Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Precyzyjne źródło prądowe do sterowania lasera półprzewodnikowego interferometru światłowodowego

100%

Kunicki P. , Gotszalk T. , Piotrowicz A. , Rudek M. , Orłowska K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

tom Vol. 54, nr 10

41-45

PL

W przedstawionej pracy opisano konstrukcje źródeł prądowych o zoptymalizowanych parametrach (stabilność temperaturowa 0,6 µA w aplikacji z laserem DFB 1,3 µA (ang. Distributed Feedback Laser). Dodatkowo zaprezentowano wyniki i technikę pomiarów precyzji opracowanej konstrukcji.

EN

The current source for supplying laser diode used in fiber optic interferometer is presented in this article. The converter U/I is used as the current source. The temperature stability of main potentials and current of source were measured for the best temperature stability of current. There were used elements with various TCR.

2

Occurrence of Dermacentor reticulatus in central-southern Poland, and potential threats to human and animal health

86%

Buczek A. , Buczek W. , Rudek M. , Asman M. , Swislocka M. , Bartosik K.

Annals of Agricultural and Environmental Medicine

|

2024

|

tom 31

|

nr 1

3

Uniwersalny mikroprocesorowy miernik impedancji elektrycznej

86%

Rudek M. , Woźniak K. , Wojciechowski T. , Woszczyna M. , Zawierucha P. , Gotszalak T.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2009

|

tom R. 85, nr 11

175-177

PL

W artykule przedstawiona została zasada działania oraz konstrukcja mikroprocesorowego miernika impedancji charakteryzującego się szerokim zakresem mierzonej impedancji od 1 k[om] do 10 M[om] oraz stosunkowo szerokim pasmem pomiarowym od 1 kHz do 100 kHz. Zwarta budowa, niewielkie rozmiary oraz niska cena prezentowanego urządzenia sprawiają, że w mniej precyzyjnych pomiarach stanowi alternatywę dla drogich, komercyjnych rozwiązań tego typu.

EN

In this article theory of operation and design of a microprocessor electrical impedance measurement device is presented. It features broad input impedance range from 1 k[om] to 10 M[om] and relatively wide measurement bandwidth from 1 kHz to 100 kHz. Compact design, small dimensions and low price are its advantages and make an alternative choice to expensive commercial equipment.

4

Układy sterowania i przetwarzania sygnału z dźwigni piezorezystywnych wzbudzanych elektromagnetycznie

86%

Kopiec D. , Sierakowski A. , Rudek M. , Majstrzyk W. , Grabiec P. , Gotszalk T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

tom Vol. 55, nr 10

26-29

PL

W pracy przedstawiono dźwignie mikromechaniczne integrujące w swojej strukturze piezorezystywny detektor ugięcia oraz aktuator wychylenia. Tego rodzaju dźwignie mikromechaniczne stanowią atrakcyjne narzędzia stosowanie w mikro- i nanoskali do pomiarów bardzo małych sił, zmian masy, wychyleń, lepkości. Zintegrowany detektor oraz aktuator dają możliwość konstruowania mniej skomplikowanych systemów pomiarowych niż układy bazujące na optycznych oraz interferometrycznych detektorach wychylenia, zapewniając przy tym tak samo duże rozdzielczości pomiaru ugięcia. Zaprezentowane zostały również układy elektroniczne pełniące rolę urządzeń pomiarowych oraz sterujących pracą mikrostruktury. Wykorzystanie siły Lorentza umożliwia kontrolowane oraz powtarzalne manipulacje w nanoskali, z rozdzielczością dziesiątków nanometrów.

EN

The paper presents an micromechanical probe with integrated piezoresistive deflection detector and actuator deflection in its structure. Such micromechanical probes are attractive tools to use in micro- and nanoscale to measure very small forces, changes in weight, deflection, viscosity. Integrated detector and actuator allow to construct less complex measurement systems than systems based on optical and interferometric deflection detector, while ensuring the same high resolution measurement of deflection. Electronic circuits act as measuring devices, and controling the operation of the microstructure were also presented. The use of the Lorentz force allows controlled and reproducible manipulation at the nanoscale, with a resolution of tens of nanometers.

5

Piezorezystywna nanosonda AFM/SThM do badań termicznych w nanoskali

72%

Janus P. , Szmigiel D. , Domański K. , Grabiec P. , Sierakowski A. , Gotszalk T. , Rudek M. , Kopiec D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

