Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

The use of a concrete testing machine as teaching equipment in engineering education

100%

Michałowska-Maziejuk D. , Teodorczyk M.

|

tom T. 23, nr 2

55--61

EN

The paper describes how a materials testing machine can be used during laboratory classes to evaluate the properties of concrete and to demonstrate destructive testing techniques. The lab classes are designed to help students understand the concepts and determination methods for random dispersion, stress-strain and force-strain relationships, ultimate strain and concrete quality through the comparison of the results to the requirements set forth in Eurocode 2. The machine is used to test the compressive strength of concrete and the modulus of elasticity of concrete, including high-strength concrete. The testing system offers electronic measurement and simultaneous registration of the basic test parameters (destructive force, strain - also for individual load levels, modulus of elasticity of the test specimen, duration of the test, etc.), graphical representation of quantities and statistical calculations for the test specimens. The parameters measured during the test allow the evaluation of concrete class in the tested specimens and the quality control of a given batch of concrete, important for the safety of the structure and its serviceability.

PL

W artykule przedstawiono zastosowanie maszyny wytrzymałościowej w celu zilustrowania właściwości betonu i metod realizacji badań niszczących podczas zajęć laboratoryjnych, pod kątem wykazania losowego rozrzutu wyników, oceny zależności siła-odkształcenie, naprężenie-odkształcenie, odkształcenia granicznego, jakości betonu i porównania wyników z normą EC2. Maszyna wytrzymałościowa daje możliwość przeprowadzenia m.in. badania wytrzymałości betonu na ściskanie, jak również badania modułu sprężystości betonu, w tym betonów wysokiej wytrzymałości. Zestaw badawczy umożliwia elektroniczną formę jednoczesnego pomiaru i zapisu podstawowych parametrów danego badania (siły niszczącej, odkształceń – również dla poszczególnych poziomów obciążenia, modułu sprężystości badanej próby, czasu trwania badania itp.), generowanie podczas badania wykresów zależności żądanych wielkości, a także dokonanie obliczeń statystycznych dla badanych elementów. Mierzone podczas badania wielkości parametrów pozwalają m.in. na dokonanie oszacowania klasy betonu badanych prób, modułu sprężystości oraz jakości produkcji danej partii betonu, ważnej dla bezpieczeństwa konstrukcji i jej użytkowania.

2

Dynamika nagrzewania obszaru aktywnego diod laserowych z symetryczną i asymetryczną heterostrukturą - porównanie metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii

80%

Malag A. , Dąbrowska E. , Teodorczyk M.

|

2008

|

tom T. 36, nr 4

35-60

PL

Przedstawiono wyniki prac porównawczych nad diodami laserowymi dużej mocy o symetrycznej i asymetrycznej konstrukcji heterostruktury, na pasmo 800 nm. Istotą konstrukcji asymetrycznej jest zastosowanie pasywnej warstwy falowodowej po stronie n, przez co rozkład pola optycznego generowanego promieniowania przesuwa się na tę stronę. Związane z tym zmniejszenie strat na swobodnych nośnikach umożliwia zwiększenie mocy emitowanego promieniowania diod laserowych poprzez rozszerzenie (w płaszczyźnie prostopadłej do złącza) przesuniętego rozkładu pola optycznego i wydłużenie rezonatora. Przesunięcie pola optycznego na stronę n umożliwia jednocześnie zmniejszenie grubości warstwy p-emitera, przez co oczekiwane jest zmniejszenie rezystancji (termicznej i elektrycznej) heterostruktury. Zostało to potwierdzone przez pomiary niestacjonarnych procesów cieplnych techniką czasowo-rozdzielczej spektroskopii. W pracy impulsowej diod laserowych zaobserwowano znacznie mniejsze przesunięcie termiczne widma promieniowania w ciągu pierwszych mikrosekund od czoła impulsu w przyrządach skonstruowanych na bazie heterostruktury asymetrycznej w porównaniu z diodami wykonanymi z heterostruktur symetrycznych. Tak szybkie (rzędu pojedynczych μs) procesy cieplne mogą być związane tylko z najbliższym otoczeniem warstwy aktywnej, zatem głównie z wysokorezystywną warstwą p-emitera. W artykule przedstawiono technikę badania procesów cieplnych w obszarze aktywnym DL metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii z zastosowaniem kamery ICCD firmy Andor. Ze względu na rozdzielczość czasową znacznie poniżej l μs (z bramką do 2 ns), technika ta dostarcza informacji o szybkich, niestacjonarnych procesach w obszarze aktywnym i jego najbliższym otoczeniu. Jest zatem bardzo pomocna w ocenie konstrukcji przyrządów. Przedstawione wyniki pokazują, że konwencjonalna technika wyliczania rezystancji termicznej diod pracujących w warunkach CW może prowadzić do wniosków niezgodnych z wnioskami z pomiarów techniką czasowo-rozdzielczej spektroskopii. Wskazano możliwe przyczyny tych rozbieżności.

