Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Detektory promieniowania sub-THz budowane z użyciem krzemowych tranzystorów typu MOSFET

100%

Kopyt P.

|

2015

|

tom Vol. 56, nr 7

37-41

PL

W artykule przeanalizowano z punktu widzenia projektanta wpływ elementów pasożytniczych występujących w krzemowych tranzystorach polowych typu MOSFET na działanie detektorów promieniowania sub-THz zbudowanych z użyciem takich przyrządów. Zaproponowano obwodowy model przyrządu zewnętrznego, a wartości elementów modelu dobrano w oparciu o typowe dane dostępne w literaturze. Model kanału tranzystora został zbudowany jako odcinek linii długiej opisanej za pomocą macierzy [Z], co ułatwiło zintegrowanie go z elementami pasożytniczymi. Uzyskany w ten sposób opis tranzystora MOSFET zastosowano do zbadania odpowiedzi kanału na pobudzenie sygnałem o częstotliwości sub-THz dostarczanego przez zaciski G i S. Wyniki takiej analizy przeprowadzonej dla tranzystorów MOSFET zintegrowanych z przykładową anteną łatową porównano z danymi uzyskanymi eksperymentalnie dla struktur o różnych wymiarach kanału uzyskując zadawalającą zgodność. Wydaje się zatem, że pomimo nieskomplikowanej budowy zaproponowany model może ułatwić projektowanie nowych detektorów promieniowania sub-THz i pełniejsze zrozumienie ich działania.

EN

In this paper an analysis of parasitic elements that are found in all typical metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) has been performed from a viewpoint of a designer of sub-THz radiation detectors. A simplified model of the extrinsic MOSFET device has been proposed. Typical values of its parameters have been assumed based on literature. The author has also built a model of the MOSFET’s channel (intrinsic device) employing the standard transmission line approach and defining a Z-matrix of the circuit in order to facilitate its integration with the parasitic elements. The full effective circuit model of the MOSFET has been employed to analyze the behavior of the detector when subjected to sub-THz radiation delivered through the Gate and Source pads. Finally, predictions of the responsivity of an example detector built of a typical MOSFET integrated with a patch antenna have been compared with measurements of several structures employing MOSFETs of various channel widths. Good agreement between the predictions and the measurements has been demonstrated, which indicates that despite its simplicity the presented model can significantly help to better understand operation of MOSFET-based detectors and also to improve the design process.

2

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC

51%

Kopyt P. , Wojtasiak W. , Gryglewski D. , Gwarek W.

|

tom Vol. 54, nr 9

22-25

PL

W artykule przedstawiono 3-wymiarową analizę termiczną tranzystora GaN HEMT na podłożu GaN/SiC wytworzonego w ITE. Symulacje przeprowadzono w środowisku ANSYS-Fluent z zewnętrznym generatorem siatki obliczeniowej. W analizie uwzględniono warstwową strukturę podłoża i zależność własności materiałowych poszczególnych warstw od temperatury. Opracowanego modelu użyto do wyznaczenia rezystancji | termicznej tranzystora na podłożu SiC i GaN (monokrystaliczny) o różnych grubościach.

EN

In this paper a 3-dimensional numerical model of a HEMT structure fabricated on GN/SiC substrate is presented. The model is implemented in the ANSYS-Fluent environment using an external computational mesh generator. The tools have been verified by comparing results obtained with numerical calculations and a known solution of a simple thermal problem. Next, the model of the HEMT has been employed to numerically evaluate the thermal resistance of the structure for two different substrate materials of varying thickness. It will be used as a tool in an effort to scale-up devices manufactured by ITE towards higher output power levels.

3

Passive synthesis rules of coupled-cavity quantum cascade lasers

51%

Krysicki M. , Salski B. , Kopyt P.

|

2019

|

tom Vol. 27, No. 3

268--274

EN

A new approach to passive electromagnetic modelling of coupled–cavity quantum cascade lasers is presented in this paper. One of challenges in the rigorous analysis of such eigenvalue problem is its large size as compared to wavelength and a high quality factor, which prompts for substantial computational efforts. For those reasons, it is proposed in this paper to consider such a coupled-cavity Fabry-Perot resonant structure with partially transparent mirrors as a two-port network, which can be considered as a deterministic problem. Thanks to such a novel approach, passive analysis of an electrically long laser can be split into a cascade of relatively short sections having low quality factor, thus, substantially speeding up rigorous electromagnetic analysis of the whole quantum cascade laser. The proposed method allows to determine unequivocally resonant frequencies of the structure and the corresponding spectrum of a threshold gain. Eventually, the proposed method is used to elaborate basic synthesis rules of coupled–cavity quantum cascade lasers.

4

Układ przemiany częstotliwości toru nadawczego radaru impulsowego na pasmo Ku

51%

Gryglewski D. , Wojtasiak W. , Kopyt P. , Żurkowski J.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2012

|

tom R. 88, nr 11b

14-17

PL

W artykule przedstawiono projekt konwertera dla nadajnika radaru RSKu-10 na pasmo Ku. Konwerter realizuje przemianę częstotliwości pasma pośredniej 70 MHz do zakresu nośnych 17÷17,5 GHz. Poziom mocy wyjściowej w paśmie Ku w głównym 8 MHz kanale wynosi PWY1 = 0 dB ± 0,15 dBm, a na wyjściu kalibracyjnym PWY2 = -20 dB ± 0,4 dBm dla mocy wejściowej PWE = 0 dBm (70 MHz). Poziom sygnałów niepożądanych poza pasmem i w paśmie pracy nie przekracza -60 dBc.

EN

In this paper, the design of up-converter for Ku-band radar is presented. The IF frequencies from 70 MHz band are converted to 17÷17.5GHz frequency range. The up-converter achieves output power level PWY1=0dB±0.15dBm and PWY2=-20dB±0.4dBm for input Power PWE=0dBm (70MHz) at the main port and calibration port, respectively. The level of undesirable signals is less than -60dBc.