Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Evidence for metastable behavior of Ga-doped CdTe

100%

Płaczek-Popko E. , Gumienny Z. , Trzmiel J. , Szatkowski J.

Optica Applicata

|

2008

|

tom Vol. 38, nr 3

559-565

EN

In this paper, we report for the first time on persistent photoeffects in gallium doped CdTe. Persistent photoconductivity and photoinduced persistent absorption were observed at 77 K. Both effects quenched above 120 K. The photoeffects have been attributed to the metastable behavior of gallium in CdTe.

2

Microphotoreflectance spectroscopy - a modulation technique with high spatial resolution

88%

Sęk G. , Podemski P. , Rudno-Rudziński W. , Gumienny Z. , Misiewicz J.

|

tom Vol. 37, nr 4

439-447

EN

There is presented an experimental setup for the measurements of photomodulated reflectivity spectra of low-dimensional semiconductor structures with a micrometer spatial (plane) resolution. The setup has been developed as an extended and improved version of a standard bright configuration, i.e., where the probe beam is provided directly by a broad band light source (e.g., halogen lamp) and then it is dispersed after being reflected off the sample. It gives typically the plane resolution, expressed by the spot size of the beams on the sample surface, on the level of single millimetres. Introducing optics, based on a long working distance and a high numerical aperture microscope objective, has allowed decreasing the spot size by three orders of magnitude into the micrometer range for both the probe and the pump beams. The optimization of microphotoreflectance signal to noise ratio has made it possible to detect the normalized reflectivity coefficient changes (?R/R) from an ultrathin single quantum well formed of the wetting layer in the structure with self-assembled InAs/GaAs quantum dots and from single pillar microresonators of the lateral sizes in the range of single micrometers.

3

Termograficzny system dalekiego i bliskiego pola

75%

Szeloch R. , Gotszalk T. , Radojewski J. , Janus P. , Orowski W. , Pędrak R. , Gumienny Z.

Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje

|

2000

|

tom Vol. 37, nr 12

221-225

PL

Opracowano system termograficzny dla obserwacji próbek o rozmiarach milimetrowych zawierających struktury mikro i nanometrowe. Opcja dalekiego pola wyposażona jest w fotowoltaiczny czujnik podczerwieni pracujący w paśmie 3-12 nm co umożliwia rejestrację niewielkich gradientów temperatury oraz ułatwia rozpoznanie lokalnych niejednorodności i defektów. System umożliwia regulację i stabilizację temperatury stolika pomiarowego oraz dokonywanie, w czasie pomiarów zanim tejże temperatury według określonej funkcji czasowej. Również napięcia polaryzacji i wejściowe sygnały dochodzące do badanych obiektów mogą być kontrolowane w systemie np. Test Point lub LabView. Taki sposób pracy umożliwia pomiary zarówno amplitudowych jak i fazowych sygnałów termicznych a co za tym idzie system rozpoznaje stan nie tylko powierzchni, lecz również (tzw. opcja lock-in) przypowierzchniowej części wnętrza badanej próbki.

EN

Combined far-field and near-field thermographic system is presented. Due to wide band infrared detector and two versions of optical sets of the system we are able to detect small temperature gradients. One of these optical sets consists of Zn Se lenses and the second includes the mirror-like optical set. System allows stage temperature regulation and stabilisation according to determined function. System also controls sample voltage signals with TestPoint or LabView software. This procedure allows us to measure amplitude and detect inhomogeneity under surface of the sample.

4

Aktywność defektów w pomiarach elektrycznych i optycznych złączy fotowoltaicznych na bazie CdTe

75%

Zielony E. , Morawski M. , Racino A. , Płaczek-Popko E. , Gumienny Z. , Chusnutdinow S. , Karczewski G.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2016

|

tom R. 92, nr 9

43--46

PL

W niniejszym artykule przedstawione zostały wyniki badań defektów w strukturach fotowoltaicznych na bazie CdTe, otrzymanych techniką epitaksji z wiązek molekularnych (MBE). Do charakteryzacji defektów w badanych złączach wykorzystano różne metody pomiarowe, takie jak: charakterystyki prądowo-napięciowe, niestecjonarna spektroskopia głębokich poziomów (DLTS) i fotoluminescencja (PL), mierzone w szerokim zakresie temperatur. Pokazano, że sprawności badanych diod są stosunkowo niskie, na co mają wpływ defekty występujące w ich strukturze. W oparciu o wyniki pomiarów widm DLTS i PL wyznaczono parametry defektów oraz określono źródło ich pochodzenia.

