Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Ograniczenie zjawiska pustek w spoinach lutowniczych wykonanych metodą próżniowego lutowania kondensacyjnego

100%

Synkiewicz B. , Witek K. , Skwarek A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

tom Vol. 55, nr 9

67-69

PL

W artykule zaprezentowano wyniki badań nad wpływem próżniowej technologii lutowania kondensacyjnego na zjawisko powstawania w spoinach lutowniczych tzw. pustek (ang. voids). Do tego celu wykorzystano piec kondensacyjny Asscon VP800 Vacuum, w którym lutowano przygotowane uprzednio próbki, poddane następnie kontroli rentgenowskiej. Wyniki tej kontroli poddano analizie statystycznej. Obliczono średnią ilość oraz wielkość napotkanych w spoinach pustek z uwzględnieniem ich lokalizacji. Uzyskane wyniki badań w sposób jednoznaczny wykazały radykalne zmniejszenie ilości i wielkości pustek w spoinach w wyniku działania próżni.

EN

The article presents the results of the experiment describing the influence of vapour phase soldering with vacuum option on voids creation in a solder joint. The samples were prepared with Asscon VP800 vacuum, vapour phase soldering furnace and subjected to X-ray analysis. The results were statistically analysed. The average amount and average size of voids In each type of joint were calculated including their location in a solder joint. The obtained results proved that the vacuum application significantly reduced average amount and average size of voids.

2

Kompozytowa folia LTCC o obniżonej przenikalności elektrycznej do zastosowań mikrofalowych

100%

Synkiewicz B. , Kulawik J. , Guzdek P. , Grzesiak W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2015

|

tom Vol. 56, nr 9

31-33

PL

O funkcjonalności materiałów w zakresach częstotliwości mikrofalowych decyduje wiele czynników, wśród których istotne miejsce zajmuje m.in. niska przenikalność elektryczna. Materiały o niskiej stałej dielektrycznej stwarzają możliwość zbliżenia linii sygnałowych oraz zagęszczenia połączeń przy zachowaniu kontrolowanej impedancji linii, a także zmniejszenia przesłuchów pomiędzy liniami oraz opóźnień propagacji sygnału. W niniejszym artykule opisano metodę otrzymywania materiału szklano-ceramicznego, bazującego na surowcach nieorganicznych z dodatkiem grafitu, który umożliwił uzyskanie porowatości obniżającej stałą dielektryczną. W oparciu o technologię LTCC, skonstruowano wielowarstwową wytrzymałą mechanicznie strukturę o znacznym udziale porowatości wewnętrznej i równomiernej, nienasiąkliwej powierzchni. Uzyskano statystycznie istotny spadek (ponad 50%) stałej dielektrycznej struktury w stosunku do nieporowatej próbki o tym samym składzie chemicznym.

EN

The functionality of the materials in the microwave frequency range depends on many factors, among them, dielectric constant is one of the most important. In high frequency applications, low dielectric constant of a substrate material is crucial for increasing the speed of signal transmission and reduction of crosstalk between lines in high-speed circuits. This article describes a method of obtaining the glass-ceramic material, based on inorganic components with the addition of graphite powder as pore former, leading to decrease of the electric permittivity. Based on LTCC technology, mechanically resistant multi-layer structure with a high internal porosity and uniform, non-absorbent surface, was constructed. A statistically significant decrease (over 50%) of the dielectric constant in comparison to non-porous sample with the same composition was achieved.

3

Antena łatkowa na pasmo 120 GHz w bezskurczowej technologii LTCC

100%

Sobolewski J. , Synkiewicz B. , Bajurko P. R.

Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne

|

2017

|

tom nr 6

271--274, CD

PL

W artykule przedstawiono aspekty technologiczne związane z wytwarzaniem struktur antenowych na pasmo subterahercowe w technologii LTCC. Zaprezentowano projekt mikropaskowej anteny łatkowej na podłożu LTCC z folii bezskurczowej uwzględniający ujawnione ograniczenia procesu wytwarzania.

EN

This paper presents manufacturing issues of subterahertz antenna structures in LTCC technology. Furthermore, microstrip patch antenna design on “zero - shrinkage” LTCC substrate considering fabrication process limitations is presented.

4

Zastosowanie technologii LTCC w wytwarzaniu podłoży do układów mikrofalowych

75%

Synkiewicz B. , Szwagierczak D. , Grzesiak W. , Ratajczak J. , Kulawik J. , Yashchyshyn Y. , Bajurko P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2017

|

tom Vol. 58, nr 9

21--24

PL

Celem pracy było porównanie komercyjnie dostępnych oraz opracowanych nowych folii szklano-ceramicznych pod kątem predyspozycji do zastosowań w elektronice mikrofalowej. Wytworzone technologią LTCC porowate oraz lite kompozyty LTCC bazujące na ceramice Al2O3 lub kordierycie zostały poddane analizie SEM z EDS, która ujawniła ich niejednolitą strukturę wewnętrzną. Przeprowadzono pomiary przenikalności elektrycznej w wysokiej częstotliwości dla opracowanych i komercyjnych folii. Porównanie parametrów opracowanych folii z dostępnymi komercyjnie materiałami (DuPont 9k7, DuPont 951-GT, ESL 41110-T) pozwoliło wytypować folię LTCC, charakteryzującą się niską przenikalnością elektryczną oraz wysoką wytrzymałością mechaniczną (ESL 41110-T). Artykuł przedstawia również wyniki badań mających na celu optymalizację procesu technologicznego w kierunku jak najwyższej jakości układów przeznaczonych do pracy w wysokich częstotliwościach.