EN

The results of comparative investigations on 800-nm-band high-power laser diodes based on symmetric and asymmetric heterostructure design are presented. The idea of asymmetric heterostructure design is the insertion of a passive waveguide layer at the heterostructure's n-side whereby a field distribution of generated radiation shifts toward this side. Resulting decrease in free-carrier loss allows increasing of emitted radiation power by widening (perpendicular to the junction plane) of shifted optical field distribution and by laser cavity elongation. The shift of the optical field distribution toward the heterostructure n-side makes simultaneously possible a reduction of p-cladding layer thickness, which should cause a decrease of its thermal and electrical resistances. This has been confirmed by time-resolved spectroscopy measurements of transient thermal processes in laser diodes. In pulse operation, distinctly less thermal shift of lasing spectrum during the first (2 to 5) microseconds after the pulse start has been observed in asymmetric-design devices compared to symmetric ones. Such fast thermal processes can be connected only with the nearest vicinity of the active region i.e. mainly with the highly resistive p-cladding layer. Presented results show that conventional steady-state technique of thermal resistance measurements for CW operating laser diodes can sometimes lead to conclusions inconsistent with these obtained by the time-resolved spectroscopy. Possible reasons of the discrepancy are indicated.

3

Ocena jakości montażu diod laserowych na pasmo 808 nm poprzez pomiar rezystancji termicznej i charakterystyk spektralnych

80%

Dąbrowska E. , Teodorczyk M. , Sobczak G. , Malag A.

|

2011

|

tom T. 39, nr 3

3-9

PL

W pracy przeanalizowano przesuwanie się charakterystyk spektralnych w diodach laserowych (DL) z różną rezystancją termiczną (R1), a także zmianę ich charakterystyk mocowo-prądowych na różnych etapach montażu. Mierzono wzrost temperatury złącza DL podczas przyłożonego impulsu prądowego poprzez dynamiczne (z rozdzielczością czasową) pomiary spektralne przy pomocy kamery ICCD. Porównano przesunięcia widm DL w czasie trwania impulsu o długości l ms w pomiarach dynamicznych i przesunięcia widm w czasie pomiarów przy stałej repetycji i zwiększającym się czasie trwania impulsu w zależności od wartości R1. Wyniki te posłużyły do opracowania metody oceny jakości montażu na etapie pomiarów impulsowych.

EN

In this paper, the shift of spectral characteristics measured at a constant rate of bias pulse repetition and various pulse duration for laser diodes (LDs) with different thermal resistances has been presented. The temperature increase of the p-n junction of LDs during the current pulse has been investigated by dynamic (time-resolved) spectral measurements using an ICCD camera. For LDs with a different thermal resistance spectral shift during a 1 ms long pulse in dynamic measurements and in the measurements at a constant rate of pulse repetition with variable pulse duration has been demonstrated.

