Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Aktualne kierunki rozwoju elektroniki spinowej

100%

Korzec Z.

Elektronika : prace naukowe

|

2005

|

tom nr 10

7-22

PL

Elektronika spinowa (spintronika) stanowi jedną z dróg rozwoju nanoelektroniki. Artykuł poświęcony jest omówieniu zasad działania i najważniejszych zastosowań przyrządów spintroniki, opartych na zjawiskach magnetycznych występujących w magnetycznych strukturach wielowarstwowych typu GMR oraz tunelowych złączach magnetycznych. Szczególna uwaga została zwrócona na jedno z najważniejszych zastosowań elektroniki spinowej, jakim są pamięci magnetyczne, obecnie powszechnie stosowane, m.in. w systemach napędowych dysków twardych i telefonii komórkowej.

EN

The field of spintronics has its roots dating back to the 1930, when it was first discovered that electrical transport in ferromagnetic metals is comprised of largely independent currents of majority and minority spinelectrons. Generating, manipulating and detecting such spin-polarized current is the essence of spin-electronics. The use of electron spin as a new degree-of-freedom in electron devices offers new functionality and performance. The discovery of enhanced magneto-resistance and oscillatory interlayer exchange coupling in transition metal-multilayers has enabled the development of new classes of magnetically engineered magnetic thin-film materials suitable for advanced magnetic sensors and magnetic random access memories. Commercial success has already been realized in all-metal structures based on giand magneto-resistance a new and entirely spin-derived functionality. The giant magneto-resistance effect (GMR) is due to spin transport between two ferromagnetic metals separated by a nonmagnetic spacer metal and refers to the increase in resistance which occurs when the relative orientation of the magnetic moments of the two magnetic layers is changed from parallel to anti-parallel. The largest GMR in magnetic multilayers are noted for magnetic structures containing the thinnest possible magnetic and nonmagnetic layers. This is because the GMR effect is dominated by spin-dependant scattering at the magnetic/nonmagnetic interfaces. IBM was the first company, which have used GMR in read head sensors. Now this kind of heads is found in virtually all hard disk drives produced today. As the areal density of magnetic recording disc drives continues to increase at an extremely high rate an alternatives to GMR sensors are needed. One of various approaches is introducing the spintronic devices with magnetic tunnel junctions, which are based on quantum mechanical tunneling of spin-polarized electrons through a very thin insulator layer. As nowadays the spin electronics became recognized as an large, dynamic field of research representing one of the most promising way for future technology, in this paper only an general overview is given and the main points are underlined.

2

Nanoelektronika - elektronika XXI wieku

100%

Korzec Z.

|

tom nr 4

5-18

PL

Postęp w technologii elektronowej pozwala obecnie na realizacją przyrządów półprzewodnikowych i innych elementów elektronowych o wymiarach rządu kilkudziesięciu nanometrów, wymiarach zbliżonych do stałych sieci krystalicznej półprzewodników. Przy tak małych wymiarach konieczne jest uwzględnienie zjawisk kwantowych i falowych poszczególnych elektronów. W artykule omówiono zasadnicze trzy kierunki rozwoju przyrządów elektronowych skali nanometrowej: skalowane struktury CMOS o specjalnych rozwiązaniach, przyrządy półprzewodnikowe typu RTD (ang.Resonant Tunneling Devices) oraz przyrządy molekularne.

EN

This paper gives some glimpses on the research developments toward nanometer-scale electronics. The possible extensions and applications of CMOS technology in the nanometer regime is first discussed. CMOS technology is the predominant over the last 25 years in the microelectronics industry. The concept of scaling the MOS device has been applied over many technology generations, resulting in both density and performance. However, the lows of quantum mechanics and the limitations of fabrication techniques may soon prevent farther reduction in the size of today's conventional MOS structure. In order to continue the miniaturisation of circuit elements down to the nanometer scale new classes of nanometer-scale devices are investigated. The main classes are: a) resonant tunnelling devices and 2) molecular electronics devices. Both are briefly discussed and final conclusions are given..

3

Zastosowanie banku filtrów do analizy sygnałów mowy w systemach rozpoznawania pojedynczych słów

63%

Błaszczyk D. , Korzec Z.

|

tom nr 4

158-176

PL

W artykule opisano prosty system rozpoznawania pojedynczych słów, zaprojektowany i zrealizowany w Instytucie Elektroniki Politechniki Łódzkiej. Do wstępnego przetwarzania sygnału mowy i analizy częstotliwościowej zastosowano bank filtrów S.C. oraz zmodyfikowany przetwornik analogowo cyfrowy. Przedstawiono wyniki przeprowadzonych testów, mających na celu określenie skuteczności rozpoznawania słów, przy uwzględnieniu zmian takich parametrów jak częstotliwość próbkowania oraz rozdzielczość przetwornika A/C. W badaniach uwzględniono wpływ mówców i warunków otoczenia. Wyniki przeprowadzonych w zrealizowanym systemie testów porównano z wynikami symulacji komputerowej w środowisku programu MATLAB. Uzyskane z badań wnioski dostarczają cennych wskazówek, istotnych przy projektowaniu i konstrukcji tego rodzaju systemów.

EN

In this paper a simple word recognition system designed and developed in Institute of Electronics, Technical University of Lodz, is described. The entered speech signal is analysed by means of switched capacitor filter bank and a modified A/D processor. The results of measurement and test are presented. The dependence of sampling frequency and performance of the A/D circuits on the recognition efficiency is discussed. Influence of speaker personality and environment conditions were taken into consideration. The testing results of hardware realisation are compared with the computer simulation using MATLAB programs. The measurement and simulation results have provided important conclusions useful in further works in the field of designing and practical realisation of the mixed hardware-software word recognition systems, popular in many practical applications.