PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 10

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Zastosowanie mikroskopu sił atomowych do badania własności tarciowych ultracienkich powłok
100%
Janowska J. , Rżanek-Boroch Z. , Ekwińska M.
|
|
tom nr 5
51-64
PL
W referacie przedstawiono zastosowanie mikroskopu sił atomowych do zbadania własności tarciowych ultracienkich powłok wytworzonych techniką elektroplazmową oraz wpływu prowadzenia procesu osadzania warstw "(zmiana temperatury podłoża) na własności uzyskanych powłok.
EN
Atomic Force Microscopes (AFM) are used mainly to study surface topography. AFM with the possibility to measure lateral force in the Laboratory of Microtribology of the Institute of Micromechanics and Photonics of the Warsaw University of Technology enables during scanning the measurement of the lateral force between the tip of the cantilever and the tested surface. The lateral force is representative of the micro-scale friction. The paper presents the results of the application of this microscope to study frictional properties of the ultrathin films deposited on silicon by electroplasma technique. The films were deposited under various substrate's temperatures (sample 046 - 300°C, sample 047 - 150°C) to study the effect of temperature on the frictional properties of the films.
2
Content available remote Wpływ parametrów osadzania na właściwości powierzchniowe warstw
100%
Rżanek-Boroch Z. , Jóźwik K. , Ilik A. , Kosiński A.
Przemysł Chemiczny
|
2006
|
tom T. 85, nr 8-9
748-750
PL
Wyznaczono optymalne warunki osadzania powłok metodą DBD (dielectric barrier discharge) na podłożach krzemowych (wyładowanie barierowe pod ciśnieniem atmosferycznym z mieszaniny trimetylometoksysilan + hel + tlen). Powłoki składały się z tlenku krzemu i niewielkich domieszek węgla pochodzących z rozkładu prekursora. Z wyników FTIR, XPS, AFM oraz współczynnika tarcia wykazano, że powłoki gładkie o małym współczynniku tarcia, które mogą znaleźć zastosowanie w mikromechanice, można uzyskać w temp. 200°C, z mieszaniny 1,1% TMMOS + He + 0,72% O2.
EN
Dielec. barrier discharges (5 kHz) were used (5 min/200°C/1 atm.) to deposit 100–500 nm Si oxide coatings on <111> Si monocrystals (friction coeff., 0.2) from 1.1% trimethylmethoxysilane (TMMOS) + 0.72% O2 + He mixtures. Minor C amts. were left in the coatings. FTIR, XSP, AFM patterns and friction coeff. (0.5–0.7) data showed the coated surfaces to be smooth enough for micromech. appln. The 50°C coats were moist and viscous.
3
Content available remote Wpływ zawartości fluoru na właściwości powłok osadzanych w wyładowaniu barierowym pod ciśnieniem atmosferycznym
100%
Rżanek-Boroch Z. , Buczek M. , Ilik A. , Kosiński A.
Przemysł Chemiczny
|
2010
|
tom T. 89, nr 9
1209-1211
4
Content available remote Organo-silicon coating deposition on polyethylene films by pulsed dielectric-barrier discharges
100%
Sentek J. , Rżanek-Boroch Z. , Brykała M. , Schmidt-Szałowski K.
|
|
tom T. 55, nr 2
127-134
PL
Badano plazmowy proces osadzania na powierzchni folii polietylenowej (PE) cienkich powłok uszczelniających złożonych ze związków krzemu. Powłoki osadzano pod ciśnieniem atmosferycznym w impulsowym wyładowaniu barierowym (PDBD) o częstotliwości 400Hz, w plazmie helowej lub helowo-tlenowej, używając jako substratu tetraetoksysilanu (TEOS). Zastosowany do osadzania powłok laboratoryjny reaktor (rys. 1), składał się z cylindrycznej obrotowej elektrody (na której umieszczano folię) oraz szklanego korpusu z umieszczoną elektrodą wysokonapięciową, pokrywającą tylko niewielką część powierzchni ściany reaktora (przekrój B - B, rys. 1). Dzięki ruchowi obrotowemu elektrody wewnętrznej, umieszczona na jej powierzchni folia przemieszcza się przez strefę wyładowania. Rzeczywisty czas przebywania folii w strefie wyładowania zależy od szerokości elektrody na zewnętrznej ścianie reaktora. Próbki wyjściowej folii oraz próbki folii z osadzonymi w różnych warunkach procesowych powłokami poddawano badaniom za pomocą mikroskopii sił atomowych (AFM) (rys. 6 i 7), skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM) (rys. 2 i rys. 5), rentgenowskiego spektroskopu fotoelektronowego (XPS) (rys. 10 i 11) oraz badaniom określającym własności barierowe w odniesieniu do tlenu (rys. 8 i 9). Stwierdzono, że w warunkach PDBD zarówno działanie samej plazmy helowej (I) na folię, jak i osadzanie powłok z mieszanin: TEOS+He (II), TEOS+He+ 5% O2 (III), TEOS+He+10% O2 (IV) zmniejszają przenikalność tlenu przez folię. Badania składu powłok metodą XPS (rys. 10 i 11) pokazują, że w ich warstwach powierzchniowych znajduje się SiO2. Świadczy o tym stosunek atomowy tlenu do krzemu (O/Si?2). W głębszych warstwach powłoki stosunek tlenu do krzemu zbliża się do jedności.