4

Test biologiczny na obecność wirusów i organizmów wirusopodobnych porażających jabłonie

80%

Kowalik B. , Kozerski W. , Teodorczyk M.

Szkółkarstwo

|

2014

|

nr 1

5

Test biologiczny na obecność wirusów PNRSV i PDV

80%

Kowalik B. , Kozerski W. , Teodorczyk M.

|

2013

|

nr 1

6

Prunus necrotic ringspot virus [PNRSV] detection by bioassay and ELISA in freshly collected and frozen leaves of Prunus cerasifera var. divaricata during the vegetation period

80%

Kryczynski S. , Teodorczyk I. , Teodorczyk M.

Phytopathologia Polonica

|

2003

|

tom 30

7

The influence of epoxomicin, inhibitor of proteasomal proteolytic activity, on spermiogenesis in Chara vulgaris

80%

Kwiatkowska M. , Wojtczak A. , Poplonska K. , Teodorczyk M.

|

2003

|

tom 41

|

nr 1

8

Badanie centrów defektowych w heterostrukturach laserowych AlGaAsy GaAs ze studnią kwantową GaAsP

71%

Kamiński P. , Kozubal M. , Kozłowski R. , Kozłowska A. , Teodorczyk M.

|

2007

|

tom T. 35, nr 2

5-23

PL

Metodę niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS) zastosowano do badania centrów defektowych w laserach heterozłączowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP emitujących promieniowanie o długości fali X = 808 nm. W warstwach falowodowych laserów wykryto 5 pułapek oznaczonych jako T1a, T1b, T2, T3 i T4 o energii aktywacji odpowiednio 205, 215, 370, 380 i 470 meV. Pułapki T1a (205 meV), T2 (370 meV), T3 (380 meV) i T4 (470 meV) zidentyfikowane zostały jako pułapki elektronowe występujące w niedomieszkowanej warstwie falowodowej A10.35Ga0.65As typu n. Stwierdzono ponadto, że pułapki T2, T3, T4 są centrami DX zlokalizowanymi w otoczeniu o różnej konfiguracji atomowej, spowodowanej fluktuacjami składu warstwy Al035Ga065As. W szczególności dominujące pułapki T3 (380 meV) są centrami DX zlokalizowanymi w sąsiedztwie jednego atomu A1 i dwóch atomów Ga. W laserach nie poddanych starzeniu koncentracja tych pułapek jest dwukrotnie większa od koncentracji pułapek T4 (470 meV), pięciokrotnie większa od koncentracji pułapek T1a (205 meV) i T2 (370 meV) oraz ponad trzykrotnie większa od koncentracji pułapek T1b (215 meV). W wyniku procesu starzenia najsilniej (ponad dwukrotnie) wzrasta koncentracja pułapek T2 (370 meV). W przybliżeniu dwukrotny wzrost koncentracji obserwowany jest również w przypadku pułapki T1a (205 meV). W obszarze studni kwantowej wykryto 3 pułapki elektronowe charakteryzujące się energią aktywacji równą odpowiednio 200, 205 i 250 meV, które przypisano centrom DX zlokalizowanym w otoczeniu o różnej konfiguracji atomów arsenu i fosforu, spowodowanej fluktuacjami składu warstwy GaAs0.9P0.1. W obszarze tym wykryto ponadto pułapki o energii aktywacji 310 meV, które związane są prawdopodobnie z rodzimymi defektami punktowymi generowanymi wskutek wspinania się dyslokacji nachylonych pochodzących od dyslokacji niedopasowania.

