PL
 |
EN
Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 9

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Carrier transport mechanisms in the ZnO based heterojunctions grown by MBE
100%
Płaczek-Popko E. , Paradowska K. M. , Pietrzyk M. A. , Kozanecki A.
Opto-Electronics Review
|
2017
|
tom Vol. 25, No. 3
181--187
EN
This paper presents a review of models of the current transport in different kind of heterojunctions (HJs) and their characteristics. In order to effectively deduce the dominant electron transport for the HJs based on ZnO or Zn1−xMgxO layers grown on Si substrate by MBE a comparison is performed – which type of the HJ exhibits better electrical properties. The current–voltage characteristics for the studied HJs were measured within 280–300 K. The transport properties of the HJs are explained in terms of Anderson model with reference to aforementioned current transport models. It is found, that the mechanisms of current transport for all of the studied HJs are similar. At a low forward voltage bias the tunneling current dominates while at medium voltage bias (0.5–1 V) multitunneling capture-emission prevails with the electron trap located at 0.1–0.25 eV below the bottom of a ZnO (Zn1−xMgxO) conduction band. Beyond this voltage bias space charge limited current governs the current transport.
2
Content available remote Evidence for metastable behavior of Ga-doped CdTe
100%
Płaczek-Popko E. , Gumienny Z. , Trzmiel J. , Szatkowski J.
Optica Applicata
|
2008
|
tom Vol. 38, nr 3
559-565
EN
In this paper, we report for the first time on persistent photoeffects in gallium doped CdTe. Persistent photoconductivity and photoinduced persistent absorption were observed at 77 K. Both effects quenched above 120 K. The photoeffects have been attributed to the metastable behavior of gallium in CdTe.
3
Content available remote Struktury na bazie ZnO do detekcji światła ultrafioletowego
88%
Paradowska K. , Płaczek-Popko E. , Zielony E. , Pietrzyk M. , Kozanecki A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
tom R. 92, nr 9
39--42
PL
W poniższej pracy, dwie struktury p-Si/n-ZnMgO zostały scharakteryzowane pod kątem zastosowania w detektorach światła ultrafioletowego (UV). Przeprowadzone zostały pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V), fotoluminescencji (PL) oraz fotoodpowiedzi. Charakterystyki I-V zostały zmierzone w 310 K i pozwoliły stwierdzić, że obie struktury posiadają właściwości prostujące. Pomiary fotoluminescencji i fotoodpowiedzi zostały przeprowadzone w temperaturze pokojowej. Została przeprowadzona dokładna analiza widm fotoluminescencji, które w jednej z próbek ujawniły pasma emisyjne świadczące o obecności defektów. Pomiary fotoodpowiedzi również zostały szczegółowo przeanalizowane, podane zostały główne wady badanych struktur oraz rozwiązania, które mogą przyczynić się do udoskonalenia struktur.
EN
In our paper, two p-Si/n-ZnMgO structures were characterized in terms of applicability in ultraviolet light detectors. A few measurement techniques have been applied: current-voltage (I-V) characteristics, photoluminescence (PL) and photoresponsivity measurements. I-V characteristics were measured at 310 K and allowed us to conlcude, that both of investigated structures have rectifying properties. Photoluminescence and photoresposivity measurements were performed at room temperature. The analysis of PL spectra exhibited emission bands corresponding to defects in one of studied samples. Photoresponsivity spectra were also thoroughly examined – the most important disadvantages of analysed structures were given together with possible solutions, which can be applied in order to obtain well-working UV detectors.