EN
Organo-silicon coatings deposition from tetraethoxysilane (TEOS) was conducted in pulsed dielectric barrier discharge (PDBD) for packaging polyethylene (PE) films tightening. A laboratory reactor was tested provided with a rotating cylindrical internal electrode bearing the PE film and with a dielectric barrier in the form of a cylindrical glass body was tested. The oxygen permeability of the films was examined after plasma treatment with different gases: He (I), TEOS+He (II), TEOS+He+ 5% O2 (III), TEOS+He+10% O2 (IV). For the film surface topography observations, atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (SEM) were used. The coating composition was examined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) with argon ion sputtering for the determination of individual element contents across the coating. It was found that under PDBD conditions both the treatment in helium plasma and the coating deposition from different TEOS+carrier-gas mixtures reduced the oxygen permeability of PE films.
5
Content available remote Zastosowanie kwasu propionowego do plazmowej modyfikacji folii poliamidowo-polietylenowej
100%
Rżanek-Boroch Z. , Bekier A. , Jaskólska M.
|
|
tom T. 94, nr 10
1683-1686
PL
Przedstawiono wyniki modyfikacji powierzchni folii poliamidowo-polietylenowej metodą chemicznego osadzania kwasu propionowego wspomaganego plazmą. Proces prowadzono w wy- ładowaniu barierowym pod ciśnieniem atmosferycznym. Uzyskano folie o właściwościach przeciwdrobnoustrojowych i barierowych dla pary wodnej, które mogą znaleźć zastosowanie jako aktywne opakowania żywności.
EN
A com. polyamide-polyethylene film was plasma-pretreated in Ar, optionally covered with a SiO2 layer, plasmacoated with EtCOOH at 25–60°C under atm. pressure and then studied for contact angle, steam permeability, surface topog., layer thickness and antibacterial activity. The films corered with SiO2 and then with EtCOOH at 60°C showed the highest antibacterial activity (59%). The films may be used as active food packaging.
6
Thin films deposited in barrier discharge under atmospheric pressure
100%
Rżanek-Boroch Z. , Lamenta A. , Górska A.
Polish Journal of Applied Chemistry
|
2005
|
tom Vol. 49, nr 1-2
49-51
EN
A laboratory scale plasma enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) process was developed for obtaining thin films from tetramethoxysilane (TMOS) in mixtures with He and O2 on silicon single crystals using electric discharges, stabilized with a dielectric barrier under atmospheric pressure. The films deposited were of a good adhesion to the substrate and smooth. The rate of films deposition was measured and their composition was determined by infrared spectroscopy with Fourier transformation (FTIR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The topography of the films was determined using atomic force microscope (AFM).
7
Content available remote Cienkie powłoki z tetrametoksilanu (TMOS) osadzane metodą PE-CVD i ich zastosowanie
100%
Rżanek-Boroch Z. , Schmidt-Szałowski K. , Szymańska A. , Afek T.
|
|
tom T. 82, nr 8-9
956-958
8
Cienkie powłoki osadzane z teraetoksykrzemu i heksametylodisilazanu w procesie elektroplazmowym pod ciśnieniem atmosferycznym
88%
Schmidt-Szałowski K. , Fabianowski W. , Rżanek-Boroch Z. , Sentek J. , Gutkowski M.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Inżynieria Materiałowa
|
1999
|
tom z. 10
39-50
PL
Kontynuowano prace nad zastosowaniem niejednorodnego wyładowania elektrycznego, stabilizowanego przegrodą dielektryczną do osadzania cienkich powłok ze związków krzemu pod ciśnieniem atmosferycznym. Przez polikondensację heksametylodisilazanu uzyskano cienkie powłoki złożone z azotowo-tlenowych związków krzemu o zawartości azotu do 8% at. Z mieszaniny gazowej TEOS + 02 + Ar (550 ppm 02) uzyskano powłoki o niewielkiej zawartości węgla (ok. 5% at.), nie zawierające wykrywalnych ilości substancji organicznych. Przedstawiono nowe rozwiązanie reaktora do osadzania cienkich powłok pod ciśnieniem atmosferycznym w warunkach wyładowania stabilizowanego przegrodą dielektryczną.