EN

Deep level transient spectroscopy (DLTS) has been applied to investigation of defect centres in heterostructures of AIGaAs/GaAs with GaAsP quantum well used for production of high-power laser diodes emitting the beam with the wavelength of 808 nm. In undoped A1035Ga065As cladding layers, five traps Tla(205 meV), T1b (215 meV), T2 (370 meV), T3 (380 meV) and T4 (470 meV) were revealed. The traps T1a, T2, T3 and T4 were found to be electron traps located in the cladding layer of w-type. The latter three traps are related to DX centres surrounded by different atomic composition due to alloy fluctuation effect. The traps T3 (380 meV), identified as DX centres localized in the vicinity of one Al atom and two Ga atoms, are predominant and their concentration is two times higher than that of traps T4 (470 meV), five times higher than the concentrations of traps T1a (205 meV) and T2 (370 meV) and three times higher than the concentration of traps T1b (215 meV). As a result of the aging processes, a strong increase (more than twofold) in the concentration of traps T2 (370 meV) was observed. The concentration of trap T1a (205 meV) was also approximately doubled. In the quantum well layer of GaAs0.9P0.1, three electron traps with activation energies of 200, 205 and 250 were revealed. These traps are likely to be related to DX centres surrounded by different quantity of arsenic and phosphorus atoms due to alloy fluctuation effect. Moreover, a trap with the activation energy of 310 meV was detected. This trap is presumably related to a native defect resulting from climbing of inclined dislocations originated from the misfit dislocations.

9

Rezonatory kwarcowe z akustyczną poprzeczną falą powierzchniową na częstotliwości 1030 i 1090 MHz

71%

Soluch W. , Wróbel T. , Hechner J. , Niewczas B. , Teodorczyk M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2002

|

tom Vol. 43, nr 5

17-20

PL

Opracowano struktury i technologię rezonatorów kwarcowych z akustyczną poprzeczną falą powierzchniową na częstotliwość 1030 i 1090 MHz. Przy obciążeniu 50 Ω uzyskano tłumienności wtrącenia około 7 dB, dobroci około 4000 i tłumienie drgań pasożytniczych ponad 5 dB. Stwierdzono, że dla zastosowań w generatorach korzystne jest zastosowanie kwarcu o orientacji 37°YX, dla której punkt kompensacji temperaturowej występuje przy temperaturze około 65°C.

EN

Structures and technology of surface acoustic transverse wave resonators on quartz for the frequencies 1030 MHz and 1090 MHz, were elaborated. At 50 Ω load, the insertion losses about 7 dB, the quality factors about 4000 and the attenuations of spurious resonance’s above 5 dB, were obtained. It was found, that for the oscillators applications, the 37°YX orientation should be used since in this case the temperature compensation point exists at 65°C.

10

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge

71%

Dumiszewska E. , Knyps P. , Teodorczyk M. , Wesołowski M. , Strupiński W.

|

2011

|

tom T. 39, nr 3

10-14

PL

W pracy przedstawiono proces wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych opartych o związki AIII-BV z wykorzystaniem technik osadzania MOCVD. Zaprezentowano także wstępne wyniki pomiarów elektrooptycznych pojedynczego złącza struktury Ge/InGaP:Si wykonanego w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych. Złącze to powstało w wyniku dyfuzji atomów fosforu z warstwy InGaP. Wszystkie prace technologiczne zostały przeprowadzone w ITME.

EN

This work has been devoted to presenting the process of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on AIII-BV compounds using MOCVD deposition techniques. Moreover, preliminary results of electro-optical measurements performed on a single junction of a Ge/InGaP:Si structure produced in the Institute of Electronic Materials Technology have been introduced. This junction has been created as a result of the diffusion of phosphorus atoms from an InGaP layer. All technological processes have been carried out in ITME.