4
Content available remote Aktywność defektów w pomiarach elektrycznych i optycznych złączy fotowoltaicznych na bazie CdTe
75%
Zielony E. , Morawski M. , Racino A. , Płaczek-Popko E. , Gumienny Z. , Chusnutdinow S. , Karczewski G.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
tom R. 92, nr 9
43--46
PL
W niniejszym artykule przedstawione zostały wyniki badań defektów w strukturach fotowoltaicznych na bazie CdTe, otrzymanych techniką epitaksji z wiązek molekularnych (MBE). Do charakteryzacji defektów w badanych złączach wykorzystano różne metody pomiarowe, takie jak: charakterystyki prądowo-napięciowe, niestecjonarna spektroskopia głębokich poziomów (DLTS) i fotoluminescencja (PL), mierzone w szerokim zakresie temperatur. Pokazano, że sprawności badanych diod są stosunkowo niskie, na co mają wpływ defekty występujące w ich strukturze. W oparciu o wyniki pomiarów widm DLTS i PL wyznaczono parametry defektów oraz określono źródło ich pochodzenia.
EN
In this article the results of investigations of defects in photovoltaic structures based on CdTe grown by the molecular beam epitaxy (MBE) technique have been presented. For the characterization of defects in the studied junctions various measurement methods have been used, such as: current-voltage characteristics, deep level transient spectroscopy (DLTS) and photoluminescence (PL), measured in a broad temperature range. It has been shown that the efficiency of the investigated diodes are relatively low, what is caused by the defects present in their structure. Based on the results of the DLTS- and PL spectra the parameters of defects have been determined and their possible origin has been discussed.
5
GaAsN as a photovoltaic material : photoelectrical characterization
75%
Kamyczek P. , Płaczek-Popko E. , Biegański P. , Zielony E. , Ściana B. , Tłaczała M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
tom Vol. 53, nr 6
109-110
EN
In summary, we present in this study the results of studies on the layers of GaAs1-xNx grown on n-type GaAs substrates by atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (APMOVPE), Using transmittance, reflectance, photocurrent measurements and empirical expression for Eg a new nitrogen content for the studies samples was obtained. Using dark and illuminated I-V characteristics the main parameters of the Schottky contacts (short-circuit current Isc, open circuit-voltage, Voc, and fill factor, FF) were determined. Obtained contacts are promising for solar cell application.
6
Content available remote Parametry konwersji fotowoltaicznej dla fotoogniw plazmonicznych na bazie ZnO z nanocząstkami srebra i złota
63%
Gwóźdź K. , Płaczek-Popko E. , Zielony E. , Gumienny Z. , Pietruszka R. , Witkowski B. S. , Kopalko K. , Godlewski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
tom R. 92, nr 9
36--38
PL
W pracy zbadano struktury fotowoltaiczne na bazie nanosłupków tlenku cynku pokrytych warstwą ZnMgO, a następnie warstwą ZnO:Al (AZO). Nanosłupki zostały wytworzone na podłożu krzemowym i pokryte nanocząstkami złota lub srebra. Z pomiarów transmisji i odbicia wywnioskowano, że próbki z nanocząstkami srebra odbijają znaczną ilość światła w zakresie widzialnym, co powoduje spadek wydajności kwantowej w tym zakresie. W podczerwieni próbki z nanocząstkami mają wyższą wydajność kwantową niż próbka referencyjna bez nanocząstek. Stwierdzono, że próbka z nanocząstkami złota ma najwyższą wydajność kwantową w całym zakresie czułości 400-800 nm. Ponadto jej sprawność osiąga również najwyższą wartość – 5,79%.
EN
In this article photovoltaic structures based on ZnO nanorods covered with ZnMgO and ZnO:Al (AZO) layers were studied. The nanorods were grown on sillicon and covered with gold or silver nanoparticles. From the transmission and reflection measurments it was concluded that the samples with silver nanoparticles reflect more light in the visible spectra, which cause the decrease in external quantum efficiency for this wavelength range. In the infrared range the samples with nanoparticles have higher external quantum efficiency than the referance sample without the nanoparticles. It was also concluded, that the sample with gold nanoparticles have the highest external quantum efficiency in the wavelength range from 400-800 nm. Furthermore, the sample has the highest efficiency – 5.79%.