EN

The aim of the study was the comparison of the commercially available and experimentally developed green tapes suitable for LTCC technology at the angle of their predispositions for microwave applications. The analysis using SEM and EDS method of the developed porous and nonporous composites based on Al2O3 ceramic (or alternatively cordierite) revealed their irregular microstructure and channel-shaped porosity. The measurements of dielectric permittivity at high frequencies were performed for both the commercial and the fabricated dielectric tapes. Comparison of the developed tapes and commercial materials (DuPont 9k7, DuPont 951-GT, ESL 41110- T) led to the choice of a LTCC system (ESL 41110-T) with low dielectric permittivity, high mechanical strength, and regular smooth surface. The paper presents also the results of studies aimed at optimization of technological process in order to achieve the highest quality of circuits destined for work at high frequencies.

5

Zastosowanie podłoży DBC w praktycznych realizacjach układów elektroniki dużej mocy

75%

Grzesiak W. , Maćków P. , Kulawik J. , Maj T. , Synkiewicz B. , Witek K.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

tom R. 91, nr 9

46-49

PL

W artykule przedstawiono wybrane zagadnienia z zakresu technologii DBC (Direct Bonded Copper) pozwalającej na wytwarzanie podłoży ceramicznych pokrytych jedno- lub dwustronnie warstwą miedzi. Omówiono właściwości tych podłoży, a także ich potencjał aplikacyjny. Efektem badań przeprowadzonych w Krakowskim Oddziale ITE, było wstępne opracowanie technologii i konstrukcji układów elektroniki dużej mocy bazujących na technice DBC. Wytworzenie płytek testowych umożliwiło określenie minimalnej szerokości ścieżek oraz optymalnej odległości pomiędzy nimi. Przeprowadzone badania pozwalają na określenie obciążalności prądowej, możliwości realizacji połączeń ultra- i termokompresyjnych, a także możliwości montażu elementów dołączanych, takich jak rezystory, kondensatory, tranzystory mocy typu MOS-FET, diody LED oraz wybrane układy scalone. Przedstawiono również wybrane realizacje praktyczne układów elektroniki dużej mocy.

EN

The article presents selected issues of DBC (Direct Bonded Copper) technology for the production of ceramic substrates coated at one or both sides with a thick Cu layers. Properties of DBC substrates and analysis of their areas of application are discussed. The preliminary work carried out in the Krakow Division of the ITE, resulted in the development of technology and design of high power electronics systems based on the DBC technique. Preparation of test samples, allowed to identify the minimum width of the paths, the minimum distance between them, their current capacity, the possibility of achieving thermo- and ultrasonic bonding connections and the ability to attach SMD elements, such as resistors, capacitors, transistors, power MOS-FET, LED and selected integrated circuits. In the paper various practical implementations of power electronics circuits are presented.

6

Wybrane techniki realizacji obwodów drukowanych na bazie podłoży typu DBC

63%

Grzesiak W. , Maćków P. , Maj T. , Polak A. , Synkiewicz B. , Witek K. , Borecki J. , Serzysko T.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2016

|

tom R. 92, nr 9

24--28

PL

W artykule zaprezentowano wybrane zagadnienia z zakresu technologii DBC (Direct BondedCopper), która pozwala na wytwarzanie obwodów drukowanych pokrytych jedno lub dwustronnie warstwą miedzi. Przedstawiono podstawowe parametry tych podłoży oraz ich potencjał aplikacyjny. Opisano kilka metod bazujących na wynikach prac własnych oraz literaturze, pozwalających na formowanie mozaiki obwodów drukowanych, ich cięcia oraz wykonywania w nich otworów. Zaproponowano wykorzystanie tych technik dla potrzeb realizacji modeli, prototypów i demonstratorów modułów elektroniki dużej mocy, układów typu MCM (Multi-Chip Modules) i termogeneratorów. Główny nacisk położono na wykorzystanie urządzenia pracującego z zastosowaniem strumienia wody oraz na wykorzystanie ablacji laserowej do formowania mozaiki obwodu drukowanego. Przeprowadzono również analizę możliwości posiadanych urządzeń laserowych pod kątem wykonywania otworów oraz cięcia podłoża DBC.