11

Wpływ trawienia chemicznego na parametry elektrooptyczne krawędziowych ogniw fotowoltaicznych

71%

Kalbarczyk J. , Teodorczyk M. , Dąbrowska E. , Krzyżak K. , Sarnecki J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

tom Vol. 52, nr 8

128-130

PL

Poniższa praca przedstawia wyniki badań dotyczących optymalizacji warunków trawienia chemicznego powierzchni czynnej krawędziowych ogniw fotowoltaicznych w roztworach kwasowych i zasadowych. Wykonane zostały pomiary podstawowych parametrów elektrycznych ogniw po różnych wariantach trawienia (trawienie kwasowe, zasadowe oraz mieszane - kwasowo-zasadowe). Fakturę powierzchni pochłaniającej światło po trawieniu chemicznym pokazano na zdjęciach.

EN

The following thesis presents the results of research applied to the optimization of photovoltaic cells active surface wet chemical etching conditions in acidic and alkaline solutions. Measurements of basic electrical parameters of cells after different variants of etching (acidic, alkaline, acidic-alkaline) has been carried out. Light-absorbing surface quality after etching has been presented at pictures.

12

Luminescencyjne koncentratory energii promieniowania słonecznego w zakresie widzialnym i bliskiej podczerwieni

61%

Jeremiasz O. , Sarnecki J. , Nikiel W. , Teodorczyk M. , Wnuk A. , Kozłowski R. , Gawlik G.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

tom Vol. 51, nr 5

83-86

PL

Przedstawiono koncepcję luminescencyjnego koncentratora energii słonecznej do zastosowań fotowoltaicznych. Luminescencyjnym koncentratorem słonecznym jest cienka płyta lub folia polimerowa zawierająca centra luminescencyjne, jakimi są organiczne barwniki lub nieorganiczne nanomateriały. W pracy zawarto opis metod otrzymania folii PMMA z organicznymi i nieorganicznymi centrami luminescencyjnymi oraz wyniki badań spektroskopowych i starzeniowych. Zastosowanie luminescencyjnych koncentratorów słonecznych w modułach fotowoltaicznych może obniżyć koszty otrzymywania energii elektrycznej.

EN

The paper presented a brief description of luminescent solar concentrators (LSC) and the main requirements of LSC materials. The LSC consist of a transparent polymer foil incorporated with luminescent organic dyes or inorganic luminescent species. The presented work reports on the fabrication and characterization of luminescent solar concentrators which consist of thin PMMA foil contained organic dyes, PbS quantum dots and RE doped nanocrystals. The main motivation of presented research is a possible cost reduction of photovoltaic systems.

13

Pomiary elektryczne i optyczne ogniw fotowoltaicznych Ge/InGaAs/InGaP

61%

Knyps P. , Dumiszewska E. , Wesołowski M. , Strupiński W. , Kalbarczyk J. , Teodorczyk M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

tom Vol. 54, nr 5

22-24

PL

W artykule omówiono metody pomiarów charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw wielozłączowych, a także sposoby wyznaczania zewnętrznej i wewnętrznej wydajności kwantowej. Prezentowane wyniki dotyczą ogniw wielozłączowych wytwarzanych z materiałów Ge/InGaAs/InGaP w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych w Warszawie.

EN

In this article we discuss the measurement methods of current-voltage characteristics of multijunction solar cells as well as external and internal quantum efficiencies. The showed results were obtained as a result of the measurements of Ge/InGaAs/InGaP solar cells performed at the Institute of Electronic Materials Technology.

14

Influence of Material Coating on the Heat Transfer in a Layered Cu-SiC-Cu Systems

61%

Strojny-Nędza A. , Pietrzak K. , Teodorczyk M. , Basista M. , Węglewski W. , Chmielewski M.

|

tom Vol. 62, iss. 2B

1311--1314

EN

This paper describes the process of obtaining Cu-SiC-Cu systems by way of spark plasma sintering. A monocrystalline form of silicon carbide (6H-SiC type) was applied in the experiment. Additionally, silicon carbide samples were covered with a layer of tungsten and molybdenum using chemical vapour deposition (CVD) technique. Microstructural examinations and thermal properties measurements were performed. A special attention was put to the metal-ceramic interface. During annealing at a high temperature, copper reacts with silicon carbide. To prevent the decomposition of silicon carbide two types of coating (tungsten and molybdenum) were applied. The effect of covering SiC with the aforementioned elements on the composite’s thermal conductivity was analyzed. Results were compared with the numerical modelling of heat transfer in Cu-SiC-Cu systems. Certain possible reasons behind differences in measurements and modelling results were discussed.