EN
A study was continued on the application of non-homogeneous discharges, stabilised with a dielectric barrier, for deposition under atmospheric pressure of thin films composed of silicon compounds. Using hexamethyldisilazane, thin coatings were produced composed of nitrogen--oxygen compounds of silicon and containing up to 8% at. of nitrogen. From a mixture of TEOS + 02 + Ar (550 ppm 02) the coatings of Iow arbon content (ca. 5 % at.) were obtained. A new type of reactor was designed for the thin films deposition under atmospheric pressure by the discharges stabilised with a dielectric barrier.
9
Osadzanie powłok ze związków krzemu w procesie elektroplazmowym pod ciśnieniem atmosferycznym
88%
Schmidt-Szałowski K. , Fabianowski W. , Rżanek-Boroch Z. , Sentek J. , Gutowski M.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Inżynieria Materiałowa
|
1998
|
tom z. 8
PL
Stosując proces PE-CVD pod ciśnieniem atmosferycznym uzyskano cienkie powłoki z dwutlenku krzemu za pomocą wyładowania elektrycznego o strukturze niejednorodnej, stabilizowanego przegroda dielektryczną. Opracowano laboratoryjny model reaktora, działający przy częstotliwosci 50 lub 1300 Hz. Jednorodne powłoki o grubości do 600 nm, złożone głównie z dwutlenku krzemu, osadzono na podłożu z krzemu przez polikondensację tetraetoksykrzemu (TEOS) w mieszaninach TEOS + Ar, TEOS + 02 + Ar oraz TEOS + NH3 +Ar. Powłoki były trwałe i dobrze przylegały do podłoża. Zbadano wpływ: 1) warunków wyładowania, 2) składu: mieszaniny gazów, 3) czasu osadzania - na w!aściwości otrzymanych powłok. Skład powłok określano za pomocą widm FTIR oraz XPS.
EN
The surface films composed mainly of silicon dioxide were obtained by the PE-CVD process und atmospheric pressure using non-homogeneus electrical discharges stabilized with a dielectric barrier. A laboratory model of the reactor operating at frequencies of 50 or 1300 Hz was developed. Homogeneus films up to 600 nm thick were obtained on silicon wafers by polycondensation of tetraethoxysilane (TEOS) in gas mixtures: TEOS + Ar, TEOS+O2+Ar and TEOS +NH3+AR. The films were stable and adhered well to the surface of the wafer. The influence was studied: 1) of the discharge conditions 2) of the gas mixture composition and 3) of the deposition time - on the film`s properties. The composition of films obtained under different condi
10
Cienkie powłoki z tlenoazotku i dwutlenku krzemu otrzymywane metodą PE-CVD pod ciśnieniem atmosferycznym
75%
Schmidt-Szałowski K. , Rymuza Z. , Rżanek-Boroch Z. , Kusznierewicz Z. , Sentek J. , Misiak M.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Inżynieria Materiałowa
|
2000
|
tom z. 12
33-42
PL
Nowość badanej metody typu PE-CVD (plazmowego osadzania powłok z fazy gazowej) polega na zastosowaniu wyładowania niejednorodnego pod ciśnieniem atmosferycznym. Przez polikondensację substancji krzemoorganicznych (HMDSN oraz TEOS) otrzymywano amorficzne powłoki ze związków krzemu o grubości 10-200 nm. Przez dobór warunków wyładowania można było uzyskać powłoki o dużej twardości, zawierające znikome ilości substancji organicznych albo-odwrotnie-zawierajace znaczne ilosci składników organicznych, o mniejszej twardości i o małym współczynniku tarcia.
EN
The novelty of the PE-CVD process under investigation consists in using of non-homogeneous electric barrier-discharges operating under atmospheric pressure. Amorphous 10-200 nm thick films of silicon, compounds were deposited by polycondensation of organo-silicon substances (HMDSN and TEOS). Under selected discharge conditions, it was possible to obtain hard films with very low content of organic admixtures or, on the other hand, much softer ones of low friction coefficient and containing considerable amounts of organic components.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.