost powierzchniowej rezystancji elektrycznej, wynikający z wysokotemperaturowej korozji tych materiałów. Głównym składnikiem zgorzeliny powstającej na ferrytycznej stali w atmosferze gazów katodowych i anodowych jest tlenek chromu Cr2O3. Niestety tlenek ten reaguje z tlenem i parą wodną, tworząc lotne związki chromu, które wpływają niekorzystnie na katalityczne właściwości mateiału katodowego i anodowego. Zatem istnieje potrzeba wytworzenia nowego typu metalicznych materiałów wolnych od w/w wad, przeznaczonych na interkonektory do elektrolizerów typu SOEC. Temperatura pracy elektrolizerów SOEC mieści się w zakresie 873-1073 K. Celem pracy było zbadanie kinetyki utleniania zarówno stopu Ni-5Cu, jak i czystego niklu będącego materiałem referencyjnym, a także zmierzenie przewodnictwa elektrycznego tych materiałów po ich utlenieniu. Utlenianie zostało przeprowadzone przez 100 godz. w powietrzu w temperaturach 873 K, 973 K, 1023 K i 1073 K. Na podstawie tych badań, uzupełnionych o obserwacje mikroskopowe oraz analizę składu fazowego i chemicznego produktów utleniania, wykazano, że stop Ni-5Cu można traktować jako potencjalny materiał do wytwarzania interkonektorów dla elektrolizerów SOEC w układzie planarnym.

EN

Sustained development, which has become a priority for many highly industrialized countries at the turn of the 21st century, will not be possible without an efficient solution to the problem of storing surplus electricity. The most suitable technologies for this purpose include solid oxide electrolytic cells (SOECs), which utilize electrolysis to efficiently convert surplus electricity into fuel such as hydrogen. One of the most essential components of both SOECs and SOFCs is the interconnect, which allows the individual cells of the electrolyzer to be connected in series to form stacks. When using metallic interconnects on the basis of ferritic steel, the main issue faced is the gradual increase in area-specific resistance that occurs due to the high-temperature corrosion of these materials. Chromia (Cr2O3) is the main component of the scale formed on ferritic steel in an atmosphere consisting of cathode and anode gases. Unfortunately, this oxide reacts with oxygen and water vapor, forming volatile compounds of chromium, which adversely affect the catalytic properties of the electrodes. It is therefore necessary to develop new metallic interconnect materials for the construction of the SOEC-type cell stack, designed to operate at temperatures of 873-1073 K. The aim of the paper was to investigate the oxidation kinetics of the Ni-5Cu alloy in comparison with Ni reference material, and to measure the electrical conductivity of the scale/metal system. Studies were conducted for 100 hrs of oxidation in air at 873 K, 973 K, 1023 K, and 1073 K. When combined with morphological observations and chemical and phase composition analyses of the oxidation products, the investigations demonstrated the suitability of the Ni-5Cu alloy as a potential interconnect material for planar-type SOECs.

4

Nanoproszki i warstwy z materiałów termoelektrycznych-otrzymywanie i charakterystyka

75%

Wojciechowski K. , Gajerski R. , Grzonka J. , Mania R. , Mars K. , Morgiel J. , Zybała R.

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 9

65-67

PL

Przedstawiono wybrane wyniki prac dotyczące dwóch metod otrzymywania nanostrukturalnych materiałów termoelektrycznych z grupy skutterudytów oraz warstw tellurku antymonu. Nanoproszki CoSb₃ otrzymywane były metodą rozkładu termicznego aerozoli a następnie redukcji w atmosferze wodoru. Warstwy tellurku antymonu wytwarzano techniką impulsowego rozpylania magnetronowego. Otrzymane materiały poddane były szczegółowym badaniom mikrostruktury i składu fazowego oraz właściwości termoelektrycznych.

EN

The paper presents selected results of two methods of preparation of nanostructured thermoelectric materials from group of skutterudites and antimony telluride layers. Nanopowders ot CoSb₃ were obtained using thermal decomposition and reduction of aerosol s in the atmosphere of hydrogen. Antimony telluride layers were produced by pulse magnetron sputtering. The materials were subject of detailed examination of the microstructure, phase composition and thermoelectric properties.

5

Synthesis and Characterization of Antimony Telluride for Thermoelectric and Optoelectronic Applications

51%

Pietrzak K. , Chmielewski M. , Zybała R. , Mars K. , Mikuła A. , Bogusławski J. , Soboń G. , Sotor J. , Schmidt M. , Kaszyca K. , Ciupiński L.

|

6

Synthesis and Characterization of Antimony Telluride for Thermoelectric and Optoelectronic Applications

51%

Zybała R. , Mars K. , Mikuła A. , Bogusławski J. , Soboń G. , Sotor J. , Schmidt M. , Kaszyca K. , Chmielewski M. , Ciupiński L. , Pietrzak K.

|

tom Vol. 62, iss. 2B

1067--1070

EN

Antimony telluride (Sb2 Te3 ) is an intermetallic compound crystallizing in a hexagonal lattice with R-3m space group. It creates a c lose packed structure of an ABCABC type. As intrinsic semiconductor characterized by excellent electrical properties, Sb2 Te3 is widely used as a low-temperature thermoelectric material. At the same time, due to unusual properties (strictly connected with the structure), antimony telluride exhibits nonlinear optical properties, including saturable absorption. Nanostructurization, elemental doping and possibilities of synthesis Sb2 Te3 in various forms (polycrystalline, single crystal or thin film) are the most promising methods for improving thermoelectric properties of Sb2Te3.Applications of Sb2 Te3 in optical devices (e.g. nonlinear modulator, in particular saturable absorbers for ultrafast lasers) are also interesting. The antimony telluride in form of bulk polycrystals and layers for thermoelectric and optoelectronic applications respectively were used. For optical applications thin layers of the material were formed and studied. Synthesis and structural characterization of Sb2 Te3 were also presented here. The anisotropy (packed structure) and its influence on thermoelectric properties have been performed. Furthermore, preparation and characterization of Sb2 Te3 thin films for optical uses have been also made.