15

Low-ohmic contacts on the basis of silver nanopowder dedicated to photovoltaic cells

61%

Kalbarczyk J. , Teodorczyk M. , Krzyżak K. , Gawlik G. , Jarosz M. , Młożniak A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

tom Vol. 53, nr 6

82-85

EN

The silver nanopowder pastes are relatively new kind of nanomaterials that exhibit interesting and useable properties. Research in field of preparing contacts for silicon solar cells with silver nanopowder will be continued to obtain rational results which enable to evaluate the new kind of contacts with respect to possible application in larger scale.

16

Zastosowanie warstw azotków do konstrukcji filtrów z powierzchniową fala akustyczną

61%

Szyszka A. , Paszkiewicz B. , Paszkiewicz R. , Tłaczała M. , Dumiszewska E. , Strupiński W. , Teodorczyk M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

tom Vol. 45, nr 10

8-9

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań nad opracowaniem technologii i konstrukcji filtrów z powierzchniową falą akustyczną wytwarzanych na epitaksjalnych warstwach azotków. Wykonano struktury filtrów SAW. Przedstawiono charakterystyki prądowo napięciowe przetworników międzypalczastych oraz przykładową charakterystykę częstotliwościową filtra wykonanego na warstwie Al0,147Ga0,853 N/Ga.

EN

The SAW (Surface Acoustic Wave) transducers technology based on epitaxial layers of nitrides were designed. The device structures were fabricated. Their dc frequency characteristic were measured and discussed.

17

Towards improvement of beam quality of wide-stripe high-power laser diodes

61%

Maląg A. , Sobczak G. , Dąbrowska E. , Teodorczyk M. , Dąbrowski A. , Nakielska M.

Materiały Elektroniczne

|

2015

|

tom T. 43, nr 3

7--14

EN

Selected ways of improving an emitted beam quality of high-power laser diodes (LDs) are proposed in both vertical and horizontal directions. Appropriate heterostructure design leads to a vertical beam divergence reduction to 12º (FWHM) while simultaneously maintaining a high power conversion efficiency of LDs. In turn, the spatial stabilization of an optical field distribution in the junction plane results in horizontal beam profile stabilization as a function of the device drive current. This spatial stabilization (with preferred high-order lateral modes) is forced by ion-implanted lateral periodicity built into the wide-stripe waveguide of a LD.

PL

Przedstawione zostały wybrane przykłady poprawy jakości wiązki promieniowania diod laserowych (DL) dużej mocy w płaszczyźnie prostopadłej do złącza (pionowej) i w płaszczyźnie złącza (poziomej). Odpowiedni projekt heterostruktury umożliwia ograniczenie rozbieżności wiązki w płaszczyźnie pionowej do 12º przy utrzymaniu wysokiej sprawności energetycznej DL. Z kolei stabilizacja pola optycznego w płaszczyźnie złącza wymuszona przez strukturę periodyczną wbudowaną w szerokopaskowy światłowód heterostruktury laserowej prowadzi do stabilizacji profilu wiązki w płaszczyźnie poziomej w funkcji poziomu wysterowania przyrządu. Ta struktura periodyczna (preferująca wysokie mody boczne) jest formowana techniką implantacji jonów.

