Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

2 2006

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Study of Sn-Cu-Al-Si phase diagrams for growth of silicon thin film by liquid phase epitaxy

100%

Abdo F. , Fave A. , Lemiti M. , Laugier A. , Bernard C. , Pish A.

tom Vol. 51, iss. 4

533-537

Silicon thin films are attracting considerable interest as a possible means of achieving low cost solar cells. In order to absorb 90% of the solar spectra, the thickness of such film has to be 30 µm. In this paper we compared LPE growth using pure Sn melt or Sn-Cu alloys at temperature below 800°C and their potential for photovoltaic applications. From Sn melt, one can achieved maximum thickness of 15 µm. Thickness is limited by the low solubility of Si in the melt. However from Sn-Cu solutions, when composition is carefully chosen, solubility is more important. Then thickness as much as 30 m has been obtained. Furthermore, we described experimental technique allowing in situ removal of silicon native oxide prior to the growth.

Krzemowe cienkie warstwy wzbudzają znaczne zainteresowanie jako możliwość uzyskania tanich ogniw słonecznych. Aby zaabsorbowac 90% widma słonecznego, grubość takiej warstwy musi mieć 30 µm. W pracy porównujemy wzrost LPR stosując czystą ciecz Sn lub stopy Sn-Cu w temperaturze poniżej 800°C i ich potencjalne zastosowanie w fotowoltaice. Stosując ciecz Sn można uzyskać maksymalną grubość 15 µm. Grubość jest ograniczona przez niską rozpuszczalność Si w cieczy. Jednak dla roztworów Sn-Cu, gdy skład jest dokładnie określony, rozpuszczalność jest bardziej istotna. W tym przypadku uzyskano grubość dochodzącą do 30 m. Ponadto opisujemy doświadczalne techniki umożliwiające usuwanie “in situ” rodzimego tlenku krzemu poprzedzające wzrost.

TMAH texturisation and etching of interdigitated back contacts solar cells

100%

Papet P. , Nichiporuk O. , Fave A. , Kaminski A. , Bazer-Bachi B. , Lemiti M.

Materials Science Poland

2006

tom Vol. 24, No. 4

1043--1049

In order to decrease reflectivity of silicon solar cells, NaOH or KOH texturisations are usually used leading to a pyramidal structure. However, these solutions are toxic and pollutant. Effectively, K+ or Na+ ions contaminate the passivation layer (SiO2 or SiN) deposited on the surface of the cell after texturisation. An alternative to KOH and NaOH texturisation is tetramethyl ammonium hydroxyde (CH3)4NOH) (TMAH). TMAH is not pollutant, not toxic and its use leads also to a pyramidal structure. Moreover, the etching rate and surface morphology can be controlled by the concentration of the solution, temperature and the addition of surfactant. Moreover, TMAH is selective with dielectrics and metals. It can therefore be used to produce self-aligned interdigitated back-contact solar cells (IBC). In this work, we have analysed the surface morphology and reflectivity after texturisation in TMAH in various experimental conditions. We have tested the possibility to use selective etching of the emitter of a back-contact solar cell by protecting the surface of the emitter with a metal grid. This new process permits to reduce the number of lithographic steps necessary to produce IBC solar cells.