Thin film solar cells based on Cd/Te/Cds are expected to become the base material for the low - cost and efficient large-scale solar energy conversion devices. The samples have been investigated using current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements in order to define the transport mechanism in heterostructure and basic electronic parameters. Trap-assisted tunnelling has been found to dominate carrier transport mechanism in the junction.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.