7
Content available Struktury fotowoltaiczne oparte o heterozłącze ZnO/Si
63%
Pietruszka R. , Łuka G. , Witkowski B. S. , Kopalko K. , Zielony E. , Biegański P. , Płaczek-Popko E. , Godlewski M.
|
|
tom Z. 264
113-123
PL
Warstwy tlenku cynku otrzymane metodą osadzania warstw atomowych ALD zostały użyte jako n-typu partner dla p-typu krzemu. Jako przezroczystą górną elektrodę wybrano warstwę tlenku cyku domieszkowaną glinem (tak zwana warstwa TCO – Transparent Conductive Oxide). Użyto tanich podłóż krzemowych o niezoptymalizowanej dla zastosowań fotowoltaicznych grubości. W niniejszej pracy badano proste struktury fotowoltaiczne ZnO/Si w celu redukcji kosztów produkcji energii elektrycznej pozyskiwanej za pomocą ogniw fotowoltaicznych. Zmierzona sprawność zoptymalizowanych częściowo (warstwy ZnO) ogniw fotowoltaicznych wyniosła 6%.
EN
We report on the properties of photovoltaic (PV) structures based on thin films of n-type zinc oxide grown by atomic layer deposition method on a cheap silicon substrate. Thin films of ZnO are used as n-type partner to p-type Si (110) and, when doped with Al, as a transparent electrode. PV structures with different electrical parameters and thicknesses of ZnO layers were deposited to determine the optimal performance of PV structures. The best response we obtained for the structure with ZnO layer thickness of 800 nm. The soobtained PV structures show 6% efficiency.
8
Content available Si/ZnO nanorods with Ag nanoparticles/AZO heterostructures in PV applications
63%
Gwóźdź K. , Płaczek-Popko E. , Gumienny Z. , Zielony E. , Pietruszka R. , Witkowski B. S. , Wachnicki Ł. , Gierałtowska S. , Godlewski M. , Chang L. B.
|
2016
|
tom Vol. 64, nr 3
529--533
EN
Our studies focus on test structures for photovoltaic applications based on zinc oxide nanorods grown using a low-temperature hydrothermal method on a p-type silicon substrate. The nanorods were covered with silver nanoparticles of two diameters – 20–30 nm and 50–60 nm – using a sputtering method. Scanning electron microscopy (SEM) micrographs showed that the deposited nanoparticles had the same diameters. The densities of the nanorods were obtained by means of atomic force microscope (AFM) images. SEM images and Raman spectroscopy confirmed the hexagonal wurtzite structure of the nanorods. Photoluminescence measurements proved the good quality of the samples. Afterwards an atomic layer deposition (ALD) method was used to grow ZnO:Al (AZO) layer on top of the nanorods as a transparent electrode and ohmic Au contacts were deposited onto the silicon substrate. For the solar cells prepared in that manner the current-voltage (I-V) characteristics before and after the illumination were measured and their basic performance parameters were determined. It was found that the spectral characteristics of a quantum efficiency exhibit an increase for short wavelengths and this behavior has been linked with the plasmonic effect.
9
Content available remote Electro-optical properties of diluted GaAsN on GaAs grown by APMOVPE
51%
Kamyczek P. , Biegański P. , Płaczek-Popko E. , Zielony E. , Gelczuk Ł. , Sciana B. , Pucicki D. , Radziewicz D. , Tlaczala M. , Kopalko K. , Dabrowska-Szata M.
|
|
tom Vol. 31, No. 4
595--600
EN
In this paper we report on the optical and electrical studies of single GaAs1-xNx epitaxial layers grown on GaAs substrates by means of atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (APMOVPE). Three kinds of samples with 1.2 %, 1.6 % and 2.7 % nitrogen content were studied. Optical properties of the layers were investigated with the use of room temperature transmittance and reflectance measurements. Subsequently Schottky Au–GaAs1-xNx contacts were processed and characterized by current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements within 80 – 480 K temperature range. From the I-V and C-V characteristics the ideality factor, series resistance and built-in potential were determined. Obtained diodes can be used for further studies on defects with the use of DLTS method.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.