18

Zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod laserowych na pasmo 808 nm i 880 nm w czasie długotrwałej pracy

61%

Dąbrowska E. , Teodorczyk M. , Krzyżak K. , Romaniec M. , Sobczak G. , Maląg A.

|

tom T. 42, nr 3

5--10

PL

Zaprezentowane zostały zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod podczas długotrwałej pracy: zmniejszenie mocy wyjściowej, zwiększenie prądu progowego jak i zmiana długości fali emisji - dla diod na pasmo 880 nm w kierunku fal krótszych oraz dla diod na pasmo 808 nm w kierunku fal dłuższych.

EN

The following changes in optical and electrical parameters for diodes during long-term operation are presented: reduction in the output power, increase in the threshold current and change in the emission wavelength for diodes emitting at 880 nm towards shorter wavelengths and for diodes emitting at 808 nm towards longer wavelengths.

19

Wyznaczanie parametrów optycznych epitaksjalnych heterostruktur laserowych

61%

Maląg A. , Sobczak G. , Dąbrowska E. , Teodorczyk M. , Wnuk A. , Piątkowska A. , Jakieła R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

tom Vol. 52, nr 10

88-90

PL

W pracy proponowana jest metoda określenia, na ile różni się wykonana laserowa heterostruktura epitaksjalna od zaprojektowanej. Jest to sekwencja charakteryzacji (fotoluminescencja, SEM, SIMS), analizy skorygowenego (w stosunku do projektu) na podstawie tych charakteryzacji modelu numerycznego heterostruktury i weryfikacji tego modelu poprzez pomiary wykonanych z heterostruktury diod laserowych. Uzyskanie zbieżności charakterystyk eksperymentalnych z analogicznymi charakterystykami modelu oznacza, że skorygowany model opisuje wykonaną heterostrukturę epitaksjalną.

EN

A method of determination, how much the grown epitaxial laser heterostructure differs from its design is proposed in this work. It is a sequence of characterizations (photoluminescence, SEM, SIMS), analysis of the heterostructure model corrected (with respect to the design) basing on the results of these characterizations and finally the model verification by measurements of laser diodes manufactured from the grown heterostructure. Similarity of analogous characteristics in practical devices and the model is a proof that the corrected model describes the grown heterostructure.

20

Wpływ rezystancji termicznej na parametry elektrooptyczne i termiczne diod laserowych

61%

Dąbrowska E. , Kozłowska A. , Teodorczyk M. , Sobczak G. , Krzyżak K. , Kalbarczyk J. , Maląg A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

tom Vol. 52, nr 10

95-98

PL

Przedstawiono przesuwanie się charakterystyk spektralnych przy stałej repetycji i wydłużającym się czasie impulsu dla diod laserowych różniących się rezystancją termiczną. Zarejestrowano wzrost temperatury złącza DL po włączeniu impulsu prądowego poprzez dynamiczne (z rozdzielczością czasową) pomiary spektralne przy pomocy kamery ICCD. Stwierdzono, że czym większe przesunięcie charakterystyk spektralnych w czasie trwania impulsu o długości 1 ms w pomiarach dynamicznych tym większe przesunięcie charakterystyk spektralnych w czasie pomiarów przy stałej repetycji i zwiększającym się czasie trwania impulsu i tym większa rezystancja termiczna DL. Przy pomocy kamery termowizyjnej sprawdzono temperaturę diody przy pracy ciągłej w płaszczyźnie równoległej do luster. Widoczne miejsca gorące odpowiadają obniżeniom intensywności w profilu NF.

EN

In this paper, the shift of spectral characteristics measured at the constant pulse repetition and various pulse duration for laser diodes with various thermal resistances has been presented. Temperature increase of LD's p-n junction during current pulse was investigated by dynamic (time-resolved) spectral measurements using ICCD camera made. It has been demonstrated that LDs with larger thermal resistance have larger spectral shift during 1 ms long pulse in dynamic measurements and in the measurements at a constant pulses repetition with variable pulse duration. Measurements by thermal camera show diode temperature distributions in mirror plane during continuous operation. The hot spots revealed by thermal camera correspond with lower intensity points in near field distributions.