tom Vol. 57, nr 8

41--46

PL

Pomimo bardzo dynamicznego rozwoju technologii wytwarzania nanostruktur i nanoprzyrządów (np. struktur grafenowych, czy też tranzystorów o głęboko submikronowych rozmiarach) wciąż brakuje uniwersalnych i wielofunkcyjnych narzędzi do analizy zjawisk w nanoskali. Dostępne techniki bazujące na mikroskopii sił atomowych (Atomic Force Microscopy – AFM) umożliwiają z reguły monitorowanie jednego typu parametrów: mechanicznych, termicznych lub elektrycznych. W publikacji przedstawiono rezultaty prac badawczych, których celem było opracowanie mikrodźwigni krzemowych z piezorezystywną detekcją ugięcia, wyposażonych w przewodzące ostrze platynowe. Do wytworzenia struktur sondy wykorzystano typowe procesy mikrotechnologii krzemowej oraz technikę FIB (Focused Ion Beam), która pozwala zredukować promień krzywizny ostrza do wartości mniejszych od 100 nm. Opracowany przyrząd umożliwia zarówno analizę topografii powierzchni oraz jej charakteryzację termiczną i jest użytecznym narzędziem do pomiarów mikro- i nanostruktur elektronicznych. Konstrukcja przyrządu pozwala na jego łatwą integrację z mikro- lub nanomanipulatorami oraz instalację w komorze próżniowej skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM). Takie rozwiązanie umożliwia dokładną obserwację charakteryzowanej struktury oraz lokalizację sondy na jej powierzchni z nanometrową dokładnością w obszarze skanowania rzędu kilku centymetrów kwadratowych. Jest to niezwykle użyteczne przy analizie próbek o dużych rozmiarach. W publikacji przedstawiono rezultaty pomiarów termicznych na powierzchni mikro- i nanoprzyrządów elektronicznych przeprowadzonych przy użyciu przedstawionego systemu mikroskopu termicznego.

EN

Despite a dynamic development of the technology of nanostructures and nanodevices (e.g. graphene structures or deep sub-micron transistors) there is still a lack of universal and multi-functional tools for the analysis of phenomena at the nanoscale. Available techniques based on atomic force microscopy (AFM) generally allow monitoring one type of parameters: mechanical, thermal or electrical. The paper presents the results of research focused on developing silicon cantilevers integrated with a piezoresistive deflection sensor and with a conductive platinum tip. Standard silicon microtechnology processes and Focused Ion Beam (FIB) technique were used to fabricate microprobes with sharp tips and to reduce their final radius of curvature to less than 100 nm The developed probe is a useful tool for characterization of micro- and nanostructures, it enables analysis of the sample topography and its thermal properties. The design of the device allows its integration with micro- or nano-manipulator and installing them in the vacuum chamber of the scanning electron microscope (SEM). This enables precise observation of the investigated structure and location of the microprobe on its surface with a nanometric accuracy over a scanning area of several square centimeters. This is particularly useful when scanning samples with large dimensions. The paper presents the results of thermal measurements obtained with the described thermal microscope system on the surface of micro- and nanoelectronic devices.

6

Skaningowy mikroskop tunelowy do badań nanostruktur grafenowych

72%

Gajewski K. , Kopiec D. , Rudek M. , Zawierucha P. , Zielony M. , Moczała M. , Wielgoszewski G. , Strupiński W. , Gotszalk T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

tom Vol. 54, nr 6

14-18

PL

W poniższej pracy opisano zasadę działania i konstrukcję skaningowego mikroskopu tunelowego przeznaczonego do badań nanostruktur grafenowych. Mikroskop ten pracuje pod ciśnieniem atmosferycznym w temperaturze pokojowej. Omówiono podstawowe tryby pracy tego mikroskopu: do obrazowania powierzchni z atomową rozdzielczością oraz do obrazowania potencjałów powierzchniowych. Opisano poszczególne elementy, z których składa się system. W dalszej części pracy przedstawiono wyniki niektórych badań w których wykorzystano ten mikroskop – w badaniach wysoko zorientowanego grafitu pirolitycznego i grafenu na podłożu 6H-SiC. Przedstawiono również możliwości rozbudowy opracowanego systemu.

EN

In this paper we present principles and construction of scanning tunneling microscope designed for graphene nanostructures investigations. This microscope is working under ambient air in room temperature. Basic modes of this microscope were described: for atomic scale surface imaging and for imaging surface potentials. The main components of this system were shown. Some results obtained with use of this microscope were noted – highly oriented pyrolytic graphite and graphene on 6H-SiC substrate investigations. Additionally, the capabilities of the system improvement were pointed out.

7

Pomiar szumów piezorezystywnych przetworników mikromechanicznych

72%

Kopiec D. , Nieradka K. , Rudek M. , Gajewski K. , Sierakowski A. , Grabiec P. , Jóźwiak G. , Gotszalk T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

tom Vol. 54, nr 10

51-55

PL

W pracy przedstawiono piezorezystywne mikromechaniczne przetworniki siły oraz zmian masy wykonane technologiami mikroelektronicznymi. Przedstawiona została ich zasada działania, główne źródła szumów występujących w tego rodzaju elementach oraz konstrukcja wzmacniacza do pomiaru szumów występujących w prezentowanych układach mikromechanicznych. Zaprezentowano także sposób doboru wzmacniaczy operacyjnych ze względu na poziom szumu występującego w systemie pomiarowym.

EN

In this paper we present micromechanical force and mass change transducer with integrated piezoresistive deflection sensor made with use of microelectronic technology. We present the principles of operation of these transducers and identified the main sources of noise that occur in this type of elements. Amplifier design is presented for the measurement of low-frequency noise and selection method of operational amplifiers because of the noise present in the measurement system.