We present the results of low temperature annealing studies of Ga_{1-x}Mn_xAs epilayers grown by low temperature molecular beam epitaxy in a wide range of Mn concentrations (0.01
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.