EN

The article presents chosen aspects of the DBC (Direct Bonded Copper) technology. This technology enables for the manufacturing of the circuits on ceramic substrates coated at one or both sides with a thick Cu layers. Several methods for printed mosaic formation, holes drilling and cutting are described. The use of presented techniques for realization of models, prototypes, demonstrators of power electronic modules, MCM (Multi-Chip Modules) circuits and thermogenerators are shown. The main focus of this article is to demonstrate the possibilities of using Abrasive Water Jet device and laser ablation for mosaic printed circuits manufacture. Application of laser has been tested at the angle of drilling and cutting process. Basic parameters of the DBC substrates and their practical implementations has been presented and discussed.

7

Detektory naładowanych cząstek opracowane w ITE dla nowego systemu detekcyjnego ALBEGA, opracowywanego w GSI Darmstadt do badań nad transaktynowcami

51%

Węgrzecki M. , Yakushev A. , Bar J. , Budzyński T. , Di-Nitto A. , Dobrowolski R. , Grabiec P. , Kłos H. , Kulawik J. , Marchewka M. , Panas A. , Prokaryn P. , Synkiewicz B. , Szmigiel D. , Węgrzecki M. , Zaborowski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

tom Vol. 57, nr 8

35--40

PL

Omówiono konstrukcję, technologię i parametry dwóch nowych typów detektorów do systemu detekcyjnego ALBEGA (ALfa – BEta – GAmma) budowanego w GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung GmbH, Darmstadt (GSI), przeznaczonego do badań nad transaktynowcami. Detektor alfa stanowi 64-elementowa przepływowa matryca monolityczna zbudowana z dwóch płytek krzemowych o typie przewodnictwa ν, w których wytrawiony jest kanał, przez który przepływają (w gazie nośnym) badane substancje. Od strony kanału na całej powierzchni płytek wytworzony jest techniką dyfuzji fosforu obszar n+ (wspólna katoda). Na stronie przeciwległej do kanału wytworzone są techniką selektywnej dyfuzji boru 32 złącza p+-ν. Po połączeniu płytek powstaje szczelny kanał (przewód gazowy). Do jednego z końców tego przewodu doprowadzany jest gaz nośny (hel) zawierający atomy badanych pierwiastków promieniotwórczych. Gaz ten przepływa przez kanał. Promieniowanie jonizujące, emitowane przez atomy transportowane w gazie nośnym wnika do krzemu. Nośniki ładunku generowane w krzemie przez absorbowane promieniowanie (głównie cząstki alfa) są rozdzielane przez najbliższe złącze p+-ν, powodując powstanie sygnału elektrycznego. Promieniowanie beta i gamma przechodzi przez krzem i może być detekowane przez detektory odpowiednio umieszczone na zewnątrz przepływowego detektora cząstek alfa. Detektor beta stanowi monolityczna, 32-elementowa matryca o średnicy obszaru czynnego 90 mm, o grubości 0,9 mm. Materiałem wyjściowym jest wysokorezystywna płytka krzemowa typu ν. Na górnej stronie tej płytki wykonane są poprzez dyfuzję boru 32 planarne złącza p+-ν. Na dolnej stronie wykonany jest na całej powierzchni, poprzez dyfuzje fosforu, obszar n+, stanowiący wspólną katodę.

EN

The paper presents the design, technology and parameters of two new types of silicon detectors for the new detection system ALBEGA (ALfa – BEta – GAmma). The ALBEGA system will be used for research on transactinide elements at the GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung GmbH, Darmstadt (GSI) The alpha detector is a 64-element silicon monolithic flow array. The array consisting of two ν-type silicon wafers with a channel etched into them, through which the studied substances flow (in carrier gas), is used in the detector. An n+ region (common cathode) is formed by the phosphorous diffusion over the entire surface of the wafers from the side of the channel. 32 p+ regions (anode regions) are formed by selective boron diffusion on the side opposite to the channel. After the wafers are bonded, an gas-tight channel (gas pipe) is formed. Carrier gas (noble gas or a mixture of noble gas and reactive gas) containing atoms of radioactive elements under study is introduced into one end of this pipe. The gas flows through the channel and exits at the other end of the pipe. The transported active atoms/molecules are adsorbed inside the pipe and undergo the radioactive decay. The ionising radiation emitted by the atoms transported by the carrier gas penetrates into silicon. The charge carriers generated in silicon by absorbed radiation (mainly alpha particles) are separated by the nearest p+-ν junction, creating an electric signal. Beta and gamma radiation passes through silicon and can be detected by the detectors appropriately placed outside the flow alpha detector. The beta detector consists of a monolithic 32-element array with an active area diameter of 90 mm and a thickness of 0.9 mm. The starting material is a high-resistivity n silicon wafer. 32 planar p+-ν junctions are formed by boron diffusion on the top side of the wafer. On the bottom side, an n+ region, which forms a common cathode, is formed on the entire surface by phosphorus diffusion.