New structures aiming at controlling the ferromagnetic properties of diluted magnetic semiconductor quantum wells are presented. The carrier density is controlled by applying a voltage across a p-i-n diode. A new method, creating a 2D hole gas by adjusting the distance between the quantum well and surface, offers opportunities for a broader range of structures.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.