Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote High-Pressure Diffraction Study of Ga_{1-x}Al_{x}As
100%
EN
The Ga_{1-x}Al_{x}As sample of x=0.5 was prepared from a high quality single crystal grown by electroepitaxy on GaAs. The high-pressure diffraction experiments were performed using a diamond anvil cell and a germanium solid state detector. The zinc-blende phase is stable up to about 17.5 GPa on uploading. A high-pressure phase manifests itself at about 17 GPa, a complete phase change occurs at 18.7 GPa. On downloading, the zinc-blende phase reappears at about 10 GPa. The powder pattern of the high-pressure phase shows some similarities with the GaAs high pressure phases.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.