EN

In this article the results of investigations of defects in photovoltaic structures based on CdTe grown by the molecular beam epitaxy (MBE) technique have been presented. For the characterization of defects in the studied junctions various measurement methods have been used, such as: current-voltage characteristics, deep level transient spectroscopy (DLTS) and photoluminescence (PL), measured in a broad temperature range. It has been shown that the efficiency of the investigated diodes are relatively low, what is caused by the defects present in their structure. Based on the results of the DLTS- and PL spectra the parameters of defects have been determined and their possible origin has been discussed.

5

Ultrasonic camera for finger ridge pattern imaging

63%

Bicz W. , Banasiak D. , Bruciak P. , Gumienny Z. , Gumuliński S. , Kosz D. , Krysiak A. , Kuczyński W. , Pluta M. , Rabiej G.

Archives of Acoustics

|

1998

|

tom Vol. 23, no. 1

139--148

EN

This paper describes the design of an ultrasonic camera with a resolution of 0.1mm. The camera makes it possible to observe the near surface structures of solid objects and is suitable for finger ridge pattern imaging (i.e. a pattern reflected in the fingerprint). The device can be used for biometric identification of individuals (for access verification). It can also be employed for all other sorts of structures with ultrasonically detectable changes in the near surface structure, both natural and artificial ones (e.g. created for information recording). The paper describes the current version of the camera and the physical basis of its operation. Perspectives of further development of the device are also presented.

6

Parametry konwersji fotowoltaicznej dla fotoogniw plazmonicznych na bazie ZnO z nanocząstkami srebra i złota

63%

Gwóźdź K. , Płaczek-Popko E. , Zielony E. , Gumienny Z. , Pietruszka R. , Witkowski B. S. , Kopalko K. , Godlewski M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2016

|

tom R. 92, nr 9

36--38

PL

W pracy zbadano struktury fotowoltaiczne na bazie nanosłupków tlenku cynku pokrytych warstwą ZnMgO, a następnie warstwą ZnO:Al (AZO). Nanosłupki zostały wytworzone na podłożu krzemowym i pokryte nanocząstkami złota lub srebra. Z pomiarów transmisji i odbicia wywnioskowano, że próbki z nanocząstkami srebra odbijają znaczną ilość światła w zakresie widzialnym, co powoduje spadek wydajności kwantowej w tym zakresie. W podczerwieni próbki z nanocząstkami mają wyższą wydajność kwantową niż próbka referencyjna bez nanocząstek. Stwierdzono, że próbka z nanocząstkami złota ma najwyższą wydajność kwantową w całym zakresie czułości 400-800 nm. Ponadto jej sprawność osiąga również najwyższą wartość – 5,79%.

EN

In this article photovoltaic structures based on ZnO nanorods covered with ZnMgO and ZnO:Al (AZO) layers were studied. The nanorods were grown on sillicon and covered with gold or silver nanoparticles. From the transmission and reflection measurments it was concluded that the samples with silver nanoparticles reflect more light in the visible spectra, which cause the decrease in external quantum efficiency for this wavelength range. In the infrared range the samples with nanoparticles have higher external quantum efficiency than the referance sample without the nanoparticles. It was also concluded, that the sample with gold nanoparticles have the highest external quantum efficiency in the wavelength range from 400-800 nm. Furthermore, the sample has the highest efficiency – 5.79%.

7

Si/ZnO nanorods with Ag nanoparticles/AZO heterostructures in PV applications

63%

Gwóźdź K. , Płaczek-Popko E. , Gumienny Z. , Zielony E. , Pietruszka R. , Witkowski B. S. , Wachnicki Ł. , Gierałtowska S. , Godlewski M. , Chang L. B.

|

2016

|

tom Vol. 64, nr 3

529--533

EN

Our studies focus on test structures for photovoltaic applications based on zinc oxide nanorods grown using a low-temperature hydrothermal method on a p-type silicon substrate. The nanorods were covered with silver nanoparticles of two diameters – 20–30 nm and 50–60 nm – using a sputtering method. Scanning electron microscopy (SEM) micrographs showed that the deposited nanoparticles had the same diameters. The densities of the nanorods were obtained by means of atomic force microscope (AFM) images. SEM images and Raman spectroscopy confirmed the hexagonal wurtzite structure of the nanorods. Photoluminescence measurements proved the good quality of the samples. Afterwards an atomic layer deposition (ALD) method was used to grow ZnO:Al (AZO) layer on top of the nanorods as a transparent electrode and ohmic Au contacts were deposited onto the silicon substrate. For the solar cells prepared in that manner the current-voltage (I-V) characteristics before and after the illumination were measured and their basic performance parameters were determined. It was found that the spectral characteristics of a quantum efficiency exhibit an increase for short wavelengths and this behavior has been linked with the plasmonic effect.