Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Nowe elementy systemu telekomunikacyjnego HETMAN

100%

Miśkiewicz K. , Wojaczek A. , Dzierżko J.

2008

tom R. 46, nr 10

36-41

Omówiono strukturę systemu telekomunikacyjnego HETMAN, zwracając szczególną uwagę na elementy i rozwiązania konstrukcyjne, jakie zostały wprowadzone w unowocześnionej wersji tego systemu. System ten jest obecnie uruchomiany w KWK Wujek. Przedstawiono konstrukcję nowej teletransmisyjnej bariery iskrobezpiecznej TBI 2, stojaka SDA HETMAN i telefonu sygnalizatora JANTAR 2.

A structure of the HETMAN telecommunication system has been discussed in the paper, paying a special attention to the components and solutions of the construction which have been used in the modernized version of this system. The running of the system is setting now in the "Wujek" Hard Coal Mine. There have been presented in the paper: a structure of a new intrinsically safe transmission barrier TBI 2, a rack SDA HETMAN and a telephone-signal unit JANTAR 2.

Nowy, dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego

88%

Kordalski W. , Polowczyk M. , Czerwiński J. , Dzierżko J. , Dobrzański L.

tom T. 5

815-824

W artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych. Na podstawie wyników pomiarowych dostępnych w literaturze przedmiotu można wykazać, że przewidywana czułość proponowanego czujnika może być ok. 1000 razy większa niż czułość znanych i cenionych czujników wykorzystujących tranzystory MAGFET. Czujnik według nowej konstrukcji ma niezwykle małe wymiary i absorbuje małą moc. Artykuł składa się z krótkiego wstępu, opisu zasady działania nowego czujnika, oszacowania wrażliwości czujnika na pole magnetyczne oraz konkluzji.

A novel, two-drain MOS transistor as a very sensitive magnetic field sensor is proposed. The sensor exploits the galvanomagnetic effect due to the Lorentz force on charge carriers in the transistor channel.