Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Temperature dependence of turn-on time delay of semiconductor laser diode : theoretical analysis

100%

Ab Rahman M. S. , Hassan M. R.

tom Vol. 18, No. 4

458-466

Temperature dependence of the turn-on time delay (ton) of uncooled semiconductor laser diodes biased below and above threshold is analyzed in presence of data pattern effect. We show that even when the laser is biased at or slightly above threshold, the increase in temperature of operation will lead to increase in the threshold carrier (Nth) and consequently the laser diode will be biased below the threshold again and a significant value of ton will be produced. Thus, knowledge about a value of dc-bias current required to achieve zero ton within wide range of temperature degrees is important when considering uncooled laser diode in high-speed optical communication systems. The temperature dependence of ton is calculated according to the temperature dependence of Nth and Auger recombination coefficient (C) and not by the well-know exponentional relationship of threshold current with temperature. The temperature dependence of Nth is calculated according to the temperature dependence of laser cavity parameters. Advanced analytical model is derived in term of carrier density, recombination coefficients and the injection current (Iinj). The validity of proposed model is confirmed by a numerical method. In addition, approximated models are included where under specified assumptions the proposed model reduces to the well-known approximate models of ton. According to our typical values and at a specified value of modulation current, the dc-bias one (Iib) should be increased from Iib = Ith to Iib ≈ 1.25 and 1.5Ith in order to achieve approximately zero ton when the temperature increases from 25°C to 55°C and 85°C, respectively.

Production of Shape Memory Alloy Core-Sheath Friction Yarns

61%

Ahmad M. R. , Yahya M. H. M. , Hassan M. R. , Salleh J. , Ahmad W. Y. W. , Hassim N.

tom Vol. 21, no. 3 (99)

68--72

This paper describes some studies on the development of shape memory alloy (SMA) coresheath friction yarns. SMA wires for actuating purposes were utilised as a conductive element in the core-sheath friction yarn. A DREF 3000 friction spinning machine was used to produce the yarns. The conductive yarn was spun with the SMA actuator wire at the core and 100% cotton fibers in the second layer as the sheath producing a yarn called SMA core-sheath friction yarn (SMA CSFY). During spinning, the core-sheath ratio and spinning drum speeds were varied. The main purposes of the study were to evaluate the SMA CSFY single yarn tensile strength and its actuating performance against changes in the spinningprocess parameters. The results showed that SMA CSFY with the highest spinning drumspeed and 60% core gave the highest tensile strength and fastest actuation performance.

Badania dotyczyły opracowania przędz rdzeniowych z udziałem składnika posiadającego pamięć kształtu. Druty z pamięcią kształtu zostały zastosowane jako elementy elektrycznie przewodzące. Do produkcji tych przędz zastosowano przędzarkę DREF 3000. Przędze przewodzące były produkowane z rdzeniem z drutów o pamięci kształtu oraz otoczką z włókien bawełnianych (100%). Przędzenie przeprowadzano przy zmianie prędkości bębna przędącego. Głównym celem badań była ocena właściwości wytrzymałościowych otrzymanej przędzy oraz wpływ parametrów przędzenia na pamięć kształtu przędzy. Wyniki badań wskazują, że przędze otrzymane przy najwyższych prędkościach bębna przędącego i udziale rdzenia 60% posiadają najlepsze właściwości wytrzymałościowe i korzystne reakcje na zmianę kształtu.