Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Manganity i kobaltyny strontowo-cerowe jako materiały katodowe ogniw elektrochemicznych

100%

Groger B.

Materiały Elektroniczne

|

2007

|

tom T. 35, nr 3-4

47-62

PL

Manganity i kobaltyny strontowo-cerowe o przewodności 185 i 300 Scm-1 otrzymane tradycyjną metodą reakcji w stanie stałym testowano jako materiały katodowe w tlenowych ogniwach stężeniowych. Katody w postaci grubych warstw naniesionych technologią sitodruku zostały wykonane w dwóch wersjach. W wersji pierwszej katody były warstwami manganitów z dodatkiem szkliw, a w wersji drugiej warstwami czystych manganitów lub kobaltynów. Poprzez wprowadzenie szkliw do warstw katodowych uzyskano zdecydowaną poprawę ich własności mechanicznych i adhezji do podłoża, ale jednocześnie wystąpił niekorzystny znaczący spadek przewodności i porowatości katod. Porowate warstwy katodowe z czystych manganitów lub kobaltynów o konduktywności 8-16 Scm-1 lub 58-80 Scm-1 otrzymano obniżając temperatury spiekania do odpowiednio 1050 lub 1000°C. Doświadczalne siły elektromotoryczne (SEM) ogniw z katodami Sr0,8 Ce0,2MnO3-δ i Sr0,9Ce0,1 CoO3-δ mierzone w przedziale temperatur 600 - 950°C posiadają dobrą zgodność z teoretycznymi wartościami SEM wyliczonymi z równania Nernsta.

EN

Strontium-cerium manganites and cobaltites with conductivities of 185 and 300 Scm[sup]-1 prepared by solid-state reaction were tested as cathode materials in oxygen concentration cells. Screen-printed cathode layers were made in two versions. In the first version the cathodes were manganite layers with addition of glasses and in the second version the layers consisted of pure manganites or cobaltites. Introduction of glasses into cathode thick films resulted in the improvement of their mechanical properties and adhesion to the substrate, but simultaneously caused a substantial, detrimental decrease of conductivity and porosity of cathode. Porous cathode layers of pure manganites or cobaltites were obtained at lower sintering temperatures - 1050 and 1000°C, respectively. Investigated electromotive forces (EMF) of cells with porous Sr0,8Ce0,2MnO3-δ and Sr0,9Ce0,1CoO3-δ. measured in temperature range 600 - 950°C are consistent with the theoretical values of EMF calculated from Nernst equation.

2

Ceramic composites based on silicon carbide.

51%

Stobierski L. , Lis J. , Groger B.

Inżynieria Materiałowa

|

1998

|

tom R. XIX, nr 4

717-722

EN

Silicon carbide possesses many important features. It is very hard, mechanically and chemically resistanced, and retains these properties to high temperature. Because of this, it is an excellent material for ceramic composite matrix. The second, dispersed phase should modify selected properties of SiC. The authors investigations were focused on the preparation of the SiC-based composites for structure application, therefore mechanical properties of the materials were mainly controlled. Simultaneously, electrical properties were also measured for to apply such materials as high-temperature ceramic resistors. The following systems were investigated: SiC-C, SiC-B4C, SiC-TiC and SiC-TiB2. The experiments showed that mechanical and electrical properties could be controlled, particularly a doubled fracture hardness and considerable increasing of strength were noticed. The electrical resistance could be changed by 10 raising to a power 8th times.

3

Dielectric properties of perovskite multiferroic Pb(Fe0.5Nb0.5)O3-Bi0.95Dy0.05FeO3 thick films

51%

Stoch A. , Kulawik J. , Szwagierczak D. , Groger B.

Materiały Elektroniczne

|

2008

|

tom T. 36, nr 3

138-150

EN

The paper reports the preparation and deposition of dielectric thick films exhibiting multiferroic properties. The developed layers are based on solid solutions of two multiferroic compounds with perovskite structure -- relaxor Pb(Fe0.5Nb0.5)O3 and Bi0.95Dy0.05FeO3. Complex impedance and dielectric permittivity of thick films were determined as a function of temperature (from - 55 to 450°C) and frequency (10 Hz - 2 MHz). DC resistivity was measured in the temperature range 20 - 400°C. Microstructure of the samples was studied using a scanning electron microscope. In complex plane impedance spectra there exists a single arc at a given temperature associated with grains which decreases and shifts to higher frequencies with increasing temperature. The maximum values of dielectric permittivity of the investigated layers were 2000 - 4000 in the temperature range from -55 to 150°C at 1 kHz. Two broad ε'maxima ascribed to relaxor ferroelectric transition and dielectric relaxation occur in the temperature range from -55 to 450°C. Low sintering temperature appropriate for the conventional thick film procedure, dense microstructure and high dielectric permittivity slightly changing over a wide frequency and temperature ranges are advantages of the developed compositions.

PL

W artykule opisano przygotowanie i nanoszenie dielektrycznych grubych warstw wykazujących multiferroiczne właściwości. Opracowane warstwy oparte są na dwóch multiferroicznych związkach o strukturze perowskitu - relaksorze Pb(Fe0.5Nb0.5)O3 i Bi0.95Dy0.05FeO3. Badano zespoloną impedancję i przenikalność elektryczną grubych warstw w funkcji temperatury (od -55 do 450°C) i częstotliwości (10 Hz - 2 MHz). Mierzono przewodnictwo dc w zakresie temperatur 20 - 400°C. Badano mikrostrukturę próbek przy użyciu mikroskopu skaningowego. Na wykresach zespolonej impedancji w danej temperaturze istnieje pojedynczy łuk, związany z ziarnami, który zmniejsza się i przesuwa w stronę wyższych częstotliwości ze wzrostem temperatury. Maksymalne wartości przenikalności elektrycznej badanych warstw wynoszą 2000 - 4000 w zakresie temperatur od -55 do 150°C dla 1 kHz. W zakresie temperatur od -55 do 450°C występują dwa szerokie maksima ε' przypisywane przemianie ferroelektrycznej i relaksacji dielektrycznej. Korzystnymi cechami opracowanych kompozycji są: niska temperatura spiekania odpowiednia dla konwencjonalnej procedury grubowarstwowej, zwarta mikrostruktura i wysoka przenikalność elektryczna słabo zmieniająca się w szerokim zakresie częstotliwości i temperatur.

4

Wpływ dodatków spiekających na rezystywność tworzyw ceramicznych w układzie Si-Ti-B-C

45%

Groger B. , Sternal H. , Klimiec E. , Zaraska W. , Stobierski L.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2000

|

tom Vol. 41, nr 6

11-13

PL

W pacy przedstawiono zmiany rezystywności i stopnia zagęszczenia ceramiki SiC i SiC-TiC spiekanej w zależności od różnych ilości aktywatorów spiekania, tj. boru i węgla. Obserwowane zmainy rezystywności materiałów są skutkiem tworzenia sie roztworu stałego bądź modyfikacji mikrostruktury. Dyskusję zachodzacych procesów przprowadzono w oparciu o teorię spiekania ciał stałych.

EN

In this paper the electrical resistivity variations and densification rates of SiC and SiC-TiC ceramics sintered with various concentrations of the boron and carbon are presented. Significant electrical resistivity changes are observed during formation a solid solution or its loss and microstructure modification. On the base of sintering theory the changes in studied systems are discussed.