PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 17

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Korzyści i zagrożenia inwestora elektrociepłowni biogazowej
100%
Grochowski J.
|
|
tom Nr 2
36-37
2
Content available Wycena wartości roślin sadowniczych w świetle intensyfikacji produkcji
100%
Grochowski J.
|
|
tom 87
3
Rozporządzenia wykonawcze do ustawy prawo energetyczne
100%
Grochowski J.
|
1999
|
tom z. 17
69-80
PL
W referacie przedstawiono zestawienie aktualnie obowiązujących aktów prawnych dotyczących ustawy Prawo energetyczne wraz z ich krótką charakterystyką.
EN
A set of present ordinances concering the Power Act and their short characteristics are presented in the paper.
4
Elektrociepłownia biogazowa - pierwsza w Wielkopolsce
88%
Grochowski J.
|
|
tom Nr 5
46-47
5
Content available Właściwa liczba kształtu strzały f 1/2 w drzewostanach sosnowych jako miara pełności strzały i podstawa oceny dokładności wzoru środkowego przekroju
63%
Bruchwald A. , Grochowski J.
|
|
nr 12
6
Suszenie i chlodzenie cukru bialego w suszarko-chlodziarkach fluidyzacyjnych z mieszadlem
63%
Pakowski Z. , Grochowski J.
|
|
nr 02
30-32
7
Content available O określaniu miąższości i przyrostu przy pomocy miąższości prowizorycznej
63%
Grochowski J.
|
|
nr 09-10 Ser. B
8
Nowe suszarko-chlodziarki wibracyjno-fluidyzacyjne do cukru bialego
51%
Grochowski J. , Adamiec J. , Pakowski Z. , Tomalczyk M.
|
|
nr 08
144-147
9
Pionowa suszarko-chlodziarka fluidyzacyjna do cukru
51%
Pakowski Z. , Grochowski J. , Grochowski R.
Gazeta Cukrownicza
|
2000
|
tom 108
|
nr 07
125-127
10
Content available Charakterystyka mikologiczna środowiska w klatkach wykonanych z różnych materiałów wykończeniowych stosowanych w budownictwie mieszkaniowym
51%
Grochowski J. , Smyk B. , Stankiewicz B. , Czachor B.
|
|
tom 31
|
nr 1
11
Content available Tablice miąższosci Grundnera-Schwappacha a metoda kontroli
50%
Grochowski J.
|
1949
|
tom 93
|
nr 01-02
12
Content available Z literatury. Liesnaja wspomogatielnaja kniżka (Pomocnicza książka leśna)
50%
Grochowski J.
|
|
tom 92
|
nr 01
13
Content available Uwagi do pracy p. Władysława Płońskiego p. t. "Obliczanie przyrostu miąższości drzewa leżącego na podstawie t. zw. "Prawidłowego przekroju"
50%
Grochowski J.
|
|
nr 04
14
Content available Nowe metody pomiaru wysokości drzew i drzewostanów
44%
Grochowski J.
Sylwan
|
1931
|
tom 49
|
nr 01
15
Content available Władysław Jedliński (w 25 rocznicę śmierci)
38%
Grochowski J.
|
|
nr 09
16
Diody Schottky’ego i tranzystory MESFET na bazie In-Ga-Zn-O z przezroczystą bramką Ru-Si-O
32%
Kaczmarski J. , Grochowski J. , Kamińska E. , Taube A. , Kozubal M. , Jung W. , Piotrowska A. , Dynowska E.
|
|
tom Vol. 55, nr 9
24-26
PL
Kontakty prostujące stanowią główny element w konstrukcji diod Schottky’ego i tranzystorów MESFET zapewniających niski pobór mocy układów scalonych i płaskich wyświetlaczy z aktywnymi matrycami. W niniejszej pracy proponujemy wytworzenie bariery Schottky’ego do a-IGZO w oparciu o przezroczysty tlenek przewodzący (ang. Transparent Conductive Oxide, TCO) Ru-Si-O. Skład atomowy i amorficzna mikrostruktura tego TCO są skuteczne w zapobieganiu reakcjom międzyfazowym w obszarze złącza, pozwalając na uniknięcie wstępnej obróbki powierzchni półprzewodnika. Kontakty Ru-Si-O/In-Ga-Zn-O zostały wykonane za pomocą reaktywnego magnetronowego rozpylania katodowego. Przedstawiamy wyniki badań nad wpływem składu chemicznego Ru-Si-O na właściwości elektryczne i optyczne kontaktu do a-IGZO. Określono okno procesowe wytwarzania Ru-Si-O, w którym warstwy tworzą przezroczystą barierę Schottky’ego do a-IGZO bez wstępnej obróbki powierzchni tego półprzewodnika. Przezroczysta bariera Schottky’ego została wykorzystana w konstrukcji tranzystora MESFET.
EN
In the following reposrt we propose utilization of transparenct conductive oxide as Schottky contact to transparent amorphous oxide semiconductor. Ru-Si-O Schottky contacts to In-Ga-Zn-O have been fabricated by means of reactive sputtering without neither any annealing processes nor semiconductor surface treatments. The ideality factor, effective Schottky barrier height and rectification ratio are equal to < 2, > 0.9 eV and 105 A/A, respectively. We employed Ru-Si-O/In-Ga-Zn-O Schottky barriers as gate electrodes for In-Ga-Zn-O metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs). MESFET devices exhibit on-to-off current ratio at the level of 103 A/A in a voltage range of 2 V and subthreshold swing equal to 420 mV/ dec. Channel mobility of 7,36 cm2/Vs was achieved.
17
Content available Mikołaj Borowski (1921-1975)
26%
Grochowski J.
|
|
nr 01
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.